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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]為什么電流只能在二極管中單向流動(dòng)?[ 2025-03-07 10:31 ]
        二極管是電子電路中的常見(jiàn)元件,它的一個(gè)關(guān)鍵特性就是單向?qū)щ娦裕措娏髦荒苎刂囟ǚ较蛄鲃?dòng),而無(wú)法反向?qū)?/font>。這種特性在整流電路、信號(hào)處理和保護(hù)電路中起到了至關(guān)重要的作用。那么,為什么電流只能在二極管中單向流動(dòng)呢?一、二極管的基本結(jié)構(gòu)二極管的主要組成部分是PN結(jié),它由兩種不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成:- P型半導(dǎo)體:內(nèi)部富含空穴,呈現(xiàn)正電特性。- N型半導(dǎo)體:含有大量自由電子,帶負(fù)電特性。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí),它們的交界面會(huì)形成一個(gè)特殊區(qū)域——PN結(jié)。PN結(jié)內(nèi)部的特性決定了二極管的單向?qū)щ娦裕蛊湓?/dd>
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]深入解析RC-IGBT:結(jié)構(gòu)、工作原理與優(yōu)勢(shì)詳解[ 2024-10-15 16:11 ]
        RC-IGBT是一種集成FRD(快恢復(fù)二極管)功能的新型IGBT器件。它具有良好的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作機(jī)理和技術(shù)優(yōu)勢(shì),其結(jié)構(gòu)、工作原理和優(yōu)點(diǎn)使其得到廣泛的應(yīng)用,詳細(xì)的分析將幫助您更深入地了解該裝置的獨(dú)特性和技術(shù)優(yōu)勢(shì)。一、RC-IGBT的結(jié)構(gòu)和特性在大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景中,IGBT用于關(guān)斷時(shí)關(guān)閉的感性負(fù)載。IGBT本身不能反向?qū)?/font>,因此需要快恢復(fù)二極管(FRD)。由于傳統(tǒng)IGBT模塊尺寸較大,已難以滿足市場(chǎng)對(duì)更高性能、更小型器件的需求。為了解決上述問(wèn)題,開(kāi)發(fā)了芯片背面帶有二極管過(guò)孔的回線IGBT(RC-IGBT),將IGBT和F
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何使用多用表測(cè)試整流橋的性能?[ 2024-04-30 10:43 ]
        評(píng)估整流橋的質(zhì)量與性能是電子維修和制造中的關(guān)鍵步驟。本文將介紹幾種高效的檢測(cè)方法,分別從結(jié)構(gòu)完整性、電路連通性、組件功能以及整體性能幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)討論。一、元器件功能性評(píng)測(cè)評(píng)測(cè)整流橋中的關(guān)鍵元件,如二極管和電容器,是確保設(shè)備性能的重要步驟:1. 利用萬(wàn)用表的二極管測(cè)試模式,單獨(dú)檢測(cè)每個(gè)二極管的正反向?qū)?/font>性。正常情況下,二極管在正向應(yīng)導(dǎo)通,在反向則截?cái)唷?. 對(duì)電容器進(jìn)行容量測(cè)試,確保其值接近標(biāo)稱容量。在測(cè)試前需放電,并在干燥環(huán)境下操作,以確保準(zhǔn)確性。二、外觀和機(jī)械結(jié)構(gòu)檢查整流橋的外觀直接關(guān)聯(lián)到其生產(chǎn)質(zhì)量和可能的物
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]功率MOS管的正向截止等效電路與穩(wěn)態(tài)特性介紹[ 2023-08-24 18:26 ]
        功率MOSFET的正向截止等效電路與穩(wěn)態(tài)特性介紹功率MOSFET的正向截止等效電路(1):等效電路(2):說(shuō)明:功率 MOSFET 正向截止時(shí)可用一電容等效,其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān),大小可從制造商的手冊(cè)中獲得。功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)(1):功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時(shí)的電流/電壓曲線(2):說(shuō)明:功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時(shí)的穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn):當(dāng)門(mén)極不加控制時(shí),其反向?qū)?/font>的穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn)同二極管。(3):穩(wěn)態(tài)特性總結(jié):門(mén)極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)VgsVth時(shí),器件處于導(dǎo)通狀態(tài);
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        [ 2023-08-24 18:06 ]
        功率MOSFET的正反向?qū)?/font>等效電路解析功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?):等效電路(2):說(shuō)明:功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從手冊(cè)中獲得。功率MOSFET的反向?qū)?/font>等效電路(1)    (1):等效電路(門(mén)極不加控制)(2):說(shuō)明:即內(nèi)部二極管的等效電路,可用一電壓降等效,此二極管為MOSFET 的體二極管,多數(shù)情況下,因其特性很差,要避免使用。功率
