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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]移相全橋軟開(kāi)關(guān)技術(shù)比較：ZVS與ZVZCS優(yōu)劣全解析[ 2025-04-16 11:11 ]

在高效電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過(guò)程中，移相全橋結(jié)構(gòu)因其具備高可靠性與較低開(kāi)關(guān)損耗，在中大功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中被廣泛采用。而為了進(jìn)一步減少器件在開(kāi)關(guān)瞬間的應(yīng)力與損耗，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)成為重要優(yōu)化方向。目前常見(jiàn)的軟開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)形式主要包括ZVS（零電壓開(kāi)通）和ZVZCS（零電壓零電流開(kāi)關(guān)）兩種。一、ZVS在移相全橋中的實(shí)現(xiàn)與特點(diǎn)ZVS（Zero Voltage Switching）即開(kāi)關(guān)器件在關(guān)斷之后，其兩端電壓被完全釋放為零后再進(jìn)行開(kāi)通。該技術(shù)主要依賴電路中的寄生電容與變壓器漏感來(lái)完成能量的移除，從而降低硬開(kāi)通帶來(lái)的損耗。ZVS型

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]LLC變壓器設(shè)計(jì)中的四個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略[ 2025-04-14 11:26 ]

LLC變壓器是一種基于諧振式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電源變壓器，因其零電壓開(kāi)關(guān)和較低的開(kāi)關(guān)損耗，常被用于大功率、高效率的電源設(shè)計(jì)中。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，LLC變壓器的設(shè)計(jì)并非總是順利，設(shè)計(jì)師往往會(huì)遇到一些關(guān)鍵挑戰(zhàn)。1. 空載電壓?jiǎn)栴}：如何避免輸出電壓偏高在LLC變壓器設(shè)計(jì)中，空載電壓偏高是一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題。特別是在輕載時(shí)，寄生電容和漏感的影響會(huì)導(dǎo)致變壓器的輸出電壓高于設(shè)計(jì)值。其主要原因在于，當(dāng)繞組匝數(shù)過(guò)多時(shí)，繞組之間的寄生電容與漏感產(chǎn)生相互作用，形成寄生振蕩，這種振蕩會(huì)在輕負(fù)載下顯得尤為明顯，導(dǎo)致輸出電壓升高。為了應(yīng)對(duì)這一問(wèn)題，可以

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管米勒效應(yīng)詳解：原理、影響及抑制方法[ 2025-04-09 10:42 ]

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作為一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件，其特性和行為對(duì)電路的整體性能有著深遠(yuǎn)的影響。尤其是當(dāng)MOS管應(yīng)用于高頻電路時(shí)，米勒效應(yīng)對(duì)電路的表現(xiàn)尤為關(guān)鍵。一、米勒效應(yīng)的原理米勒效應(yīng)主要發(fā)生在具有增益的放大器中，尤其是在MOS管等場(chǎng)效應(yīng)管(FET)電路中。輸入和輸出端之間的電容耦合是米勒效應(yīng)的核心。輸入電容(Cgs)和反向電容(Cgd)是MOS管的兩種常見(jiàn)的寄生電容。這些電容在放大過(guò)程中對(duì)電路的表現(xiàn)產(chǎn)生了重大影響

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管熱管理結(jié)構(gòu)如何干擾或改善EMC表現(xiàn)[ 2025-04-08 12:27 ]

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，MOSFET器件以其高效率和快速開(kāi)關(guān)特性被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、驅(qū)動(dòng)控制和電源管理系統(tǒng)中。然而，在追求熱管理效果的同時(shí)，往往忽略了散熱結(jié)構(gòu)對(duì)EMC（電磁兼容性）性能所帶來(lái)的潛在影響。事實(shí)上，MOS管的熱管理設(shè)計(jì)不僅影響器件的工作溫度，還在很大程度上左右了整個(gè)系統(tǒng)的輻射和傳導(dǎo)干擾水平。一、熱管理結(jié)構(gòu)為何影響EMC表現(xiàn)散熱系統(tǒng)本質(zhì)上是與MOSFET物理連接的金屬體，其存在不可避免地會(huì)引入寄生電容結(jié)構(gòu)。當(dāng)MOS管處于高頻率快速切換時(shí)，這些金屬結(jié)構(gòu)便成為耦合路徑的一部分。特別是在浮置狀態(tài)下的散熱片，很容易成

