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[常見問題解答]反激準(zhǔn)諧振電路的工作特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)分析[ 2025-04-23 11:19 ]

反激準(zhǔn)諧振電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的電路，尤其在開關(guān)電源、逆變器和變頻器等設(shè)備中具有重要的地位。憑借其高效、緊湊的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電磁兼容性，反激準(zhǔn)諧振電路在現(xiàn)代電子技術(shù)中得到了廣泛的應(yīng)用。一、工作特點(diǎn)反激準(zhǔn)諧振電路的基本工作原理是基于反激式轉(zhuǎn)換器原理，并結(jié)合了準(zhǔn)諧振的特性，使得電路在操作過程中能夠減少開關(guān)管的損耗，提升整體效率。以下是該電路的主要工作特點(diǎn)：1. 高效的能量轉(zhuǎn)換在反激準(zhǔn)諧振電路中，開關(guān)管的開關(guān)頻率和關(guān)斷時(shí)的同步調(diào)節(jié)能夠有效降低開關(guān)損耗。當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，通過控制初級(jí)與次級(jí)電流的同步，使得變壓器磁芯

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[常見問題解答]MOS管熱管理結(jié)構(gòu)如何干擾或改善EMC表現(xiàn)[ 2025-04-08 12:27 ]

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，MOSFET器件以其高效率和快速開關(guān)特性被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、驅(qū)動(dòng)控制和電源管理系統(tǒng)中。然而，在追求熱管理效果的同時(shí)，往往忽略了散熱結(jié)構(gòu)對(duì)EMC（電磁兼容性）性能所帶來的潛在影響。事實(shí)上，MOS管的熱管理設(shè)計(jì)不僅影響器件的工作溫度，還在很大程度上左右了整個(gè)系統(tǒng)的輻射和傳導(dǎo)干擾水平。一、熱管理結(jié)構(gòu)為何影響EMC表現(xiàn)散熱系統(tǒng)本質(zhì)上是與MOSFET物理連接的金屬體，其存在不可避免地會(huì)引入寄生電容結(jié)構(gòu)。當(dāng)MOS管處于高頻率快速切換時(shí)，這些金屬結(jié)構(gòu)便成為耦合路徑的一部分。特別是在浮置狀態(tài)下的散熱片，很容易成

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[常見問題解答]從實(shí)戰(zhàn)出發(fā)：DC-DC電感參數(shù)選擇全解析[ 2025-03-28 11:33 ]

在DC-DC電源設(shè)計(jì)中，電感作為關(guān)鍵儲(chǔ)能元件，其選型直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性與電磁兼容性能。盡管許多應(yīng)用中我們可以參考芯片手冊(cè)推薦的參數(shù)，但真正落地到復(fù)雜或特殊應(yīng)用場(chǎng)景時(shí)，設(shè)計(jì)人員往往需要深入理解電感的各項(xiàng)指標(biāo)及其計(jì)算方式，才能確保轉(zhuǎn)換器穩(wěn)定運(yùn)行。一、電感在DC-DC轉(zhuǎn)換器中的作用以降壓型（Buck）DC-DC為例，電感L位于開關(guān)管和輸出之間，其核心作用是通過儲(chǔ)存和釋放能量，平滑輸出電流，并實(shí)現(xiàn)能量的連續(xù)轉(zhuǎn)移。在開關(guān)器件導(dǎo)通階段，輸入電壓通過電感為負(fù)載和輸出電容供能；而在開關(guān)器件關(guān)斷后，電感會(huì)將前一周期儲(chǔ)存的

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[常見問題解答]提升開關(guān)電源電磁兼容性的關(guān)鍵策略解析[ 2025-03-25 15:24 ]

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，開關(guān)電源以其高效率、小體積和良好的穩(wěn)壓特性被廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、工業(yè)控制、醫(yī)療儀器及消費(fèi)類電子產(chǎn)品。然而，頻繁的開關(guān)操作不可避免地引入了電磁干擾（EMI），這不僅影響設(shè)備本身的性能穩(wěn)定性，還可能對(duì)周邊系統(tǒng)產(chǎn)生干擾。因此，提高開關(guān)電源的電磁兼容性（EMC）成為電子工程設(shè)計(jì)中的重點(diǎn)課題。一、電磁干擾的來源剖析開關(guān)電源的基本方法是通過高頻開關(guān)器件周期性導(dǎo)通和關(guān)斷來轉(zhuǎn)換直流電壓為高頻脈沖。然后，它通過變壓器耦合，以輸出目標(biāo)直流電壓。在整個(gè)過程中，會(huì)產(chǎn)生大量的尖峰電壓和高頻噪聲。常見的干擾源包括：1. 開關(guān)

