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[常見問題解答]三極管電路常見故障及其排查步驟詳解[ 2024-11-02 17:11 ]: 三極管是重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中，在信號(hào)放大、開關(guān)控制等方面發(fā)揮著重要作用。但隨著時(shí)間的推移或使用環(huán)境的變化，三極管電路可能會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤。這些錯(cuò)誤不僅影響電路的正常工作，而且還會(huì)損壞設(shè)備。因此，對(duì)于電子愛好者和工程師來說，了解三極管電路的常見錯(cuò)誤及其故障排除步驟非常重要。一、錯(cuò)誤分析1. 晶體管損壞：晶體管損壞是過流引起的最常見錯(cuò)誤之一。電壓、過流或靜電擊穿可能會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部結(jié)構(gòu)損壞，表現(xiàn)為短路或開路。2. 基極電壓異常：基極電壓異常通常與基極電阻損壞或電源電壓不穩(wěn)定有關(guān)。基極電壓對(duì)于晶體管的工作狀態(tài)很; http://m.kannic.com/Article/sjgdlcjgzj_1.html

[常見問題解答]MOSFET的失效機(jī)理介紹[ 2023-05-06 17:11 ]: MOSFET的失效機(jī)理介紹MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效本文的關(guān)鍵要點(diǎn)當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，會(huì)流過大電流，存在MOSFET失效的危險(xiǎn)。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和熱量造成的失效。dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。dV/dt是單位時(shí)間內(nèi)的電壓變化量，VDS的上升坡度越陡，越容易發(fā)生MOSFET的dV/dt失效問題。一; http://m.kannic.com/Article/mosfetdsxj_1.html

[常見問題解答]MOS管中的密勒效應(yīng)詳解[ 2023-02-21 17:55 ]: 前面我們?cè)敿?xì)的介紹了共射放大電路的設(shè)計(jì)步驟，對(duì)于低頻信號(hào)，可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號(hào)頻率的增加，MOS管的寄生電容就不得不考慮。MOS管有極間電容有Cgd，Cgs，Cds。MOS管的寄生電容Cgs跨接在輸入端與地之間，對(duì)于輸入端來說與基極電阻構(gòu)成了低通濾波器，會(huì)使MOS管的高頻性能下降。Cds跨接在輸出端與地之間，對(duì)于輸出端來說與基極電阻構(gòu)成了低通濾波器，會(huì)使MOS管的高頻性能下降。雖然Cgs和Cds都使MOS管的高頻性能下降，卻很好理解。只要知道了這兩個(gè)容值，和輸入輸出電阻就可以計(jì)算出截止頻率，; http://m.kannic.com/Article/mosgzdmlxy_1.html

[常見問題解答]三極管作為開關(guān)的功能實(shí)例圖片介紹[ 2022-12-06 14:59 ]: （晶體管（三極管）的功能之一就是作為開關(guān)，利用其截止特性，實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能。但是很多人并不能很好的理解三極管的開關(guān)功能，下面以 8 個(gè)實(shí)例圖片，生動(dòng)的闡述三極管作為開關(guān)的功能。低邊開關(guān)高邊開關(guān)基極電阻非門電路與門或門橋振蕩器壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場效應(yīng)管)、橋堆”研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，20年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擁有先進(jìn)全自動(dòng)化雙軌封裝生產(chǎn)線、高速檢測設(shè)備等，研發(fā)技術(shù)、芯片源自臺(tái)灣，專業(yè)生產(chǎn)流程管理及工程團(tuán)隊(duì)，保障所生產(chǎn)每一批物料質(zhì)量穩(wěn)定和更長久的使用壽命，實(shí)現(xiàn)高度自動(dòng)化生產(chǎn)，大幅降低人工成本，; http://m.kannic.com/Article/sjgzwkgdgn_1.html

[常見問題解答]三極管典型開關(guān)電路介紹[ 2022-11-01 12:08 ]: 1.基極必須串接電阻，保護(hù)基極，保護(hù)CPU的IO口。2.基極根據(jù)PNP或者NPN管子加上拉電阻或者下拉電阻。3.集電極電阻阻值根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流實(shí)際情況調(diào)整。同樣基極電阻也可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整。基極和發(fā)射極需要串接電阻，該電阻的作用是在輸入呈高阻態(tài)時(shí)使晶體管可靠截止，極小值是在前級(jí)驅(qū)動(dòng)使晶體管飽和時(shí)與基極限流電阻分壓后能夠滿足晶體管的臨界飽和，實(shí)際選擇時(shí)會(huì)大大高于這個(gè)極小值，通常外接干擾越小、負(fù)載越重準(zhǔn)許的阻值就越大，通常采用10K量級(jí)。防止三極管受噪聲信號(hào)的影響而產(chǎn)生誤動(dòng)作，使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空; http://m.kannic.com/Article/sjgdxkgdlj_1.html