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何提升BJT在高頻應(yīng)用中的效率與穩(wěn)定性[ 2025-01-07 11:10 ]

提高BJT在高頻應(yīng)用中的效率與穩(wěn)定性是電子技術(shù)中的一項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)。雙極晶體管（BJT）因其優(yōu)異的電流放大特性而廣泛應(yīng)用于許多電子電路中。BJT的性能直接影響電路的表現(xiàn)，尤其在高頻應(yīng)用中尤為顯著。隨著低功耗和高穩(wěn)定性需求的增長(zhǎng)，提高BJT在高頻條件下的效率和穩(wěn)定性變得尤為重要。本文將詳細(xì)探討B(tài)JT在高頻工作條件下的特性，并提出一系列優(yōu)化策略來(lái)提升其在高頻應(yīng)用中的性能。一、BJT在高頻應(yīng)用中的挑戰(zhàn)在高頻應(yīng)用中，BJT的性能常受到寄生電容、寄生電感和BJT本身開(kāi)關(guān)速度等多種因素的限制。這些因素與其物理結(jié)構(gòu)以及電路環(huán)境密切相

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]離子注入技術(shù)中的暈環(huán)現(xiàn)象：影響因素與控制策略[ 2025-01-06 12:28 ]

離子注入技術(shù)是影響集成電路性能的重要工藝之一，特別是在MOSFET器件的特征尺寸不斷縮小的背景下，離子注入技術(shù)變得越來(lái)越精確和可控。在離子注入過(guò)程中，光暈現(xiàn)象是一種顯著的物理效應(yīng)，它直接影響半導(dǎo)體器件的性能。本文詳細(xì)介紹了暈圈現(xiàn)象的產(chǎn)生原因、影響因素以及控制策略，旨在幫助理解暈圈現(xiàn)象在離子注入中的作用。一、暈圈現(xiàn)象的基本概述光暈效應(yīng)通常指在離子注入過(guò)程中，離子束的不均勻分布導(dǎo)致注入?yún)^(qū)域邊緣形成濃度過(guò)渡區(qū)。光暈效應(yīng)與離子束的擴(kuò)散和散射密切相關(guān)，尤其在半導(dǎo)體器件的制造中，它會(huì)引起閾值電壓的變化和寄生電容的增加，從而影響

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]過(guò)孔寄生效應(yīng)對(duì)PCB電路板信號(hào)完整性的影響分析[ 2024-12-03 12:00 ]

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，印刷電路板是負(fù)責(zé)復(fù)雜電路和信號(hào)傳輸?shù)暮诵牟考弧ｋS著電路頻率不斷提高，PCB設(shè)計(jì)和布線要求越來(lái)越高，過(guò)孔數(shù)量已成為影響電路板信號(hào)完整性的關(guān)鍵因素之一。寄生電容、寄生電感等寄生效應(yīng)會(huì)對(duì)信號(hào)傳輸質(zhì)量產(chǎn)生重大影響，進(jìn)而影響PCB的整體性能和可靠性。本文詳細(xì)分析了寄生過(guò)孔對(duì)PCB信號(hào)完整性的影響，并介紹了如何優(yōu)化過(guò)孔設(shè)計(jì)以減少這些對(duì)PCB的影響。一、過(guò)孔的基本作用電路板中連接各個(gè)層的導(dǎo)電通道，通常由銅制成，用于傳輸電信號(hào)或電力。在理想的PCB設(shè)計(jì)中，過(guò)孔應(yīng)該是透明的，雖然它們不會(huì)對(duì)傳輸造成任何干擾，但過(guò)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]深入解析：MOS管寄生參數(shù)如何影響電路性能[ 2024-10-11 16:24 ]