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]光敏二極管與光敏三極管主要參數(shù),應(yīng)用與測(cè)量知識(shí)介紹[ 2021-10-29 17:41 ]
        光敏二極管與光敏三極管主要參數(shù),應(yīng)用與測(cè)量知識(shí)介紹 一、光敏二極管 光敏二極管是一種采用PN結(jié)單向?qū)щ娦阅艿慕Y(jié)型光電器件,也叫光電二極管,能夠?qū)⒐庑盘?hào)變成電信號(hào)的探測(cè)器件,通過(guò)在PN結(jié)加上反向電壓,在光的照射下反向?qū)?/font>,光敏二極管所用材料一般有硅、鍺等。如下圖是光敏二極管的外形結(jié)構(gòu)與符號(hào)。
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]理解晶體三極管原理的關(guān)鍵[ 2021-02-26 09:18 ]
        理解晶體三極管原理的關(guān)鍵理解晶體三極管工作原理的關(guān)鍵難點(diǎn)在哪里? 簡(jiǎn)單地說(shuō),難點(diǎn)在于集電結(jié),在于集電結(jié)為什么會(huì)反向?qū)?/font>?集電結(jié)反向?qū)?/font>,這嚴(yán)重違反了人們對(duì)PN結(jié)性質(zhì)的一般性認(rèn)識(shí)。對(duì)于這一問(wèn)題能否正確理解是理解三極管原理問(wèn)題的關(guān)鍵所在。PN結(jié)應(yīng)該正向?qū)ǚ聪蚪刂梗@是一般性常識(shí)。但這僅僅是對(duì)PN結(jié)性質(zhì)的膚淺理解,PN結(jié)反向截止本質(zhì)是什么?截止時(shí)為什么會(huì)有漏電流?這才是問(wèn)題的根本,對(duì)此進(jìn)行適當(dāng)深究,問(wèn)題就會(huì)豁然開(kāi)朗。PN結(jié)為什么會(huì)反向截止?截止時(shí)為什么會(huì)有漏電流?實(shí)際上PN結(jié)反向截止時(shí),截止的只是多數(shù)載流子,
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]逆導(dǎo)晶閘管RCT知識(shí)了解[ 2021-02-03 15:24 ]
        逆導(dǎo)晶閘管RCT知識(shí)了解逆導(dǎo)晶閘管RCT亦稱反向?qū)?/font>晶閘管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu),使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如,逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間僅幾微秒,工作頻率達(dá)幾十千赫,優(yōu)于快速晶閘管(FSCR)。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、UPS不間斷電源中,一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只,不僅使用方便,而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性,正向特性與普通晶閘管SCR相同,而反向特性與硅整流管的正
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]關(guān)于齊納二極管如何使用[ 2020-10-09 17:42 ]
        關(guān)于齊納二極管如何使用齊納二極管(Zener diode),又叫穩(wěn)壓二極管,利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變,因此,常用來(lái)制成起穩(wěn)壓作用的二極管。很多初學(xué)者常常不能從根本上很好地理解其工作過(guò)程,因此,在應(yīng)用上帶來(lái)困惑。在通常情況下,反向偏置的PN結(jié)中只有一個(gè)很小的電流。這個(gè)漏電流一直保持一個(gè)常數(shù),直到反向電壓超過(guò)某個(gè)特定的值,超過(guò)這個(gè)值之后PN結(jié)突然開(kāi)始有大電流導(dǎo)通(圖1)。這個(gè)突然的意義重大的反向?qū)?/font>就是反向擊穿,如果沒(méi)有一些外在的措施來(lái)限制電流的話,它可能導(dǎo)致器件的損壞。反向擊穿通
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]齊納二極管的使用知識(shí)[ 2019-12-04 11:11 ]
        齊納二極管(Zener diode),又叫穩(wěn)壓二極管,利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變,因此,常用來(lái)制成起穩(wěn)壓作用的二極管。很多初學(xué)者常常不能從根本上很好地理解其工作過(guò)程,因此,在應(yīng)用上帶來(lái)困惑。在通常情況下,反向偏置的PN結(jié)中只有一個(gè)很小的電流。這個(gè)漏電流一直保持一個(gè)常數(shù),直到反向電壓超過(guò)某個(gè)特定的值,超過(guò)這個(gè)值之后PN結(jié)突然開(kāi)始有大電流導(dǎo)通(圖1)。這個(gè)突然的意義重大的反向?qū)?/font>就是反向擊穿,如果沒(méi)有一些外在的措施來(lái)限制電流的話,它可能導(dǎo)致器件的損壞。反向擊穿通常設(shè)置了固態(tài)器件的最大
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        地 址/Address

        工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
        電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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