新一代IFX SiC肖特基二極管（thinQ!2G）： 結合了傳統(tǒng)SiC肖特基二極管和雙極pn結構的新一代IFX SiC肖特基二極管（thinQ!2G），具有顯著提升的浪涌電流承受能力和穩(wěn)定的過壓特性。通過優(yōu)化p區(qū)域，提高發(fā)射極效率和電導率，使其在正向電壓超過4V時能有效作為浪涌電流的旁路通道。此外，其優(yōu)化的浪涌電流功能允許在設計時針對應用中的平均電流條件進行調整，有效處理啟動和交流回落引起的浪涌及過電流。

全球功率因數調整（PFC）市場趨勢： PFC市場的主要驅動力是全球性的減少諧波失真相關規(guī)定。歐洲的EN61000-3-2規(guī)范是直流供電市場的核心標準之一，英國、日本和中國均有類似標準。這些規(guī)范要求所有功耗超過75W的離線設備符合特定的諧波標準。在北美，由于缺乏相應的管理規(guī)定，能源節(jié)約和成本效益成為采用PFC的額外驅動因素，尤其是在消費電子、計算設備和通信領域。

主動PFC的應用模式： 主動PFC技術分為不連續(xù)電流模式（DCM）和連續(xù)電流模式（CCM）。DCM主要用于75W至300W的輸出功率，而CCM適用于超過300W的應用。輸出功率超過250W的情況下，PFC技術由于效率的補償性提升而顯得成本效益高，幾乎不增加額外成本。

PFC與服務器系統(tǒng)架構（SSI）的一致性要求： 主動功率因數校正是符合服務器系統(tǒng)架構（SSI）標準的重要要求。供電模塊應采用帶有主動功率因數校正的通用電源輸入，以減少諧波并符合EN61000-3-2及JEIDA MITI標準。此外，高功率密度的應用需要提供寬廣的輸入電壓范圍（85~265V），這對PFC級電路中使用的半導體提出了特別的技術要求。

MOSFET的操作性能和重要性： 在85V交流電壓輸入時，MOSFET需要極低的Rdson以減少傳導熱損失，因為這些損失與輸入電壓的立方反比相關。高頻率操作的MOSFET顯著降低了升壓抑制，因此，快速的開關特性對于MOSFET至關重要。同時，升壓二極管應具備快速開關、低Vf和低Qrr特性，以減輕在通電時的峰值電流壓力。低Qrr特性對于避免溫度和Rdson的增加、減少功率損失并提高效率尤其關鍵。

碳化硅肖特基二極管的應用優(yōu)勢： 碳化硅肖特基二極管由于其無反向恢復電荷、反向特性與開關速度、溫度和正向電流無關的特性，極大地減少了PFC應用中的功率損耗。這在需要滿足高效率標準，如80plus等法規(guī)的服務器和高端PC電源中尤為重要。利用這些特性，SiC肖特基二極管不僅提高了系統(tǒng)效率，還減小了無源器件的體積，對于高功率應用來說，這些優(yōu)勢是不可或缺的。