MOS管在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中起著至關(guān)重要的作用。無(wú)論是在電源管理、放大器設(shè)計(jì)還是高頻應(yīng)用中，MOS管不僅受到其基本電學(xué)特性的影響，還受到寄生參數(shù)的影響。這些寄生參數(shù)與MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、制造工藝以及電路布局密切相關(guān)，并對(duì)MOS管的性能、速度、增益和功耗產(chǎn)生重大影響。本文將詳細(xì)分析MOS管中的寄生參數(shù)類型及其對(duì)電路性能的影響，并討論如何減輕這些影響。一、寄生參數(shù)是指在實(shí)際應(yīng)用中不可避免的附加參數(shù)。它們主要包括寄生電容、寄生電感和源極/漏極電感。具體的寄生參數(shù)如下：- 寄生電容：包括柵漏電容（Cgd）、柵源電容（Cgs）和

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管尖峰電壓：成因、影響與防護(hù)措施分析[ 2024-10-10 11:52 ]

MOS管因其高效的開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻而被廣泛用作開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的核心器件。然而，在高頻、大電流的工作環(huán)境下，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)峰值電壓，這不僅影響系統(tǒng)穩(wěn)定性，還會(huì)造成設(shè)備損壞。本文詳細(xì)分析了MOS管出現(xiàn)峰值電壓的原因、對(duì)電路的影響以及常見(jiàn)的保護(hù)措施。一、MOS管中產(chǎn)生峰值電壓的原因主要與電路中的寄生參數(shù)和開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電氣特性有關(guān)。1. 寄生電容的影響MOS管工作時(shí)，存在內(nèi)部寄生電容，例如柵源電容（Cgs）和漏源電容（Cds）。這些寄生電容在MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程中進(jìn)行充電和放電。特別是當(dāng)MOS管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂範(fàn)?/dd>

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]SiC器件開(kāi)關(guān)性能受系統(tǒng)寄生參數(shù)影響的深入探討[ 2024-09-04 14:36 ]

隨著碳化硅（SiC）技術(shù)的不斷成熟和推廣，其在高壓電力電子設(shè)備中的應(yīng)用日益增加。SiC器件因其能在高溫、高壓和高頻率條件下工作而受到青睞。然而，系統(tǒng)內(nèi)部的寄生參數(shù)，如寄生電容和寄生電感，對(duì)SiC器件的開(kāi)關(guān)性能有著顯著影響。本文通過(guò)詳細(xì)分析，探討這些系統(tǒng)寄生參數(shù)是如何影響SiC器件的性能，尤其是在開(kāi)關(guān)操作中的具體表現(xiàn)。一、寄生電感的影響在電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，寄生電感主要來(lái)源于電連接和布線。在SiC MOSFETs和二極管開(kāi)關(guān)時(shí)，寄生電感可以引起顯著的電壓超調(diào)，從而對(duì)器件造成額外的電壓應(yīng)力。當(dāng)開(kāi)關(guān)器件嘗試快速切換時(shí)，這

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]從理論到實(shí)踐：如何有效識(shí)別并減少ADC采樣開(kāi)關(guān)的誤差[ 2024-07-31 14:31 ]

