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[常見問題解答]探索碳化硅SiC材料的多領(lǐng)域應(yīng)用及其獨特優(yōu)勢[ 2024-11-28 11:25 ]: 碳化硅（SiC）作為半導體材料在許多技術(shù)領(lǐng)域顯示出巨大的潛力。其獨特的性能使SiC材料成為許多要求苛刻的應(yīng)用的首選材料，特別是在高溫、高壓、高頻和高功率下，它們可以提供比傳統(tǒng)半導體材料更好的解決方案。在本文中，我們將詳細了解碳化硅在各個領(lǐng)域的應(yīng)用，并分析其不可替代的優(yōu)勢。一、半導體領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用碳化硅在半導體行業(yè)中的使用導致更高的電擊穿面積、更高的熱穩(wěn)定性、更高的電子飽和度，以及肖特基二極管、MOSFET、JFET等廣泛應(yīng)用于電動汽車、太陽能逆變器、功率轉(zhuǎn)換器以及電動汽車用高鐵牽引驅(qū)動系統(tǒng)。在電動汽車領(lǐng)域，采用Si; http://m.kannic.com/Article/tsthgsiccl_1.html

[常見問題解答]碳化硅SiC在極端高溫條件下的可靠性分析[ 2024-11-28 11:17 ]: 碳化硅（SiC）這種新型半導體材料因其在超高溫環(huán)境下的性能逐漸受到關(guān)注。與傳統(tǒng)硅材料相比，SiC具有熔點高、強度高、抗氧化性好等諸多優(yōu)異性能，提供了在極端條件下可靠穩(wěn)定的優(yōu)勢。本文對碳化硅SiC在高溫環(huán)境下的可靠性進行了各個方面的調(diào)查和分析。一、優(yōu)點及應(yīng)用前景1. 高溫穩(wěn)定性及結(jié)構(gòu)保存碳化硅的熔點約為2700℃，要高得多。傳統(tǒng)硅半導體材料（約1414°C）。SiC的熔點較高，因此可以在高溫下使用。在環(huán)境中保持良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性可以避免由于材料熔化或軟化而導致性能下降。因此，在航空航天、冶金、電力電子等領(lǐng)域，S; http://m.kannic.com/Article/thgsiczjdg_1.html

[常見問題解答]碳化硅SiC技術(shù)如何推動電動車性能突破[ 2024-11-27 14:45 ]: 碳化硅SiC技術(shù)是近年來推動電動汽車性能全面提升的核心技術(shù)之一。碳化硅作為新一代半導體材料的優(yōu)異物理性能使得關(guān)鍵電動汽車系統(tǒng)的性能得到顯著提升。本文介紹了碳化硅技術(shù)如何通過比傳統(tǒng)硅材料在更高的開關(guān)頻率下產(chǎn)生更大的能量損失來促進電動汽車性能的進步。然而碳化硅可以有效降低這種損耗，提高整體效率。一、電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的提升電動汽車的作用是將電池的直流電轉(zhuǎn)換成交流電來驅(qū)動電機。通過使用碳化硅，逆變器的開關(guān)頻率顯著提高，減少了系統(tǒng)中的能量損耗，從而延長了車輛的續(xù)航里程。體積減小的碳化硅器件具有更高的介電強度和導熱率，使其能夠; http://m.kannic.com/Article/thgsicjsrh_1.html

[行業(yè)資訊]SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢[ 2019-09-06 18:23 ]: 什么是碳化硅二極管通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管，但是最近比較熱門的碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)點：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點：正向?qū)▔航当容^大。還有一點與硅二極管不同的是其導通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管，還有可承受沖擊電流小，可靠性不高等缺點。但是目前已有很大改善。碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導體材料，其擊穿場強是硅的10倍，熱導率是硅的2.5倍。用碳化硅; http://m.kannic.com/Article/sicthgsice_1.html

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