來源:壹芯微 發布日期
2025-04-23 瀏覽:-
一、體積小巧與高集成度
TOLL封裝肖特基二極管的最大特點之一是其超薄設計。與傳統封裝相比,TOLL封裝的厚度僅為2.3mm,顯著降低了空間占用,特別適應于對體積有嚴格要求的PD快充應用。這一緊湊的封裝不僅減小了設備的尺寸,還幫助提高了系統的集成度,使得更加高效的設計成為可能。例如,TOLL封裝尺寸為9.9mm×11.68mm,可直接替換傳統的TO-220或TO-247封裝,這對于簡化PCB布線、減少設計復雜度具有重要意義。
二、優化的散熱性能
TOLL封裝肖特基二極管在散熱方面也展現了顯著優勢。通過創新的設計,TOLL封裝能夠直接通過PCB的過孔進行垂直導熱,使熱量能夠迅速從芯片散發出去。與傳統封裝相比,這種散熱方式具有更低的熱阻(RθJC),通常能達到0.5℃/W以下,這意味著在3-5A電流工作條件下,設備幾乎不需要額外的散熱片。進一步的測試表明,在40A持續電流下,使用普通PCB時溫升僅為61℃,在鋁基板中則更低,僅為32℃。這一高效的熱管理特性,確保了設備在高功率快速充電的環境下依然保持穩定運行。
三、低導通損耗與高頻性能
TOLL封裝肖特基二極管的另一個顯著優勢是其低導通損耗。肖特基二極管的正向壓降(VF)低至0.3V以下,這對于減少能量損失、提高充電效率具有重要意義。尤其是在高溫環境下,肖特基二極管的導通損耗表現更為穩定,溫度變化對其性能的影響較小。例如,B2D04065V型號的常溫VF僅為0.55V,比傳統的TO-252封裝肖特基二極管降低了0.1V,從而顯著提升了效率。
此外,TOLL封裝肖特基二極管還具備優異的高頻特性。其寄生電感低于1nH,能夠支持高頻開關應用,如LLC諧振拓撲。這樣的高頻性能使其能夠適應PD快充協議,尤其是在240W等高功率應用中,減少了電磁干擾(EMI)并保證了充電過程的穩定性。
四、增強的抗浪涌能力
隨著電網波動和瞬時電流的變化,抗浪涌能力已成為電子元件的重要性能指標。TOLL封裝肖特基二極管通過采用銅框架設計,顯著增強了其散熱路徑并提升了抗浪涌能力。浪涌電流能力(IFSM)達到30A(10ms正弦波),能夠有效應對電網接入時的瞬間沖擊電流,確保充電系統的安全性和可靠性。
五、簡化系統設計與降低成本
TOLL封裝肖特基二極管還具有成本效益。其封裝引腳布局與傳統MOSFET兼容,用戶可以快速進行替換和升級,顯著縮短開發周期。此外,TOLL封裝肖特基二極管可以替代同步整流電路,減少次級側的元件數量(如驅動IC和MOSFET),進一步降低了系統的BOM成本。因此,它在降低整體設計成本的同時,提升了系統的整體效能。
總的來說,TOLL封裝肖特基二極管憑借其低損耗、高散熱、高集成度和優秀的抗浪涌能力,成為PD快充領域的理想選擇。它的體積小、性能強、成本效益高,使得設計師能夠在保證充電效率和安全性的同時,優化設備體積與成本。在未來的快充技術中,TOLL封裝肖特基二極管無疑將繼續扮演重要角色,推動充電速度與效率的進一步提升。
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