国产成人精品免费视频大全,精品无码午夜福利理论片,无套内射AV五十区

[常見問題解答]探索IGBT雙脈沖測試的關鍵技術與實現步驟[ 2025-02-11 11:56 ]

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）作為現代電力電子領域的核心器件，其性能直接決定著系統的效率和穩定性。在評估IGBT性能的諸多方法中，雙脈沖測試因其能夠全面反映器件的開關特性而被廣泛應用。一、雙脈沖測試的技術要點1. 測試目的明確雙脈沖測試的核心在于準確測量IGBT在開通和關斷過程中的動態特性。通過這一測試，可以獲得如開關損耗、導通電阻、二極管反向恢復電流、電流上升斜率（di/dt）和電壓尖峰等重要參數。這些數據對于優化器件驅動設計、降低系統損耗、提高

http://m.kannic.com/Article/tsigbtsmcc_1.html

[常見問題解答]二極管反向恢復時間的定義及其重要性[ 2025-02-10 10:37 ]

二極管作為最基礎的半導體器件之一，廣泛應用于整流、開關、電源管理等各類電子電路中。在高頻和高速開關電路中，二極管的動態特性尤為重要，其中反向恢復時間（Reverse Recovery Time）是衡量其性能的關鍵參數之一。一、二極管反向恢復時間的定義其從正向導通狀態切換至反向截止狀態時，反向電流由峰值衰減到接近零所需的時間，通常這個零值定義為峰值的10%或5%。在正向導通期間，PN結內部會積累大量的載流子，形成一定的存儲電荷。當外加電壓突然變為反向偏置時，這些積累的少數載流子不會立即消失，而是需要一段時間才能完成復

http://m.kannic.com/Article/ejgfxhfsjddyjqzyx_1.html

[常見問題解答]深入分析ADALM2000在二極管動態特性測試中的應用[ 2025-01-02 11:10 ]

隨著電子器件和集成電路的不斷發展，對元器件的性能尤其是二極管等半導體器件的動態特性要求越來越高。在這方面，ADALM2000模塊憑借其豐富的測量功能，成為了二極管研究與測試的優選工具。在本文中，我們將詳細介紹ADALM2000在測量二極管動態特性方面的應用，并分析其優勢和實際操作流程。一、ADALM2000模塊概述ADALM2000是Analog Devices的模塊化儀器，提供高精度信號生成和采集能力。它具有雙通道輸出信號源和雙通道輸入信號采集功能，并可通過USB連接與計算機通信進行數據處理。這使得ADALM20

http://m.kannic.com/Article/srfxadalm2_1.html

[常見問題解答]碳化硅雙脈沖測試：解析正向與負向干擾的影響[ 2024-08-07 15:22 ]

碳化硅 (SiC) 由于其卓越的物理和化學穩定性，在高功率和高溫應用中表現出色。隨著碳化硅設備在半導體行業中的廣泛應用，雙脈沖測試成為了一種關鍵的技術，用于評估這些設備在實際工作條件下的性能。雙脈沖測試主要是用來觀察和分析器件在快速開關過程中的動態特性，特別是正向和負向干擾的影響。一、正向串擾的產生與影響正向串擾通常在開關器件如晶體管開通時發生。當一個晶體管（例如Q1）的門極電壓達到閾值，使其導通時，與之相鄰的晶體管（例如Q2）可能會受到干擾。這種干擾起因于電流從一個晶體管（如D2）開始轉移到已導通的晶體管（Q1）

http://m.kannic.com/Article/thgsmccsjx_1.html

[常見問題解答]IGBT如何檢測與動態特性介紹[ 2024-01-25 16:13 ]

IGBT如何檢測與動態特性介紹IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變

http://m.kannic.com/Article/igbtrhjcyd_1.html

[常見問題解答]雙脈沖測試基礎原理和應用解析[ 2023-04-29 14:04 ]

雙脈沖測試基礎原理和應用解析雙脈沖是分析功率開關器件動態特性的基礎實驗方法，貫穿器件的研發，應用和驅動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統設計中從容的調試驅動電路，優化動態過程，驗證短路保護。雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用，對電壓電流探頭要求和影響測試結果的因素等。為什么要進行雙脈沖測試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實驗的，而是直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率。這樣的測試確實很必要，但是往往這樣看不出具體的開關損耗，電壓或者電流的尖

http://m.kannic.com/Article/smccsjcylh_1.html

[常見問題解答]MOS管場效應管的動態特性介紹[ 2023-04-15 13:50 ]

一個MOSFET管的動態響應只取決于它充(放)電這個器件的本身寄生電容和由互連線及負載引起的額外電容所需要的時間。本征電容的主要來源有三個：基本的MOS結構、溝道電荷以及漏和源反向偏置pn結的耗盡區。MOS結構電容MOS晶體管柵通過柵氧與導電溝道相隔離，柵電容Cg取決于柵氧單位面積電容Cox的電容值，氧化層厚度越薄，電容值越低。從MOS管的結構可以看出，在實際中，源和漏與柵有交疊的部分，從而引起柵源、柵漏之間產生覆蓋電容。溝道電容柵至溝道的電容Cgc的大小取決于工作區域和端口電壓，當晶體管處于截至區域時(a)，沒

http://m.kannic.com/Article/mosgcxygdd_1.html

[常見問題解答]大功率晶閘管參數解析之正向特性介紹[ 2022-08-24 17:24 ]

