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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]SiC MOSFET與肖特基二極管的協(xié)同作用，優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換效率[ 2025-04-01 14:17 ]

隨著對(duì)能源效率要求的日益提高，碳化硅（SiC）材料在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用變得越來(lái)越廣泛。特別是在電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，SiC MOSFET和肖特基二極管的結(jié)合，已成為提升效率、減少損失和提高可靠性的關(guān)鍵技術(shù)手段。一、SiC MOSFET的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，因其具備優(yōu)異的高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和出色的熱管理能力，廣泛應(yīng)用于高壓和高頻率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。SiC材料的高禁帶寬度使其在高溫和高壓條件下保持良好的性能，特別適用于電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和太陽(yáng)能逆變器等對(duì)環(huán)境要求嚴(yán)格

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(GTO)與可控硅(SCR)的特性對(duì)比與工程應(yīng)用[ 2025-03-10 10:56 ]

在電力電子領(lǐng)域，門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）和可控硅（SCR）都是常見(jiàn)的大功率半導(dǎo)體器件。它們廣泛用于電力轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。雖然兩者在結(jié)構(gòu)上有一定相似之處，但在控制特性、工作方式和工程應(yīng)用上卻存在明顯區(qū)別。一、可控硅（SCR）的特性與應(yīng)用1. SCR 的基本原理可控硅（Silicon Controlled Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) SCR），也被稱(chēng)為晶閘管，是一種三端半導(dǎo)體器件，具有陽(yáng)極（A）、陰極（K）和控制極（G）。在陽(yáng)極加正電壓的情況下，如果在控制極施加觸發(fā)電流，SCR 會(huì)進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并持續(xù)導(dǎo)通

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOSFET vs IGBT：電焊機(jī)逆變技術(shù)的核心對(duì)比[ 2025-03-06 12:09 ]

在現(xiàn)代電焊機(jī)的逆變技術(shù)中，MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是兩種主要的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中起著關(guān)鍵作用，直接影響焊機(jī)的性能、效率和可靠性。然而，MOSFET與IGBT各有優(yōu)缺點(diǎn)，在不同功率段、頻率需求及應(yīng)用場(chǎng)景下表現(xiàn)不同。一、電焊機(jī)逆變技術(shù)概述傳統(tǒng)的工頻電焊機(jī)依賴50Hz/60Hz工頻變壓器進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換，體積大、效率低，逐漸被逆變式電焊機(jī)所取代。逆變焊機(jī)通過(guò)高頻逆變技術(shù)，將50Hz交流電整流為直流后，再逆變?yōu)?5kHz~100kHz的高頻交流，經(jīng)過(guò)降壓、整流后提供穩(wěn)定的焊接電

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]IGBT散熱原理及導(dǎo)熱機(jī)理深度解析[ 2025-02-11 12:02 ]

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT）是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）與雙極型晶體管（BJT）優(yōu)點(diǎn)的功率半導(dǎo)體器件。它在高壓、高頻、高效能的電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，如變頻器、電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)、電力變換器等。然而，IGBT在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量，如何有效管理這些熱量成為確保器件長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。一、IGBT的熱量產(chǎn)生機(jī)制IGBT在工作時(shí)主要的能量損耗會(huì)以熱的形式釋放，主要包括以下幾類(lèi)：1. 開(kāi)通損耗：當(dāng)IGBT從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]深入探索VDMOS：結(jié)構(gòu)、性能與實(shí)際應(yīng)用[ 2024-10-16 12:28 ]

垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（VDMOS）是一種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件，廣泛用于電子設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)控制。VDMOS憑借其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)異的性能，已成為電力電子領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)。VDMOS器件的正式名稱(chēng)是Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，它采用垂直結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流流動(dòng)。與水平結(jié)構(gòu)的MOSFET相比，VDMOS采用垂直電流路徑，這使其能夠更好地處理更高功率并有效降低器件的導(dǎo)通電阻。一、VDMOS的基本結(jié)構(gòu)VDMOS的基本結(jié)構(gòu)包括源極、漏極、柵極和漂

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)：從MOSFET到IGBT[ 2024-06-13 10:02 ]

