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[常見問題解答]多晶硅作為柵極材料的優(yōu)勢與應(yīng)用前景[ 2025-02-15 10:45 ]: 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，柵極材料的選擇對于晶體管性能和集成電路的穩(wěn)定性至關(guān)重要。隨著技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的鋁柵逐步被多晶硅柵取代，尤其是在高性能的MOSFET（氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和其他集成電路中。多晶硅作為柵極材料的應(yīng)用，已經(jīng)成為現(xiàn)代半導(dǎo)體器件制造中的重要組成部分。一、多晶硅柵極的優(yōu)勢1. 優(yōu)良的電氣性能多晶硅作為柵極材料，具有顯著的電氣性能優(yōu)勢。相比傳統(tǒng)的鋁柵，多晶硅在高電壓工作條件下能夠提供更低的漏電流和更強(qiáng)的電流控制能力。這是因?yàn)槎嗑Ч璨牧系碾妼?dǎo)率較低，能有效地抑制柵極漏電流，尤其是在微米級甚至納米級工藝中，表; http://m.kannic.com/Article/djgzwzjcld_1.html

[常見問題解答]MOS管泄漏電流的類型解析及產(chǎn)生原因剖析[ 2024-10-11 14:47 ]: MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是現(xiàn)代電子電路必不可少的元件，應(yīng)用廣泛。然而，它被用于現(xiàn)代電子學(xué)中的各種模擬和數(shù)字電路設(shè)計。然而，這種小電流會對電路性能產(chǎn)生負(fù)面影響，并且可能是低功耗系統(tǒng)中的一個主要問題。本文詳細(xì)分析了不同類型MOS管漏電流及其產(chǎn)生的原因，以便工程師更好地了解和處理這個問題。1、MOS管漏電流的主要類型可分為以下幾種，每種類型都有不同的成因和特點(diǎn)。1. 柵極漏電流（Ig）柵極漏電流是指通過柵極的漏電流。當(dāng)向柵極施加高電場時，通常會發(fā)生氧化層電流滲透到襯底中。隨著半導(dǎo)體技術(shù)向更小的工藝節(jié)點(diǎn)發(fā)展; http://m.kannic.com/Article/mosgxldldl_1.html

[常見問題解答]MOSFET基本結(jié)構(gòu)知識[ 2019-09-17 11:12 ]: 由于在柵極與半導(dǎo)體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系，MOS管器件的輸入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的應(yīng)用相當(dāng)引人注目，因?yàn)楦咻斎胱杩沟年P(guān)系，柵極漏電流非常低，因此功率MOSFET不必像使用雙極型功率器件一樣，需要復(fù)雜的輸入驅(qū)動電路．此外，功率MOSFET的開關(guān)速度也比功率雙極型器件快很多，這是因?yàn)樵陉P(guān)閉的過程中，MOS的單一載流子工作特性并不會有少數(shù)載流子儲存或復(fù)合的問題，圖6.43為三個基本的功率MOSFET結(jié)構(gòu)．與ULSI電路中的MOSFET器件不同的是，功率MOSFET采用源極與漏極分別在晶片上方與下; http://m.kannic.com/Article/mosfetjbjg_1.html

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