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[常見問題解答]為什么MOS管關(guān)斷速度比開通速度更重要？[ 2025-04-18 10:45 ]

在許多電路設(shè)計(jì)中，MOS管的關(guān)斷速度比開通速度更為關(guān)鍵。雖然兩者看似都對(duì)電路的性能和效率有影響，但實(shí)際上，關(guān)斷速度對(duì)整體電路的影響更為深遠(yuǎn)。1. 關(guān)斷時(shí)間與功耗的關(guān)系首先，MOS管的開關(guān)行為直接影響電路中的功耗。MOS管的開通和關(guān)斷過程中，柵極電容的充放電會(huì)引起能量損失。雖然開通過程的能量損失較為顯著，但關(guān)斷過程中的功耗卻可能導(dǎo)致更長時(shí)間的損耗。如果MOS管不能迅速關(guān)斷，過長的關(guān)斷時(shí)間意味著MOS管在電路中保持導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間更長，這會(huì)增加整個(gè)電路的熱損耗，從而降低效率。因此，提高關(guān)斷速度是減少功耗的一個(gè)有效手段。2

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[常見問題解答]普通晶閘管與快速晶閘管關(guān)斷時(shí)間差異分析[ 2025-02-26 10:18 ]

晶閘管（SCR，Silicon Controlled Rectifier）在電力電子領(lǐng)域中被廣泛應(yīng)用，主要用于整流、調(diào)功及開關(guān)控制等場(chǎng)合。根據(jù)其關(guān)斷特性的不同，晶閘管可分為普通晶閘管（SCR）和快速晶閘管（Fast SCR）。關(guān)斷時(shí)間是衡量晶閘管性能的重要指標(biāo)之一，它決定了器件能否在高頻應(yīng)用場(chǎng)景中穩(wěn)定運(yùn)行。一、關(guān)斷時(shí)間的基本概念關(guān)斷時(shí)間指的是晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)完全恢復(fù)到阻斷狀態(tài)所需的時(shí)間。在此過程中，晶閘管內(nèi)部載流子需要重新復(fù)合并消散，直到無法再維持導(dǎo)通狀態(tài)。較短的關(guān)斷時(shí)間意味著器件可以在更高的頻率下工作，因此對(duì)于高

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[常見問題解答]同步整流與異步整流：兩者的區(qū)別與應(yīng)用分析[ 2025-02-19 11:07 ]

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，整流技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。特別是同步整流和異步整流，它們作為兩種常見的整流方式，各自在不同的應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出各自的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)。一、同步整流：提高效率的新技術(shù)同步整流技術(shù)，也被稱為主動(dòng)整流技術(shù)，是近年來為了提升整流效率而發(fā)展出來的一種新型技術(shù)。傳統(tǒng)的整流二極管（如硅二極管）由于其存在一定的電壓降，導(dǎo)致在高頻和大電流條件下，損耗較為嚴(yán)重。為了解決這一問題，同步整流技術(shù)采用了主動(dòng)控制的MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為整流開關(guān)。同步整流器的工作原理基于開關(guān)模式，MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間由控制

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[常見問題解答]如何提升關(guān)斷速度？深入解讀驅(qū)動(dòng)電路的加速關(guān)斷原理[ 2024-10-28 14:20 ]

在高頻電路設(shè)計(jì)中，提高M(jìn)OSFET、IGBT等功率器件的關(guān)斷速度對(duì)于提升電路效率至關(guān)重要?？焖訇P(guān)斷可以降低功耗，縮短響應(yīng)時(shí)間。以下介紹關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路的原理、常用方法和重要設(shè)計(jì)要點(diǎn)。一、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路核心原理關(guān)斷時(shí)，必須快速放電柵極電荷，使關(guān)斷時(shí)間盡可能短。MOSFET等功率器件的柵極和源極之間通常存在電容，該電容直接影響充電放電速率。加速關(guān)斷電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)在于快速降低柵源極之間的柵源電壓，通過連接到電源來實(shí)現(xiàn)電容器的快速放電過程。典型的加速關(guān)斷電路通過將二極管和電阻器與柵極驅(qū)動(dòng)電阻器并聯(lián)，以加速電容器放電。二極管

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[常見問題解答]PWM開關(guān)電源輸出電壓不穩(wěn)定的原因及對(duì)策[ 2024-10-19 14:47 ]

PWM開關(guān)電源廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中，通過控制開關(guān)管的開通和關(guān)斷時(shí)間來調(diào)節(jié)輸出電壓。然而，輸出電壓可能會(huì)變得不穩(wěn)定，這種不穩(wěn)定的情況會(huì)對(duì)設(shè)備的正常運(yùn)行產(chǎn)生不利影響。本文探討了PWM開關(guān)電源輸出電壓不穩(wěn)定的最常見原因，并列出了各種影響因素的解決方案。負(fù)載突然變化、輸入電壓不穩(wěn)定、元件老化、環(huán)境條件變化等都會(huì)引起電壓波動(dòng)。為了提高PWM開關(guān)電源輸出電壓的穩(wěn)定性，需要從多方面進(jìn)行分析。一、負(fù)載變化負(fù)載變化是影響PWM開關(guān)電源電壓穩(wěn)定性的主要原因之一。當(dāng)負(fù)載變化時(shí)，電源的輸出電壓會(huì)受到干擾。如果負(fù)載突然增加或減少，尤其如