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[常見問題解答]MOS管在開關(guān)電源中的關(guān)鍵作用與工作原理解析[ 2025-03-17 11:13 ]

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，開關(guān)電源憑借高效的能量轉(zhuǎn)換和小型化優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電信系統(tǒng)、工業(yè)控制及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。其中，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是關(guān)鍵元件之一，它決定了電源的開關(guān)速度、能量損耗以及散熱性能，同時(shí)在電磁兼容性方面也起著重要作用。合理選擇和優(yōu)化MOSFET的應(yīng)用，對(duì)于提升電源系統(tǒng)的整體性能至關(guān)重要。一、MOS管在開關(guān)電源中的核心作用1. 高速開關(guān)控制，實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換在開關(guān)電源中，MOS管主要用于高速電子開關(guān)，其核心功能是通過柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的控制，在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通與關(guān)斷，從而實(shí)現(xiàn)直流-

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[常見問題解答]二極管陣列如何提升CAN總線的電磁兼容性與抗干擾能力[ 2025-03-17 10:44 ]

在現(xiàn)代汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化及智能制造系統(tǒng)中，CAN總線（Controller Area Network）因其高效的數(shù)據(jù)通信能力，被廣泛用于多個(gè)電子控制單元（ECU）之間的信息傳輸。然而，由于CAN總線往往工作在復(fù)雜的電磁環(huán)境下，外部電磁干擾（EMI）和瞬態(tài)電壓（如浪涌、靜電放電等）可能會(huì)對(duì)其通信質(zhì)量和穩(wěn)定性造成嚴(yán)重影響。因此，采用高效的電路保護(hù)方案至關(guān)重要，而二極管陣列正是提升CAN總線電磁兼容性（EMC）和抗干擾能力的重要技術(shù)之一。一、CAN總線面臨的電磁兼容挑戰(zhàn)在現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中，CAN總線主要面臨以下幾種干擾類型：

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[常見問題解答]RCD吸收電路二極管選型指南：關(guān)鍵參數(shù)與注意事項(xiàng)[ 2025-02-24 10:12 ]

RCD吸收電路廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器以及其他高頻功率電子設(shè)備中，其主要作用是吸收電壓尖峰，保護(hù)功率開關(guān)器件不受過電壓影響。在這一電路設(shè)計(jì)過程中，二極管的選型至關(guān)重要，影響著電路的效率、可靠性及電磁兼容性（EMC）。1. 正向電壓降（Vf）定義：正向電壓降（Vf）指二極管在導(dǎo)通狀態(tài)下，正向電流通過其PN結(jié)時(shí)所產(chǎn)生的電壓降。影響：Vf值決定了二極管在導(dǎo)通過程中的功率損耗，Vf較大的二極管會(huì)增加功率損耗，降低電路整體效率。因此，在RCD吸收電路中，選用低Vf的二極管有助于減少熱量產(chǎn)生，提高能量轉(zhuǎn)換效率。選擇建議：-

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[常見問題解答]如何通過TVS管提升手機(jī)電磁兼容性：ESD保護(hù)的核心技術(shù)[ 2025-01-04 12:03 ]

隨著智能手機(jī)的日益普及和技術(shù)的不斷創(chuàng)新，手機(jī)不僅要滿足日常通訊和娛樂功能，還需應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的用電環(huán)境。在此背景下，電磁兼容性成為手機(jī)設(shè)計(jì)中的重要問題。尤其是靜電放電帶來的風(fēng)險(xiǎn)，直接影響手機(jī)的穩(wěn)定性和長(zhǎng)期壽命。為了解決這個(gè)問題，瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS管）作為一種高效的電路保護(hù)器件，廣泛應(yīng)用于手機(jī)的ESD保護(hù)電路中并發(fā)揮著重要作用。一、電磁兼容性挑戰(zhàn)和ESD問題1. 隨著手機(jī)功能的不斷擴(kuò)展，特別是更高分辨率屏幕、更高性能處理器和多個(gè)傳感器的集成，手機(jī)電路的復(fù)雜性顯著增加。這些高頻、低壓電路在受到外部電磁干擾或靜電放