1. IGCT集成門(mén)極換流晶閘管（Intergrated Gate Commutated Thyristors）:IGCT是基于傳統(tǒng)晶閘管技術(shù)并融合了IGBT與GTO的先進(jìn)技術(shù)而開(kāi)發(fā)的一種新型電力半導(dǎo)體器件。這種器件主要用于大型電力電子系統(tǒng)，適用于高壓和大容量的變頻應(yīng)用。IGCT將GTO核心芯片與反并聯(lián)二極管和門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路整合在一塊，通過(guò)與門(mén)極驅(qū)動(dòng)器外圍低電感連接，有效結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)閉能力與晶閘管的低通態(tài)損耗特性，從而實(shí)現(xiàn)了高電流承載、高阻斷電壓、高開(kāi)關(guān)頻率和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。2. 超大功率晶閘管:超大功率晶閘

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]突破性的儀表放大器抑制方法：優(yōu)化信號(hào)處理效率[ 2024-05-27 10:50 ]

電力電子領(lǐng)域中的開(kāi)關(guān)電源是一種綜合了多項(xiàng)技術(shù)的重要產(chǎn)品。它不僅涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、電力變換技術(shù)、電子電磁技術(shù)和自動(dòng)控制技術(shù)等多個(gè)領(lǐng)域的知識(shí)，還具備了小型化、高效率、穩(wěn)定性和可靠性等特點(diǎn)，因而在計(jì)算機(jī)、通信、電子儀器、工業(yè)控制、國(guó)防和家用電器等諸多領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)用。然而，開(kāi)關(guān)電源在實(shí)際應(yīng)用中也面臨著一系列挑戰(zhàn)，其中最主要的問(wèn)題之一是電磁干擾（EMI）。電磁干擾是指電子系統(tǒng)或分系統(tǒng)受到非預(yù)期的電磁擾動(dòng)而導(dǎo)致性能下降的現(xiàn)象。為了有效控制電磁干擾，工程師們不斷探索各種解決方案，包括抑制干擾源、切斷傳輸途徑、降低敏感設(shè)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]技術(shù)探索：解讀絕緣柵雙極晶體管的工作原理與結(jié)構(gòu)特征[ 2024-05-09 09:59 ]

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。一、工作原理：IGBT由三個(gè)控制端構(gòu)成：集電極、發(fā)射極和絕緣柵極。其工作原理包括關(guān)斷狀態(tài)、導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷過(guò)程。1. 關(guān)斷狀態(tài)：當(dāng)絕緣柵極電壓為零時(shí)，晶體管不導(dǎo)電。通過(guò)調(diào)節(jié)絕緣柵電壓，可以控制絕緣柵和絕緣柵區(qū)域的電子注入，從而使晶體管關(guān)斷。2. 導(dǎo)通狀態(tài)：當(dāng)給絕緣柵極施加適當(dāng)電壓時(shí)，IGBT進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)絕緣柵極電壓大于閾值電壓時(shí)，絕緣柵形成電場(chǎng)，促使電子注入發(fā)射區(qū)，從而形成電流。3. 關(guān)斷過(guò)程：當(dāng)絕緣柵極電壓降至特定閾值以下時(shí)，晶體管進(jìn)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]場(chǎng)限環(huán)的發(fā)展歷程及其未來(lái)趨勢(shì)[ 2024-04-18 10:07 ]

一、場(chǎng)限環(huán)與場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)合使用場(chǎng)限環(huán)(Field Limiting Ring)技術(shù)，在功率半導(dǎo)體器件中發(fā)揮關(guān)鍵作用，尤其在與場(chǎng)效應(yīng)管（如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET）結(jié)合時(shí)，可以顯著提升器件的耐壓性能和穩(wěn)定性。場(chǎng)效應(yīng)管利用電場(chǎng)控制電流的特性，與場(chǎng)限環(huán)技術(shù)結(jié)合，能夠有效抑制電壓高壓下的電場(chǎng)集中，防止器件因電場(chǎng)過(guò)強(qiáng)而損壞。二、場(chǎng)限環(huán)的技術(shù)原理與設(shè)計(jì)場(chǎng)限環(huán)通常設(shè)于半導(dǎo)體器件的邊緣，通過(guò)離子注入或擴(kuò)散工藝形成高摻雜區(qū)域。這一技術(shù)基于摻雜濃度對(duì)電場(chǎng)分布的調(diào)控，通過(guò)增加載流子濃度，減小空間電荷區(qū)的寬度，從而在高電壓工

