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        [常見問題解答]mos管功耗-mos管功耗計算方法和MOS驅(qū)動基礎(chǔ)[ 2020-09-09 14:45 ]
        mos管功耗-mos管功耗計算方法和MOS驅(qū)動基礎(chǔ)MOS管功耗,要確定一個MOSFET場效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用,需要對其功率耗散進行計算。耗散主要包括阻抗耗散和開關(guān)耗散:PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHINGmos管功耗-低功耗趨勢封裝的小型化使封裝的熱阻降低,功率耗散才能進步,相同電壓電流規(guī)格或者功率規(guī)格的產(chǎn)品,個頭小的,功率耗散才能更高,這似乎與我們的生活常識有些相悖,但是事實確實如此。VMOS的通態(tài)功耗,業(yè)界習(xí)氣于用飽和導(dǎo)通電阻RDS(ON)來權(quán)衡,這是不太客觀的,由于
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