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[常見問題解答]探討MOS管封裝兼容性問題及其對(duì)電路性能的影響[ 2024-12-31 12:15 ]

在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域，MOS管作為重要的半導(dǎo)體器件被廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)集成中。隨著集成電路和電子器件能力的不斷提高，MOS管封裝選型和兼容性方面出現(xiàn)了越來越多的問題。MOS管封裝也直接影響散熱效率、裝置最終系統(tǒng)的工作環(huán)境適應(yīng)性和可靠性。因此，深入研究MOS管封裝兼容性問題及其對(duì)電路性能的影響已成為重要決策。它是系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程中不可忽視的重要元素。一、MOS管封裝的基本概念MOS管封裝就是通過封裝技術(shù)來保護(hù)MOS管芯片及其周邊引腳的過程。這些通常包括塑料包裝、金屬包裝、陶瓷包裝等。不同的MOS管封裝類型有不同的

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[常見問題解答]光耦輸入端電阻的作用是什么？CTR參數(shù)解析及其重要性[ 2024-11-27 11:48 ]

光耦合器是現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的重要組件。它不僅提供信號(hào)隔離，還具有輸入電壓兼容性高、運(yùn)行穩(wěn)定性強(qiáng)的特點(diǎn)。許多設(shè)計(jì)者會(huì)注意到光耦合器的輸入端有時(shí)會(huì)并聯(lián)一個(gè)電阻。這種電阻看似簡(jiǎn)單單一，但對(duì)電路的穩(wěn)定性和可靠性起著重要作用。同時(shí)，光耦的重要參數(shù)之一CTR直接影響光耦應(yīng)用的性能和選型。本文將分析輸入電阻的作用，并深入探討CTR的含義及其設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。一、光電耦合器輸入端電阻的作用在光電耦合器的輸入端并聯(lián)一個(gè)電阻并不罕見。其主要作用是抑制故障，提高抗干擾能力。光耦合器的輸入部分通常由發(fā)光二極管組成，并配有一個(gè)串聯(lián)電阻用于限流。發(fā)

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[常見問題解答]開關(guān)電源EMI/EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)解析及其關(guān)鍵指標(biāo)[ 2024-11-22 10:53 ]

開關(guān)電源廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中，其電磁兼容性（EMC）和電磁干擾（EMI）直接影響產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性，并防止開關(guān)電源對(duì)其他設(shè)備或設(shè)備產(chǎn)生干擾。實(shí)際使用環(huán)境已成為不可或缺的評(píng)估工具。本文詳細(xì)分析了開關(guān)電源的EMI/EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和關(guān)鍵指標(biāo)，幫助讀者了解所涉及的技術(shù)方面。一、EMI測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及其影響1. 實(shí)施發(fā)射測(cè)試發(fā)射測(cè)試是通過測(cè)量從電源線或其他導(dǎo)體傳播的電磁噪聲來評(píng)估干擾水平來進(jìn)行的。相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)主要包括CISPR 11和CISPR 22。測(cè)試的關(guān)鍵指標(biāo)包括頻率范圍、幅度以及是否符合傳導(dǎo)干擾的標(biāo)準(zhǔn)限值。例如，指定

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[常見問題解答]MCU串口自動(dòng)波特率檢測(cè)方法解析及應(yīng)用場(chǎng)景[ 2024-10-26 15:19 ]

MCU串行接口的自動(dòng)波特率檢測(cè)技術(shù)由于能夠適應(yīng)不同的波特率要求，解決不同應(yīng)用環(huán)境下的通信兼容性問題，近年來被廣泛應(yīng)用于各種通信場(chǎng)景。本文詳細(xì)分析了MCU中串口自動(dòng)波特率檢測(cè)的主要方法及其實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，以幫助設(shè)計(jì)人員深入理解并合理使用該技術(shù)。一、自動(dòng)波特率檢測(cè)概述自動(dòng)波特率檢測(cè)是一種允許接收方自動(dòng)連接并調(diào)整發(fā)送方波特率的機(jī)制。通過分析串行通信信號(hào)的某些特征，推斷數(shù)據(jù)傳輸速度，并在不同速度的設(shè)備之間提供高效的數(shù)據(jù)傳輸。該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是接收設(shè)備可以動(dòng)態(tài)調(diào)整波特率，以適應(yīng)數(shù)據(jù)格式和定時(shí)特性，確保發(fā)送設(shè)備成功傳輸和解碼數(shù)據(jù)。自