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]IGBT如何檢測(cè)與動(dòng)態(tài)特性介紹[ 2024-01-25 16:13 ]

IGBT如何檢測(cè)與動(dòng)態(tài)特性介紹IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]功率半導(dǎo)體的工作原理介紹[ 2023-08-23 17:45 ]

功率半導(dǎo)體的工作原理介紹功率半導(dǎo)體是一類(lèi)能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號(hào)控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號(hào)輸出，廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸、新能源等領(lǐng)域。常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件包括功率二極管、IGBT、MOSFET、GTO等。功率半導(dǎo)體的工作原理可以分為三個(gè)階段：導(dǎo)通、截止和反向恢復(fù)。在導(dǎo)通狀態(tài)下，當(dāng)控制信號(hào)輸入時(shí)，功率半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻將迅速降低，電流可以從其正極流向負(fù)極。在導(dǎo)通狀態(tài)下，功率半導(dǎo)體器件將消耗一定的功率，但是其導(dǎo)通電阻很小，因此可以實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。在截止?fàn)顟B(tài)下，當(dāng)控

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]開(kāi)關(guān)電源的工作原理介紹[ 2023-07-14 16:47 ]

開(kāi)關(guān)電源的工作原理介紹開(kāi)關(guān)電源是一種電源，它可以將交流電轉(zhuǎn)換成直流電，或者將直流電轉(zhuǎn)換成交流電。它的主要功能電路包括變壓器、濾波器、控制電路、輸出電路等。變壓器可以將交流電轉(zhuǎn)換成直流電，濾波器可以消除電源中的雜散電流，控制電路可以控制電源的輸出，輸出電路可以將電源的輸出調(diào)節(jié)到所需的電壓和電流。開(kāi)關(guān)電源是采用功率半導(dǎo)體器件作為開(kāi)關(guān)元件，通過(guò)周期性通斷開(kāi)關(guān)，控制開(kāi)關(guān)元件的占空比來(lái)調(diào)整輸出電壓。開(kāi)關(guān)電源的工作原理，簡(jiǎn)單的說(shuō)是將交流電先整流成直流電，再將直流逆變成交流電，再整流輸出成所需要的直流電壓。①交流電源經(jīng)整流濾波成

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]晶閘管的管腳判別方法介紹[ 2023-06-13 17:49 ]

晶閘管的管腳判別方法介紹晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，又稱(chēng)作可控硅整流器(SCR)，是由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上，晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件更為可貴的可控性，它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。晶閘管的管腳判別方法晶閘管三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。晶閘管管腳的判別可用下述方法：1、先用萬(wàn)用表R*1K擋測(cè)量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽(yáng)極。2、再將萬(wàn)用表置于R*10K擋，用手指捏住陽(yáng)極和另一腳，且不

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]雙向可控硅四象限觸發(fā)方式介紹[ 2023-01-04 15:40 ]

雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱(chēng)雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，控制電路簡(jiǎn)單，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中，其觸發(fā)電路的抗干擾問(wèn)題很重要，通常都是通過(guò)光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過(guò)零觸發(fā)電路。（過(guò)零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通，由于采用過(guò)零觸發(fā)，因此需要正弦交流電過(guò)零檢測(cè)電路）雙向可

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]雙向可控硅觸發(fā)電路與使用準(zhǔn)則介紹[ 2023-01-02 14:43 ]

雙向可控硅觸發(fā)電路雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱(chēng)雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，控制電路簡(jiǎn)單，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中，其觸發(fā)電路的抗干擾問(wèn)題很重要，通常都是通過(guò)光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過(guò)零觸發(fā)電路。過(guò)零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通。由于采用過(guò)零觸發(fā)，因此上述電路還需要正弦

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]調(diào)速開(kāi)關(guān)電子電路分析與調(diào)速方式分析介紹[ 2022-12-09 17:27 ]

