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[常見問題解答]LLC變壓器設計中的四個關鍵挑戰與應對策略[ 2025-04-14 11:26 ]

LLC變壓器是一種基于諧振式拓撲結構的電源變壓器，因其零電壓開關和較低的開關損耗，常被用于大功率、高效率的電源設計中。然而，在實際應用中，LLC變壓器的設計并非總是順利，設計師往往會遇到一些關鍵挑戰。1. 空載電壓問題：如何避免輸出電壓偏高在LLC變壓器設計中，空載電壓偏高是一個常見問題。特別是在輕載時，寄生電容和漏感的影響會導致變壓器的輸出電壓高于設計值。其主要原因在于，當繞組匝數過多時，繞組之間的寄生電容與漏感產生相互作用，形成寄生振蕩，這種振蕩會在輕負載下顯得尤為明顯，導致輸出電壓升高。為了應對這一問題，可以

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[常見問題解答]寄生振蕩在熱插拔控制器中的成因與原理詳解[ 2024-10-30 15:51 ]

寄生振蕩問題是熱插拔控制器中相對復雜的現象，特別是在啟動和電壓或電流調節期間。在確保電路穩定性和使用N溝道應用（例如，可更換控制器、浪涌保護器、電子保險絲、MOSFET (NFET) 的理想二極管控制器）時，了解原因和原理非常重要。寄生振蕩通常會導致性能下降。電路的性能會下降，甚至影響整個系統的可靠性。本文詳細分析了寄生振蕩的原因和工作原理。一、什么是寄生振蕩寄生振蕩是一種不需要的高頻振蕩現象，通常由電路引起。它是由電路中無意形成的諧振路徑引起的。如果電路設計中寄生電感、電容和反饋路徑沒有得到適當控制，熱插拔控制器

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[常見問題解答]MOS管的GS電阻如何選取？避開常見誤區的指南[ 2024-10-28 15:53 ]

MOS管常用于電子電路中，GS電阻（柵源電阻）的選擇往往會影響電路的性能和穩定性，從而導致電路性能下降或器件逐漸損壞。下面詳細分析GS電阻選擇中最重要的一點，并為讀者提供在此過程中常見誤解的完整參考。GS電阻的主要作用是MOS管柵極（G）和源極（S）之間的電阻，保護MOS管免受靜電損壞。由于柵極MOS管對靜電敏感，會導致器件損壞，因此需要控制開關速度并抑制寄生振蕩。添加適當的直流電阻可以創建靜電放電路徑，減少高壓對設備的影響。電阻器的大小會影響電路的開關速度和整體穩定性。

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[常見問題解答]MOS場效應管柵極電阻在工業電源中的作用解析 - 壹芯微[ 2021-08-12 15:51 ]

場效應MOS管柵極電阻在工業電源中的五大作用 - 壹芯微一、起到分壓作用二、下拉電阻時會快速泄放柵極電荷將MOS管迅速截止三、防止柵極出現浪涌過壓(柵極上并聯的穩壓管也是為了防止過壓產生)四、全橋柵極電阻也是相同機理，快速泄放柵極電荷，將MOS管盡快的截止。防止避免柵極懸空，懸空的柵極MOS管將會導通，導致全橋柵極短路五、驅動管和柵極之間的電阻起到隔離、防止寄生振蕩的作用深圳市壹芯微科技專業研發制造各種直插、貼片二三極管，肖特基，TVS，快恢復，高效整流，場效應管(MOS管)，可控硅，三端穩壓管，橋堆等功率器件選型

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[常見問題解答]場效應MOS管的柵極電阻在工業電源中的作用解析- 壹芯微[ 2021-08-04 12:00 ]

場效應MOS管的柵極電阻在工業電源中幾大作用-壹芯微一、分壓的作用二、下拉電阻時盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止三、防止柵極出現浪涌過壓（柵極上并聯的穩壓管也是防止過壓產生）四、全橋柵極電阻也是同樣機理，盡快泄放柵極電荷，將MOS管盡快截止。避免柵極懸空，懸空的柵極MOS管將會導通，導致全橋短路五、驅動管和柵極之間的電阻起到隔離、防止寄生振蕩的作用深圳市壹芯微科技專業研發制造各種直插/貼片，肖特基，TVS，超快恢，高效整流，低壓降，穩壓管，場效應管(MOSFET)，可控硅，三端穩壓管，整流橋堆等選型產品，引進大量

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[常見問題解答]解析功率MOSFET并聯產生寄生振蕩的原因和解決方法[ 2020-09-01 16:09 ]

解析功率MOSFET并聯產生寄生振蕩的原因和解決方法功率mosfet功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。功率mosfet工作原理及其他詳解截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。導電：在柵源極間加正電壓UG

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[常見問題解答]功率MOSFET并聯時產生寄生振蕩的原因與解決方案[ 2019-11-23 12:04 ]

功率MOSFET并聯時產生寄生振蕩的原因與解決方案功率MOS管即功率MOSFET，具有熱漂移小，驅動電路簡單，驅動功率小，開關速度快，工作頻率高等優點。憑借出色的熱穩定性，將多個功率MOSFET并聯的方法可行而簡單，這對提高輸出電流非常有意義。事實上，MOSFET工作于高頻率開關狀態，任何電氣特性差異和電路雜散電感均可導致瞬時電壓峰值，以及并聯MOSFET之間的電流分配不平衡。這是非常有害的，因為電流不平衡可能導致功率損耗過大并損壞器件。并聯MOSFET（左）及寄生振蕩狀態的等效電路（右）并聯連接時，最重要的是避免

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