功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。電氣特性二極管和晶閘管的電氣特性隨溫度變化而變化，因此只有針對特定溫度給出的電氣特性才是有效的。除非另有說明，否則數據手冊中的所有值均適用于40至60Hz的電源頻率。最大值為制造商以絕對極限值形式給出的值，通常即使在短時間內也不可超過此值，否則可能導致元件功能下降或損壞。特征值為規定條件下的數

http://m.kannic.com/Article/dgljzgcsjx_1.html

[常見問題解答]MOS管知識-MOS管電容特性分析[ 2020-11-11 15:21 ]

MOS管知識-MOS管電容特性分析MOS管電容特性-動態特性從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況，電容的大小由功率管的結構,材料和所加的電壓決定。這些電容和溫度無關，所以功率管的開關速度對溫度不敏感(除閾值電壓受溫度影響產生的次生效應外)MOS管電容特性:由于器件里的耗盡層受到了機壓影響，電容Cgs和Cgd隨著所加電壓的變化而變化。然而相對于Cgd，Cgs受電壓的影響非常小，Cgd受電壓影響程度是Cgs的100倍以上。如圖10所示為一個從電路角度所看到的本征電容。受柵漏和柵源電容的影響，感應到的dv/dt會導致功

http://m.kannic.com/Article/mosgzsmosgd_1.html

[常見問題解答]二極管的開關過程和其可能引發的EMI問題[ 2020-09-17 17:05 ]

二極管的開關過程和其可能引發的EMI問題導語二極管的單向導通性、大于某電壓就導通等基本特性我們非常熟悉，但是隨著工作的深入會發現僅知道這些是不夠的，特別是大功率設備或者面臨EMI的問題時。所以我們需要對二極管有個更深入的認識，今天就著重講述二極管的開關過程（也叫二極管的動態特性）及其帶來的影響。任何開關器件的狀態切換并不是一蹴而就的，在這切換的期間發生了什么是工程師值得注意的地方。因為結電容的存在，二極管在零偏置、正向導通、反向截止這三個狀態之間切換時，會有一個過渡。開通（零偏置轉換為正向導通）二極管的開通并不是說

http://m.kannic.com/Article/ejgdkggchq_1.html

[常見問題解答]PTC熱敏電阻的電阻-溫度特性及靜態和動態特性[ 2020-05-11 15:17 ]

PTC熱敏電阻的電阻-溫度特性及靜態和動態特性與人一樣，發熱意味著機器出了問題，熱敏電阻則是治愈這一頑疾的良藥。日常生活中，我們家居常備的電子體溫計采用一顆PTC熱敏電阻。如果接觸智能手機、電腦、冰箱、吸塵器時，都會感覺到發熱，這里將溫度控制在安全范圍內的關鍵電子元器件也是PTC熱敏電阻。PTC熱敏電阻是應用最普遍的一類熱敏元件，可檢測物體的熱度，并將“熱”信息傳遞給IC進行處理，使耐熱性差的元件不被熱而破壞，讓精度不準的元件能良好運作。PTC熱敏電阻的電阻值隨溫度的上升而增大，具有三個主要

http://m.kannic.com/Article/ptcrmdzddz_1.html

[常見問題解答]內置肖特基二極管的MOSFET能不能提高應用性能[ 2019-11-29 14:54 ]

當一個功率MOSFET被用在電橋拓撲或用作電源二次側同步整流時，體漏二極管的特性及質量因子將變得非常重要。當需要Qrr數值很低的軟反向恢復時，集成肖特基二極管的新60V“F7”功率MOSFET確保能效和換向性能更加出色。在同步整流和電橋結構中，RDSon和Qg兩個參數并不是對功率MOSFET的唯一要求，實際上，本征體漏二極管的動態特性對MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,diode)影響開關在續流期間(開關處于關斷狀態，電流從源極經本征二極管流至漏極)的功率損耗；反向恢

http://m.kannic.com/Article/nzxtjejgdm_1.html

[常見問題解答]IGBT主要參與應用特點[ 2019-10-11 12:05 ]

IGBT主要參與應用特點IGBT是一種雙極性功率半導體器件，由BJT(雙極型三極管)和MOS管復合而成, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，特別是600V以上應用中的功率損失相當低。雖然可以通過工藝技術提高BJT的性能，但無法從根本上解決BJT的電荷存儲時間（STORAGE TIME）問題。也就是說，BJT在關閉時需耗費較長時間，不適合高速切換的應用，但完全滿足市電供電的應用。IGBT基本特性包括靜態特性和動態特性，其中靜態特性由輸出特性和轉移特性組成，動態特性描述IGBT器件開關過程。

http://m.kannic.com/Article/igbtzycyyy_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導 航/Navigation

地 址/Address

導航/Navigation

地址/Address