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        [常見問題解答]多晶硅作為柵極材料的優(yōu)勢與應(yīng)用前景[ 2025-02-15 10:45 ]
        在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,柵極材料的選擇對于晶體管性能和集成電路的穩(wěn)定性至關(guān)重要。隨著技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)的鋁柵逐步被多晶硅柵取代,尤其是在高性能的MOSFET(氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和其他集成電路中。多晶硅作為柵極材料的應(yīng)用,已經(jīng)成為現(xiàn)代半導(dǎo)體器件制造中的重要組成部分。一、多晶硅柵極的優(yōu)勢1. 優(yōu)良的電氣性能多晶硅作為柵極材料,具有顯著的電氣性能優(yōu)勢。相比傳統(tǒng)的鋁柵,多晶硅在高電壓工作條件下能夠提供更低的漏電流和更強(qiáng)的電流控制能力。這是因?yàn)槎嗑Ч璨牧系碾妼?dǎo)率較低,能有效地抑制柵極漏電流,尤其是在微米級甚至納米級工藝中,表
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