來源:壹芯微 發布日期
2024-11-20 瀏覽:-
一、過壓保護原理
過壓保護電路通常通過齊納二極管相互作用來實現和功率晶體管:
1. 在正常輸入電壓下,齊納二極管處于截止狀態,PNP晶體管的基極和發射極電位相等并保持截止狀態,電源輸出正常。
2. 當輸入電壓超過設定的過壓閾值(例如26V至30V)時,齊納二極管反向擊穿并鉗位PNP的基極電位。此時,PNP晶體管的發射極電位升高,因此Vbe降低。PNP晶體管變為負值,晶體管導通,柵極電壓升高到源極電位附近,PMOS晶體管截止,切斷后續電路的電源,完成過壓保護。
這種保護機制的優點是可以快速反應,但寄生電容可能會稍微減慢反應速度。這種改進方法通過添加直接控制PMOS柵極的控制電路來優化響應時間。
二、反接保護原理
反極性保護尤其重要,因為電源反接會損壞設備內部電路。在反極性保護電路中,通常采用NMOS晶體管或肖特基二極管來實現:
1. 如果電流輸入反向或電壓低于NMOS閾值時,NMOS截止,斷開接地網絡,防止反向電流流向后續電路。
2. 正常電壓輸入條件下,NMOS的Vgs電壓被穩壓二極管鉗位到合適的值,保證NMOS導通,地網絡接通,電源正常輸出。
這種保護設計簡單高效,為下游電路提供足夠的反接保護。
三、慢啟動原理
慢啟動減少了開機時浪涌電流對電路的影響,為后續電路提供穩定的電源。其實現原理通常是根據電容器的充放電特性:
1. 接通電源的瞬間,PNP晶體管導通,PMOS的柵極立即上拉。通過電阻連接到電源電壓,打開PMOS。
2. 當電容器開始充電時,其兩端的電壓逐漸增加,而等效電阻不斷減小,提供慢啟動功能。PMOS柵極電壓下降直至滿足導通條件。
慢啟動設計可以有效防止浪涌造成的設備損壞,延長電子設備的使用壽命。
四、瞬態保護和其他緩解措施
進一步提高電路保護能力的常見緩解措施包括:
1. 在輸入端串聯保險絲或TVS瞬變二極管,吸收浪涌電壓和大電流浪涌。
2. 輸出端端子上安裝肖特基二極管,防止反向電流流動,保證器件穩定工作。
這些措施與浪涌保護、反極性保護和慢啟動技術相結合,打造多級安全保護。
保護電路的合理設計,大大提高了設備的安全性和可靠性,保證了各種使用條件下的穩定運行。對于工程師來說,掌握這些原理并在實際設計中靈活應用是生產高質量電子產品的關鍵。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號:粵ICP備2020121154號