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        [常見問(wèn)題解答]MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)的幾種效應(yīng)解析 - 壹芯微[
                                        2021-09-18 14:20
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                                    MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)的幾種效應(yīng)解析 - 壹芯微（1）溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)（channel length modulation） MOS晶體管中,柵下溝道預(yù)夾斷后、若繼續(xù)增大Vds，夾斷點(diǎn)會(huì)略向源極方向移動(dòng)。導(dǎo)致夾斷點(diǎn)到源極之間的溝道長(zhǎng)度略有減小，有效溝道電阻也就略有減小，從而使更多電子自源極漂移到夾斷點(diǎn)，導(dǎo)致在耗盡區(qū)漂移電子增多,使Id增大，這種效應(yīng)稱為溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)（2）漏極導(dǎo)致勢(shì)壘下降（drain induced barrier lowering） 當(dāng)在MOS管的漏極加電壓時(shí)，漏極和襯底構(gòu)成的pn結(jié)，漏極一側(cè)會(huì)出
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/mosgcxygdj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)管放大電路圖解[
                                        2021-04-17 09:29
                                        ]
        
                                
        
                                    場(chǎng)效應(yīng)管放大電路圖解金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型MOSFET柵源加電壓，在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生溝道。產(chǎn)生溝道的門限開啟電壓VT。漏源加電壓，產(chǎn)生電壓梯度，導(dǎo)致溝道夾斷。預(yù)夾斷的臨界條件輸出特性特性方程可變電阻區(qū)飽和區(qū)N溝道耗盡型MOSFET柵源加負(fù)電壓，在電場(chǎng)作用下溝道減小。耗盡溝道的夾斷電壓VP。輸出特性P溝道MOSFET溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)理想情況下，MOSFET工作在飽和區(qū)時(shí)，漏極電流與漏源電壓無(wú)關(guān)。而實(shí)際上，漏源電壓對(duì)溝道長(zhǎng)度L的調(diào)制作用，漏源電壓增加時(shí)，漏極電流會(huì)有所增加。因此，輸出特性公式需
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/cxygfddltj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問(wèn)題解答]MOS管二級(jí)效應(yīng)-背柵效應(yīng)-溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值效應(yīng)解析[
                                        2019-06-01 15:57
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                                    壹芯微作為國(guó)內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)二三極管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進(jìn)口的測(cè)試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問(wèn)題,每天會(huì)分享一些知識(shí)或者客戶的一些問(wèn)題,今天我們分享的是,MOS管二級(jí)效應(yīng)-背柵效應(yīng)-溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值效應(yīng)解析,請(qǐng)看下方mos管場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/mosgejxybz_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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