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        [常見問(wèn)題解答]如何提升關(guān)斷速度?深入解讀驅(qū)動(dòng)電路的加速關(guān)斷原理[ 2024-10-28 14:20 ]
        在高頻電路設(shè)計(jì)中,提高M(jìn)OSFET、IGBT等功率器件的關(guān)斷速度對(duì)于提升電路效率至關(guān)重要。快速關(guān)斷可以降低功耗,縮短響應(yīng)時(shí)間。以下介紹關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路的原理、常用方法和重要設(shè)計(jì)要點(diǎn)。一、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路核心原理關(guān)斷時(shí),必須快速放電柵極電荷,使關(guān)斷時(shí)間盡可能短。MOSFET等功率器件的柵極和源極之間通常存在電容,該電容直接影響充電放電速率。加速關(guān)斷電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)在于快速降低柵源極之間的柵源電壓,通過(guò)連接到電源來(lái)實(shí)現(xiàn)電容器的快速放電過(guò)程。典型的加速關(guān)斷電路通過(guò)將二極管和電阻器與柵極驅(qū)動(dòng)電阻器并聯(lián),以加速電容器放電。二極管
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