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[常見問題解答]如何通過選型MOS管和IGBT優(yōu)化逆變器的EMC表現(xiàn)？[ 2024-10-24 15:30 ]

電磁兼容性（EMC）優(yōu)化在逆變器設(shè)計(jì)過程中非常重要。逆變器的主要開關(guān)元件MOS管（MOSFET）和IGBT的開關(guān)特性對(duì)運(yùn)行時(shí)的EMC影響很大。選擇正確的元件不僅可以提高設(shè)備的整體效率，還可以有效降低電磁干擾（EMI）和改善系統(tǒng)的電磁兼容性。本文對(duì)此進(jìn)行了詳細(xì)探討。一、開關(guān)速度與EMC之間的權(quán)衡MOS管和IGBT的開關(guān)速度是EMC性能的關(guān)鍵因素之一。這一特性有助于提高逆變器的轉(zhuǎn)換效率，但較高的開關(guān)速度往往會(huì)導(dǎo)致較高的電壓變化率（dv/dt）和電流變化率（di/dt）。這些高變化率會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)的電磁輻射，從而影響正常運(yùn)行

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[常見問題解答]為什么開關(guān)頻率定為65kHz？解析EMC傳導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)150kHz至30MHz的技術(shù)原因[ 2024-10-07 11:14 ]

開關(guān)電源設(shè)計(jì)中通常選擇65kHz的開關(guān)頻率，這一選擇背后有許多技術(shù)考量，特別是與電磁兼容性 (EMC) 線路標(biāo)準(zhǔn)的150kHz至30MHz頻率范圍有關(guān)。本文將詳細(xì)分析為什么開關(guān)頻率通常設(shè)置為65kHz及其與EMC線路標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系。- 開關(guān)電源是一種采用高頻開關(guān)來將輸入電壓轉(zhuǎn)換為目標(biāo)輸出電壓的電子設(shè)備。開關(guān)頻率的選擇直接影響設(shè)備的性能，包括效率、體積、成本和電磁干擾。原因之一是65kHz在效率和電磁兼容性之間提供了良好的折衷。- 效率和體積：通常認(rèn)為開關(guān)頻率越高越好。更高的開關(guān)頻率可以使變壓器和濾波器的尺寸更小，從而降

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[常見問題解答]光模塊與光纖收發(fā)器配對(duì)的五大關(guān)鍵考慮因素[ 2024-08-23 12:13 ]

在構(gòu)建或升級(jí)光纖通信網(wǎng)絡(luò)時(shí)，正確選擇和配對(duì)光模塊與光纖收發(fā)器是至關(guān)重要的。這不僅關(guān)系到網(wǎng)絡(luò)的性能，也直接影響到整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。以下是配對(duì)光模塊與光纖收發(fā)器時(shí)必須考慮的五大關(guān)鍵因素，以確保通信網(wǎng)絡(luò)的最優(yōu)性能。1. 兼容性首先要確保光模塊與光纖收發(fā)器之間的兼容性。這包括物理接口的匹配、傳輸速率的一致性以及協(xié)議的支持。例如，如果一個(gè)光模塊設(shè)計(jì)用于支持10Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，那么光纖收發(fā)器也必須支持相同的速率。此外，接口類型（如LC、SC、ST等）也必須相匹配，以防止連接問題。2. 工作波長(zhǎng)工作波長(zhǎng)是影響光模塊

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[常見問題解答]開關(guān)二極管整流器件的主要參數(shù)與性能優(yōu)化策略[ 2024-08-12 11:18 ]

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，開關(guān)二極管作為整流器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器以及各種高頻電路中。其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性和電磁兼容性。因此，深入理解開關(guān)二極管的主要參數(shù)及其對(duì)性能的影響，并采用有效的優(yōu)化策略，對(duì)于提升電力電子系統(tǒng)的整體表現(xiàn)至關(guān)重要。一、主要參數(shù)分析 1. 正向電壓降（Forward Voltage Drop, VF）正向電壓降是指二極管在正向?qū)顟B(tài)下的電壓損耗，是評(píng)估二極管導(dǎo)通性能的關(guān)鍵參數(shù)之一。較低的正向電壓降可以顯著

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[常見問題解答]開關(guān)電源設(shè)計(jì)指南：深入了解不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)[ 2024-07-29 16:46 ]