一、柵壓自舉電路：增強(qiáng)采樣開(kāi)關(guān)性能為了提升導(dǎo)通電阻的線性度并降低由采樣開(kāi)關(guān)引起的諧波，采用了柵壓自舉電路設(shè)計(jì)。此電路理論上能夠使柵壓獨(dú)立于輸入信號(hào)，保持一個(gè)穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻。在電路的運(yùn)作中，特定的MOS管組合在時(shí)鐘信號(hào)的不同階段進(jìn)行預(yù)充電和輸出調(diào)節(jié)，以適應(yīng)輸出需求。這種設(shè)計(jì)雖然可以優(yōu)化性能，但需要在寄生電容影響和采樣速度之間做出權(quán)衡。二、ADC采樣的基本原理與挑戰(zhàn)在數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換的過(guò)程中，ADC的核心任務(wù)是將連續(xù)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為離散的數(shù)字信號(hào)。這一過(guò)程中必須精確定義采樣參數(shù)，如采樣率或采樣頻率，以確保信號(hào)的連續(xù)性和完整

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]提高 DC/DC 開(kāi)關(guān)電源電磁兼容性的五個(gè)關(guān)鍵步驟[ 2024-05-14 10:12 ]

DC/DC開(kāi)關(guān)電源中的電磁兼容性設(shè)計(jì)策略DC/DC開(kāi)關(guān)電源以其高效、體積小等優(yōu)勢(shì)在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中占據(jù)重要地位。然而，由于開(kāi)關(guān)型器件的快速電壓和電流變化，電磁兼容性測(cè)試常遇到問(wèn)題，影響開(kāi)發(fā)周期和產(chǎn)品上市時(shí)間，特別是在復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中。一、噪聲源的分析與處理DC/DC開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容問(wèn)題首要在于噪聲源的分析。開(kāi)關(guān)電源中，開(kāi)關(guān)頻率及其諧波是主要干擾源。此外，30 MHz至400 MHz的寬帶干擾頻譜常見(jiàn)于暗室測(cè)量，這是由于MOSFET輸出電容CDS、結(jié)電容和肖特基二極管的寄生電容及導(dǎo)體走線的寄生電感共同引起的高頻LC振

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]開(kāi)關(guān)電源RCD鉗位電路的工作原理解析[ 2024-01-24 18:19 ]

開(kāi)關(guān)電源RCD鉗位電路的工作原理解析一、RCD鉗位電路反激式開(kāi)關(guān)電源的RCD鉗位電路由電阻R1、電容C1和二極管D1組成，如下圖，其中：Lk為變壓器的漏感，Lp為變壓器原邊繞組電感、Cds為Q1的寄生電容、T1為變壓器、Q1是開(kāi)關(guān)管、D2是輸出整流二極管，E1是輸出濾波電容。變壓器漏感Lk與原邊電感Lp串聯(lián)，原邊電感Lp與變壓器T1并聯(lián)。原邊電感Lp的能量可通過(guò)理想變壓器T1耦合至副邊，給后端負(fù)載提供能量。但變壓器漏感Lk的能量無(wú)法耦合至副邊，只能通過(guò)寄生電容釋放能量，引起的尖峰電壓，可以通過(guò)電阻R1吸收回路吸收能

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和特性介紹[ 2023-08-21 16:47 ]

SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和特性介紹SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間，N區(qū)夾在兩個(gè)P區(qū)域之間，當(dāng)電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過(guò)時(shí)，將產(chǎn)生JFET效應(yīng)，從而增加通態(tài)電阻；同時(shí)，這種結(jié)構(gòu)的寄生電容也較大。圖1：平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)溝槽SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖2所示。這種結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中，形成垂直的溝道，由于要開(kāi)溝槽，工藝變

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)管漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌介紹[ 2023-08-07 15:59 ]

場(chǎng)效應(yīng)管漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌介紹開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)說(shuō)明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式結(jié)構(gòu)，在High Side（以下簡(jiǎn)稱HS）和Low Side（以下簡(jiǎn)稱LS）之間連接了一個(gè)開(kāi)關(guān)器件，該圖是LS導(dǎo)通，電路中存在開(kāi)關(guān)電流IMAIN的情形。通常，該IMAIN從VSW流入，通過(guò)線路電感LMAIN流動(dòng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)管G極與S極之間的電阻作用解析[ 2023-07-22 16:34 ]