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[常見問題解答]UC3842在電動(dòng)車充電器中的電路優(yōu)化與實(shí)施策略[ 2024-09-13 15:30 ]

在電動(dòng)車充電器的設(shè)計(jì)與開發(fā)中，優(yōu)化電路的性能是至關(guān)重要的。UC3842作為一款高效的PWM控制集成電路，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)車充電器中，其電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化策略對(duì)提升充電效率和安全性具有顯著影響。一、UC3842基本特性UC3842集成電路具有多種功能，能夠通過控制開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間來調(diào)節(jié)輸出電壓，采用PWM技術(shù)進(jìn)行精確控制。其內(nèi)置的過流保護(hù)、欠壓鎖定以及軟啟動(dòng)功能，使得電路在電動(dòng)車充電器中的應(yīng)用更為安全可靠。二、電路設(shè)計(jì)優(yōu)化策略1. 輸入濾波優(yōu)化：在UC3842的應(yīng)用中，設(shè)計(jì)高效的輸入濾波電路可以有效去除輸入電壓中的高

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[常見問題解答]晶閘管的不同類型及其應(yīng)用領(lǐng)域概覽[ 2024-07-09 11:22 ]

一、快速晶閘管快速晶閘管被廣泛用于高頻的電子調(diào)節(jié)設(shè)備中,主要見于中頻感應(yīng)加熱設(shè)備.這種設(shè)備能夠承受高達(dá)400Hz以上的工作頻率.其特性包括短暫的開通時(shí)間（4～8微秒）與關(guān)斷時(shí)間（10～60微秒）,主要服務(wù)于高頻整流、斬波、逆變和頻率轉(zhuǎn)換電路.結(jié)構(gòu)上，快速晶閘管與普通晶閘管相似，但門極設(shè)計(jì)更復(fù)雜,以適應(yīng)特定的應(yīng)用需求.采用先進(jìn)工藝改善了快速晶閘管的開關(guān)特性,雖然縮短了關(guān)斷時(shí)間，卻對(duì)設(shè)備的通態(tài)性能造成影響,如浪涌電流性能下降.用戶需綜合實(shí)際應(yīng)用條件來選擇合適的設(shè)備.特別的結(jié)構(gòu)調(diào)整，如增長門極-陰極周界、減薄基區(qū)厚度，旨

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[常見問題解答]BUCK拓?fù)潆娐吩砗吞卣鹘榻B[ 2023-09-21 18:50 ]

BUCK拓?fù)潆娐吩砗吞卣鹘榻BBuck基礎(chǔ)拓?fù)潆娐方祲菏?Buck)變換器是一種輸出電壓≤輸入電壓的非隔離直流變換器。Buck變換器的主電路由開關(guān)管Q，二極管D，輸出濾波電感L和輸出濾波電容C構(gòu)成。接下來將從：1. 開關(guān)整流器基本原理 2. 傳說中的“伏-秒平衡” 3. 同步整流死區(qū)時(shí)間等三部分詳細(xì)介紹Buck電路的工作原理。Part 1 開關(guān)整流器基本原理導(dǎo)通時(shí)間關(guān)斷時(shí)間在[0,Ton]期間，開關(guān)導(dǎo)通;在[Ton，Ts]期間，Q截止。設(shè)開關(guān)管開關(guān)周期為Ts，則開關(guān)頻率fs=1/Ts。

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[常見問題解答]場(chǎng)效應(yīng)管，MOS管的驅(qū)動(dòng)方式介紹[ 2023-07-21 16:39 ]

場(chǎng)效應(yīng)管，MOS管的驅(qū)動(dòng)方式介紹MOS管是一種電壓型控制器件，具有開掛速度快，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小等一系列優(yōu)點(diǎn)。常見的MOS驅(qū)動(dòng)方式有以下幾種。1、直接驅(qū)動(dòng)直接驅(qū)動(dòng)2、推挽驅(qū)動(dòng)當(dāng)驅(qū)動(dòng)IC的驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，我們采用推挽驅(qū)動(dòng)，這中驅(qū)動(dòng)方式不僅增加了驅(qū)動(dòng)能力，而且也加速了關(guān)斷時(shí)間。推挽驅(qū)動(dòng)3、變壓器驅(qū)動(dòng)變壓器驅(qū)動(dòng)MOS管使用變壓器驅(qū)動(dòng)，不僅實(shí)現(xiàn)電氣隔離，而且驅(qū)動(dòng)速度也快，但是使用變壓器驅(qū)動(dòng)時(shí)，MOS管的占空比不能大于50%，否則變壓器會(huì)飽和。壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)、橋堆&rdquo

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[常見問題解答]IGBT的關(guān)斷過程影響解析[ 2023-06-17 15:24 ]

