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        [常見問題解答]如何提升關斷速度？深入解讀驅動電路的加速關斷原理[
                                        2024-10-28 14:20
                                        ]
        
                                
        
                                    在高頻電路設計中，提高MOSFET、IGBT等功率器件的關斷速度對于提升電路效率至關重要。快速關斷可以降低功耗，縮短響應時間。以下介紹關斷驅動電路的原理、常用方法和重要設計要點。一、加速關斷驅動電路核心原理關斷時，必須快速放電柵極電荷，使關斷時間盡可能短。MOSFET等功率器件的柵極和源極之間通常存在電容，該電容直接影響充電放電速率。加速關斷電路設計的關鍵點在于快速降低柵源極之間的柵源電壓，通過連接到電源來實現電容器的快速放電過程。典型的加速關斷電路通過將二極管和電阻器與柵極驅動電阻器并聯，以加速電容器放電。二極管
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/rhtsgdsdsr_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET知識-關于MOSFET驅動電阻的選擇,詳情解析[
                                        2020-11-16 16:10
                                        ]
        
                                
        
                                    MOSFET知識-關于MOSFET驅動電阻的選擇,詳情解析關于MOSFET驅動電阻的選擇等效驅動電路：L為PCB走線電感，根據他人經驗其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg為柵極驅動電阻，設驅動信號為12V峰值的方波。Cgs為MOSFET柵源極電容，不同的管子及不同的驅動電壓時會不一樣，這兒取1nF。VL+VRg+VCgs=12V根據走線長度可以得到Rg最小取值范圍。 分別考慮20m長m和70mm長的走線： L20=30nH，L70=80nH，
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/mosfetzsgy_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管柵極驅動電阻怎么設計[
                                        2019-12-05 12:17
                                        ]
        
                                
        
                                    MOS管柵極驅動電阻怎么設計MOS管的驅動對其工作效果起著決定性的作用。設計師既要考慮減少開關損耗，又要求驅動波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個平衡點，即驅動電路的優化設計。驅動電路的優化設計包含兩部分內容：一是最優的驅動電流、電壓的波形；二是最優的驅動電壓、電流的大小。在進行驅動電路優化設計之前，必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開關過程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數對驅動的影響。MOS管的模型MOS管的等效電路模型及寄生參數如圖
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/mosgzjqddz_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
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