一、轉換器設計對抗電磁干擾（EMI）：

在探討如何通過集成功率 MOSFET 和控制器的轉換器解決方案來抑制 EMI 時，我們注意到特定轉換器設計可以有效超越傳導 EMI 并為達到輻射限值預留充足空間。這些設計通常采取措施以增加抑制輻射和傳導 EMI 的效率。

二、電磁干擾（EMI）的挑戰及其管理策略：

DC/DC 轉換器在操作中常因其快速開關的電壓和電流特性而引發 EMI。盡管與轉換器的不連續輸入或輸出電流相關的 EMI 相對易于管理，開關電壓的 dv/dt 和電流的 di/dt 諧波成分及其相關的振鈴則構成了更大的挑戰。因此，針對這些問題，設計師需采用綜合措施以減輕其影響。

三、轉換器電路的實際應用與EMI優化：

具體來說，通過調整轉換器電路的關鍵回路和走線，最大限度地減小電源回路的面積，是減少寄生電感和相關 H 場傳播的有效策略。例如，在自舉電容回路中，通過配置自舉電阻 RBOOT 控制高側 MOSFET 的導通速度，可以降低 MOSFET 導通期間的開關電壓和電流轉換率，進而抑制 EMI。

四、金屬外殼屏蔽的利用與優勢：

在抑制高頻 EMI 方面，一個有效的技術是使用金屬外殼屏蔽層，以阻隔輻射電場。這種外殼通常采用鋁材制成，并可實現框架（開放式）或封閉式的設計方案，形成與 PCB 上的 GND 連接的法拉第籠，這不僅顯著減少了噪聲的輻射耦合，也在散熱管理和成本控制上提供了平衡。

五、采用先進封裝技術增強EMI性能：

使用新型封裝技術，如 HotRod 封裝，可以顯著改善轉換器的 EMI 性能。該封裝采用倒裝芯片的方法，最小化了封裝引腳的寄生電感，這種技術在開關換向期間有效地減少了振鈴，同時降低了導通和開關損耗。