IGBT的關(guān)斷過程影響解析從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行分析01前言絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的高阻漂移區(qū), 大大改善了器件的導(dǎo)通特性, 同時(shí)還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開關(guān)速度快的特點(diǎn)。很多情況，由于對(duì)IGBT關(guān)斷機(jī)理認(rèn)識(shí)不清, 對(duì)關(guān)斷時(shí)間隨電壓和電流的變化規(guī)律認(rèn)識(shí)不清, 導(dǎo)致無法解釋在使用過程中出現(xiàn)的電流拖尾長、死區(qū)時(shí)間長等現(xiàn)象, 不能充分發(fā)揮IGBT 的性能; 導(dǎo)致IGBT因使

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[常見問題解答]開關(guān)電源輸入保護(hù)電路介紹[ 2023-03-04 12:19 ]

開關(guān)電源是開關(guān)穩(wěn)壓線性電源的簡稱，以前的電源產(chǎn)品是采用線性電源，這是一種晶體管線性穩(wěn)壓電源，由于效率低下等原因已逐漸被開關(guān)電源取代。開關(guān)電源，顧名思義就是通過控制開關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間以及關(guān)斷時(shí)間來維持輸出電壓的穩(wěn)定的電源，已逐漸向小型化、效率化、模塊化、高可靠性等方向發(fā)展。對(duì)于開關(guān)電源，輸入保護(hù)電路很重要，開關(guān)輸入保護(hù)電路具有過流保護(hù)、過壓保護(hù)以及浪涌抑制等功能，對(duì)于電網(wǎng)的電壓沖擊以及EMC等具有至關(guān)重要的作用。下面列舉6種開關(guān)電源輸入保護(hù)電路一、保險(xiǎn)絲形式保險(xiǎn)絲有普通型的也有快速型的，具有熔點(diǎn)低、熔斷速度快特點(diǎn)，但是

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[常見問題解答]逆導(dǎo)晶閘管RCT知識(shí)了解[ 2021-02-03 15:24 ]

逆導(dǎo)晶閘管RCT知識(shí)了解逆導(dǎo)晶閘管RCT亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間僅幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不僅使用方便，而且能簡化電路設(shè)計(jì)。逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正

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[常見問題解答]三極管晶體管開關(guān)電路設(shè)計(jì)圖解[ 2019-10-29 11:58 ]

三極管晶體管開關(guān)電路設(shè)計(jì)TTL晶體管開關(guān)電路按驅(qū)動(dòng)能力分為小信號(hào)開關(guān)電路和功率開關(guān)電路；按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射級(jí)跟隨開關(guān)電路1.發(fā)射極接地開關(guān)電路1.1 npn型和pnp型基本開關(guān)原理圖：NPN型和PNP型基本開關(guān)電路圖上面的基本電路離實(shí)際設(shè)計(jì)電路還有些距離：由于晶體管基極電荷存儲(chǔ)積累效應(yīng)使晶體管從導(dǎo)通到斷開有一個(gè)過渡過程（當(dāng)晶體管斷開時(shí)，由于R1的存在，減慢了基極電荷的釋放，所以Ic不會(huì)馬上變?yōu)榱悖Ｒ簿褪钦f發(fā)射極接地型開關(guān)電路存在關(guān)斷時(shí)間，不能直接應(yīng)用于中高頻開關(guān)。1.

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[常見問題解答]MOSFET驅(qū)動(dòng)方式詳情[ 2019-09-09 12:21 ]

MOSFET驅(qū)動(dòng)方式：驅(qū)動(dòng)方式是對(duì)簡易方式的一種初步改進(jìn),它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保證較高的開通速度。驅(qū)動(dòng)方式可進(jìn)一步改善驅(qū)動(dòng)性能,不但關(guān)斷時(shí)間可以進(jìn)一步縮短,開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間的差別也通過互補(bǔ)電路而消除。同時(shí),在這種驅(qū)動(dòng)方式中的兩個(gè)外接晶體管起著射極跟隨器的作用,因而功率MOSFET永遠(yuǎn)不會(huì)被驅(qū)動(dòng)到飽和區(qū)。由于互補(bǔ)方式增加了驅(qū)動(dòng)功率,這種方式更適合于大功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)。而這種方式可以產(chǎn)生足夠高的柵壓使器件充分導(dǎo)通,并保證較高的關(guān)斷速度。由于外接負(fù)載電阻RL須有一定大小,以限制TTL的低電平輸出

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[常見問題解答]快恢復(fù)二極管的短載流子壽命控制技術(shù)詳解[ 2019-03-05 18:20 ]

壹芯微作為國內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)快恢復(fù)二極管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進(jìn)口的測(cè)試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會(huì)分析一些知識(shí)或者客戶的一些問題,來出來分享,今天我們分享的是，快恢復(fù)二極管的短載流子壽命控制技術(shù)詳解,請(qǐng)看下方在很多情況下特別是對(duì)那些需要工作在較高類率的器件而言，縮短載流子壽命，進(jìn)而對(duì)恢復(fù)電荷、關(guān)斷時(shí)間等關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行控制是十分重要的。具體對(duì)于快恢復(fù)二極管應(yīng)用載流子壽命控制技術(shù)要求盡量減小存儲(chǔ)電荷Qrr、加速Q(mào)r

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