場(chǎng)效應(yīng)管G極與S極之間的電阻作用解析MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)之理想與現(xiàn)實(shí)理想的MOS管驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)是方波，當(dāng)Cgs達(dá)到門(mén)檻電壓之后， MOS管就會(huì)進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實(shí)際上在MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，會(huì)存在一個(gè)米勒平臺(tái)。米勒平臺(tái)實(shí)際上就

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]PFC場(chǎng)效應(yīng)管Vds檢測(cè)解析[ 2023-06-29 18:17 ]

PFC場(chǎng)效應(yīng)管Vds檢測(cè)解析1.電感電流負(fù)1A檢測(cè)2.PFCMOS管Vds檢測(cè)通過(guò)調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過(guò)零，以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷，消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過(guò)零后，PFC電感與MOSFET寄生電容諧振，使Vds過(guò)零以實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)通，不過(guò)零則谷底開(kāi)通，降低開(kāi)關(guān)損耗。3. 不檢測(cè)，DSP直接計(jì)算壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)、橋堆”研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，21年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擁有先進(jìn)全自動(dòng)化雙軌封裝生產(chǎn)線、高速檢測(cè)設(shè)備等，研發(fā)技術(shù)、芯片源自臺(tái)灣，專業(yè)生

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]有橋交錯(cuò)PFC拓?fù)浣榻B[ 2023-06-29 17:05 ]

有橋交錯(cuò)PFC拓?fù)浣榻B有橋交錯(cuò)PFC拓?fù)溆袠蚪诲e(cuò)PFC之錯(cuò)相通過(guò)調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過(guò)零，以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷，消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過(guò)零后，PFC電感與MOSFET寄生電容諧振，使Vds過(guò)零以實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)通，不過(guò)零則谷底開(kāi)通，降低開(kāi)關(guān)損耗。兩相TM交錯(cuò)180deg后可大幅減小輸入高頻紋波。該拓?fù)涮攸c(diǎn)總結(jié)如下：(1)存在低頻整流二極管的導(dǎo)通損耗; 并聯(lián)兩個(gè)整流橋,解決散熱問(wèn)題。(2)其零電流關(guān)斷特性消除了升壓二極管的反向恢復(fù)損耗; 可以采用便宜的快恢復(fù)二極管。(3)使用TM控

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[行業(yè)資訊]MOS管G極與S極之間的電阻作用解析[ 2023-06-08 17:29 ]

MOS管G極與S極之間的電阻作用解析MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)之理想與現(xiàn)實(shí)理想的MOS管驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)是方波，當(dāng)Cgs達(dá)到門(mén)檻電壓之后， MOS管就會(huì)進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實(shí)際上在MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，會(huì)存在一個(gè)米勒平臺(tái)。米勒平臺(tái)實(shí)際上就

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]傳導(dǎo)EMI的問(wèn)題如何避免介紹[ 2023-05-30 12:02 ]

傳導(dǎo)EMI問(wèn)題如何避免介紹大多數(shù)傳導(dǎo) EMI 問(wèn)題是由共模噪聲引起的。此外，大多數(shù)共模噪聲問(wèn)題是由電源中的寄生電容引起的。開(kāi)關(guān)電源本質(zhì)上具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。將寄生電容與高 dV/dt 混合會(huì)產(chǎn)生 EMI 問(wèn)題。當(dāng)寄生電容的另一端連接到電源的輸入端時(shí)，少量電流會(huì)直接泵入電源線。兩個(gè)導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體的表面積成正比，與它們之間的距離成反比。查看電路中的每個(gè)節(jié)點(diǎn)，并密切注意具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。考慮一下布局中該節(jié)點(diǎn)上有多少表面積以及從輸入線到電路板的距離。開(kāi)關(guān)MOSFET和緩沖電路的漏極是常見(jiàn)的罪犯。盡

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