[常見問題解答]半導(dǎo)體三極管的知識(shí)簡介(4)[ 2021-03-22 11:08 ]: 半導(dǎo)體三極管的知識(shí)簡介(4)三極管知識(shí)簡介（4） 3．三極管性能的簡易測量 (1) 用萬用表電阻檔測ICEO和β 基極開路，萬用表黑表筆接NPN管的集電極c、紅表筆接發(fā)射極e(PNP管相反)，此時(shí)c、e間電阻值大則表明ICEO小，電阻值小則表明ICEO大。用手指代替基極電阻Rb，用上法測c、e間電阻，若阻值比基極開路時(shí)小得多則表明 β值大。 (2) 用萬用表hFE檔測β有的萬用表有hFE檔，按表上規(guī)定的極型插入三極管即可測得電流放大系數(shù)β，若β很小或?yàn)榱悖砻魅龢O管己損壞，可; http://m.kannic.com/Article/bdtsjgdzsjj4_1.html

[常見問題解答]三極管典型開關(guān)電路分析[ 2021-03-06 14:01 ]: 三極管典型開關(guān)電路分析1.基極必須串接電阻，保護(hù)基極，保護(hù)CPU的ＩＯ口。２.基極根據(jù)ＰＮＰ或者ＮＰＮ管子加上拉電阻或者下拉電阻。３.集電極電阻阻值根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流實(shí)際情況調(diào)整。同樣基極電阻也可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整。基極和發(fā)射極需要串接電阻，該電阻的作用是在輸入呈高阻態(tài)時(shí)使晶體管可靠截止，極小值是在前級(jí)驅(qū)動(dòng)使晶體管飽和時(shí)與基極限流電阻分壓后能夠滿足晶體管的臨界飽和，實(shí)際選擇時(shí)會(huì)大大高于這個(gè)極小值，通常外接干擾越小、負(fù)載越重準(zhǔn)許的阻值就越大，通常采用10K量級(jí)。防止三極管受噪聲信號(hào)的影響而產(chǎn)生誤動(dòng)作，使晶體管截止更可靠！三; http://m.kannic.com/Article/sjgdxkgdlf_1.html

[常見問題解答]晶體三極管hFE測試器[ 2019-10-21 14:06 ]: 不用表頭指示的晶體三極管hFE測試器晶體三極管(NPN或PNP型)直流放大倍數(shù)hFE是三極管最基本的測量參數(shù)。所以，很多數(shù)字多用表，均可測試三極管的hFE.這里為讀者介紹一種不用表頭顯示的三極管NPN或PNP型hFE參數(shù)測試器，其電路簡單，很適合初學(xué)電子技術(shù)人員自制，其測試電路如附圖所示。1．電路工作原理在附圖電路中，把被測三極管(NPN或PNP型)插入晶體管插座上，此時(shí)，M點(diǎn)的電壓提供的電流，通過開關(guān)S1A經(jīng)被測臂的集電極電阻 RC1 或RC2、RP、開關(guān)S1B、被測管基極電阻RB1或RB2到B—; http://m.kannic.com/Article/jtsjghfecs_1.html

[常見問題解答]三極管典型開關(guān)電路資料[ 2019-10-19 14:30 ]: 三極管典型開關(guān)電路資料1.基極必須串接電阻，保護(hù)基極，保護(hù)CPU的ＩＯ口。２.基極根據(jù)ＰＮＰ或者ＮＰＮ管子加上拉電阻或者下拉電阻。３.集電極電阻阻值根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流實(shí)際情況調(diào)整。同樣基極電阻也可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整。基極和發(fā)射極需要串接電阻，該電阻的作用是在輸入呈高阻態(tài)時(shí)使晶體管可靠截止，極小值是在前級(jí)驅(qū)動(dòng)使晶體管飽和時(shí)與基極限流電阻分壓后能夠滿足晶體管的臨界飽和，實(shí)際選擇時(shí)會(huì)大大高于這個(gè)極小值，通常外接干擾越小、負(fù)載越重準(zhǔn)許的阻值就越大，通常采用10K量級(jí)。防止三極管受噪聲信號(hào)的影響而產(chǎn)生誤動(dòng)作，使晶體管截止更可靠！三; http://m.kannic.com/Article/sjgdxkgdlz_1.html

[常見問題解答]單結(jié)晶體管的原理(UJT-基極二極管)[ 2019-09-24 10:52 ]: 什么是單結(jié)晶體管原理(UJT-基極二極管)單結(jié)晶體管（簡稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電呼如圖1所示。圖1、單結(jié)晶體管一、單結(jié)晶體管的特性從圖1可以看出，兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻：rbb=rb1+rb2式中：rb1----第一基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值隨發(fā)射極電流ie而變化，rb2為第二基極與; http://m.kannic.com/Article/djjtgdyluj_1.html

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