一、基礎(chǔ)介紹：開關(guān)電源的構(gòu)成要素開關(guān)電源系統(tǒng)由幾個(gè)關(guān)鍵部件組成，核心包括DC-DC變換器、整流和濾波器、脈寬調(diào)制控制器以及反饋比較電路。這些組件協(xié)同工作，優(yōu)化電源的性能和效率。二、電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的戰(zhàn)略重要性開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是其設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，涉及到設(shè)備的小型化、電磁兼容性以及整體可靠性。拓?fù)渲饕譃閮纱箢悾焊綦x型與非隔離型。1. 降壓（BUCK）控制器的操作原理降壓控制器通過周期性地調(diào)節(jié)開關(guān)元件的狀態(tài)來控制能量在電感中的存儲(chǔ)，達(dá)到降低輸出電壓的目的。2. 升壓（BOOST）控制器的核心機(jī)制與降壓型相反，升壓控制器在開關(guān)

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[常見問題解答]電源變換器工作原理詳解與設(shè)計(jì)要點(diǎn)全攻略[ 2024-07-27 16:01 ]

一、電源變換器的設(shè)計(jì)關(guān)鍵點(diǎn)在設(shè)計(jì)電源變換器時(shí)，關(guān)鍵是根據(jù)負(fù)載需求選擇合適的電路形式和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。主要參數(shù)包括輸入電壓范圍、輸出電壓的精確度、負(fù)載穩(wěn)定性、電壓穩(wěn)定性、輸出紋波、效率以及動(dòng)態(tài)性能。設(shè)計(jì)中，電源變換器需具備過流、過壓和欠壓保護(hù)功能，確保故障撤銷后能迅速恢復(fù)正常運(yùn)作。在應(yīng)對(duì)母線電壓和負(fù)載變化時(shí)，電源變換器需要展現(xiàn)出快速響應(yīng)能力。此外，為了滿足特定應(yīng)用環(huán)境的要求，電源變換器還需要考慮抗輻射能力、可靠性和設(shè)計(jì)壽命等指標(biāo)，這些通常與電路拓?fù)洹⑸嵩O(shè)計(jì)、元器件的質(zhì)量等級(jí)及其降額使用相關(guān)。為了提高電源變換器的電磁兼容性

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[常見問題解答]探索EMC電磁兼容性測(cè)試的各種方案和技術(shù)[ 2024-05-22 10:52 ]

電子和電氣產(chǎn)品出口到歐盟市場(chǎng)，必須符合嚴(yán)格的EMC（電磁兼容）測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。本文將為您詳細(xì)介紹EMC測(cè)試中的八大主要項(xiàng)目，幫助您更好地理解每一項(xiàng)測(cè)試的重要性及其應(yīng)用。一、輻射發(fā)射測(cè)試此測(cè)試評(píng)估電子、電氣及機(jī)電設(shè)備及其組件的輻射發(fā)射水平，包括設(shè)備的所有組件、電纜及連接線上的輻射，以確保其在正常使用過程中不會(huì)影響同一環(huán)境中的其他設(shè)備。二、傳導(dǎo)騷擾測(cè)試該測(cè)試測(cè)量設(shè)備通過電源端口或信號(hào)端口向電網(wǎng)或信號(hào)網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)母蓴_，以評(píng)估其對(duì)其他設(shè)備和系統(tǒng)的影響。三、靜電放電抗擾度測(cè)試此測(cè)試項(xiàng)旨在評(píng)估設(shè)備或系統(tǒng)對(duì)靜電放電干擾的抵抗能力，模擬操

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[常見問題解答]提高 DC/DC 開關(guān)電源電磁兼容性的五個(gè)關(guān)鍵步驟[ 2024-05-14 10:12 ]

DC/DC開關(guān)電源中的電磁兼容性設(shè)計(jì)策略DC/DC開關(guān)電源以其高效、體積小等優(yōu)勢(shì)在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中占據(jù)重要地位。然而，由于開關(guān)型器件的快速電壓和電流變化，電磁兼容性測(cè)試常遇到問題，影響開發(fā)周期和產(chǎn)品上市時(shí)間，特別是在復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中。一、噪聲源的分析與處理DC/DC開關(guān)電源的電磁兼容問題首要在于噪聲源的分析。開關(guān)電源中，開關(guān)頻率及其諧波是主要干擾源。此外，30 MHz至400 MHz的寬帶干擾頻譜常見于暗室測(cè)量，這是由于MOSFET輸出電容CDS、結(jié)電容和肖特基二極管的寄生電容及導(dǎo)體走線的寄生電感共同引起的高頻LC振

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