調(diào)速開(kāi)關(guān)采用電子電路或微處理芯片去改變電機(jī)的級(jí)數(shù)、電壓、電流、頻率等方法控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速，以使電機(jī)達(dá)到較高的使用性能的一種電子開(kāi)關(guān)。對(duì)交流電機(jī)而言，調(diào)速方式有：電感式調(diào)速，抽頭式調(diào)速，電容式調(diào)速，控硅調(diào)速，變頻式調(diào)速。對(duì)直流電機(jī)而言，調(diào)速方式有：電樞回路電阻調(diào)速，電樞電壓調(diào)速，晶閘管變流器供電的調(diào)速，大功率半導(dǎo)體器件的直流電動(dòng)機(jī)脈寬調(diào)速，勵(lì)磁電流調(diào)速。現(xiàn)在的電機(jī)調(diào)速很多使用的是可控硅，也就是晶閘管，它主要是利用了一個(gè)PWM的控制原理。即讓一個(gè)方波去控制可控硅，當(dāng)方波處于高電平時(shí)，可控硅開(kāi)啟，方波處于低電平位置的時(shí)候，

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]調(diào)速開(kāi)關(guān)電路介紹[ 2022-11-01 12:14 ]

調(diào)速開(kāi)關(guān)采用電子電路或微處理芯片去改變電機(jī)的級(jí)數(shù)、電壓、電流、頻率等方法控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速，以使電機(jī)達(dá)到較高的使用性能的一種電子開(kāi)關(guān)。對(duì)交流電機(jī)而言，調(diào)速方式有：1）電感式調(diào)速，2）抽頭式調(diào)速，3）電容式調(diào)速，3）可控硅調(diào)速，4）變頻式調(diào)速。對(duì)直流電機(jī)而言，調(diào)速方式有：1）電樞回路電阻調(diào)速，2）電樞電壓調(diào)速，3）晶閘管變流器供電的調(diào)速，4）大功率半導(dǎo)體器件的直流電動(dòng)機(jī)脈寬調(diào)速，5）勵(lì)磁電流調(diào)速。調(diào)速開(kāi)關(guān)采用電子電路或微處理芯片去改變電機(jī)的級(jí)數(shù)、電壓、電流、頻率等方法控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速，以使電機(jī)達(dá)到較高的使用性能的一種電子開(kāi)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]調(diào)速開(kāi)關(guān)電子電路與調(diào)速方式分析[ 2022-10-29 12:16 ]

調(diào)速開(kāi)關(guān)采用電子電路或微處理芯片去改變電機(jī)的級(jí)數(shù)、電壓、電流、頻率等方法控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速，以使電機(jī)達(dá)到較高的使用性能的一種電子開(kāi)關(guān)。對(duì)交流電機(jī)而言，調(diào)速方式有：電感式調(diào)速，抽頭式調(diào)速，電容式調(diào)速，控硅調(diào)速，變頻式調(diào)速。對(duì)直流電機(jī)而言，調(diào)速方式有：電樞回路電阻調(diào)速，電樞電壓調(diào)速，晶閘管變流器供電的調(diào)速，大功率半導(dǎo)體器件的直流電動(dòng)機(jī)脈寬調(diào)速，勵(lì)磁電流調(diào)速。現(xiàn)在的電機(jī)調(diào)速很多使用的是可控硅，也就是晶閘管，它主要是利用了一個(gè)PWM的控制原理。即讓一個(gè)方波去控制可控硅，當(dāng)方波處于高電平時(shí)，可控硅開(kāi)啟，方波處于低電平位置的時(shí)候，

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]可控硅調(diào)光器工作原理及應(yīng)用介紹[ 2022-10-28 16:41 ]

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應(yīng)用。可控硅從外形上

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]功率器件MOS場(chǎng)效應(yīng)管的作用解析-壹芯微[ 2021-08-06 15:41 ]

功率器件中MOS場(chǎng)效應(yīng)管的作用解析-壹芯微MOS管是電子電路中常用的功率半導(dǎo)體器件，可以用作電子開(kāi)關(guān)、可控整流等，是一種電壓驅(qū)動(dòng)型的器件。一、什么是MOS管MOS管的全稱(chēng)為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文簡(jiǎn)稱(chēng)為MOSFET，具有三個(gè)電極，分別為：柵極G、源極S和漏極D，根據(jù)其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可以分為P-MOS和N-MOS。其電氣符號(hào)如下圖所示。下面以NMOS為例分析其工作原理，在柵極G和源極S之間不加電壓的時(shí)候，在DS之間加正電壓時(shí)，D與襯底的P型半導(dǎo)體之間PN結(jié)反偏不通。當(dāng)GS之間加正電壓后，絕緣層和G極之間感應(yīng)出

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