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        [常見問題解答]MOSFET柵極與源極為何需并聯穩壓二極管？深度解析其重要性與作用[
                                        2024-11-23 11:46
                                        ]
        
                                
        
                                    在設計電子電路時，MOSFET的柵極和源極之間是否需要并聯齊納二極管常常是硬件工程師面臨的問題。這種設計雖然看似簡單，但在某些場景下對電路的可靠性至關重要。魯棒性和穩定性非常重要。本文解釋了并聯MOSFET柵極和源極齊納二極管的必要性和基本原理，以幫助讀者更好地理解這項重要技術。一、MOSFET柵極與源極之間的氧化層MOSFET的柵極和源極之間有一層非常薄的氧化層，用于控制隔離電壓和主電流路徑。盡管該氧化層具有優異的絕緣性能，但其通常具有有限的耐電壓性。如果柵源之間的電壓超過額定值（即數據表中的Vgss），氧化層可
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/mosfetzjyy_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]如何優化并聯功率MOSFET性能：設計要點與常見誤區[
                                        2024-10-25 15:25
                                        ]
        
                                
        
                                    在設計高性能電路時，使用并聯功率MOSFET是增加電流能力和優化電源管理的重要途徑。然而，如果不解決并聯MOSFET性能優化問題，可能會導致設計中出現電流不平衡和溫度控制等問題。本文詳細介紹了并聯功率MOSFET設計中的要點和常見誤解，幫助您更好地了解如何優化并聯功率MOSFET。一、并聯功率MOSFET的應用背景在電力電子領域，并聯功率MOSFET用于控制大電流負載并降低單個器件的功耗，特別是在需要通過連接多個器件進行高效功率處理的應用場景中。這種方法廣泛用于減少損耗。并聯設備所需的MOSFET可以有效地分散每個
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/rhyhblglmo_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]功率MOSFET并聯時產生寄生振蕩的原因與解決方案[
                                        2019-11-23 12:04
                                        ]
        
                                
        
                                    功率MOSFET并聯時產生寄生振蕩的原因與解決方案功率MOS管即功率MOSFET，具有熱漂移小，驅動電路簡單，驅動功率小，開關速度快，工作頻率高等優點。憑借出色的熱穩定性，將多個功率MOSFET并聯的方法可行而簡單，這對提高輸出電流非常有意義。事實上，MOSFET工作于高頻率開關狀態，任何電氣特性差異和電路雜散電感均可導致瞬時電壓峰值，以及并聯MOSFET之間的電流分配不平衡。這是非常有害的，因為電流不平衡可能導致功率損耗過大并損壞器件。并聯MOSFET（左）及寄生振蕩狀態的等效電路（右）并聯連接時，最重要的是避免
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/glmosfetbl_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
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