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        [常見問題解答]柵極-源極電壓產生的浪涌介紹[
                                        2023-05-18 17:55
                                        ]
        
                                
        
                                    柵極-源極電壓產生的浪涌介紹MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至于開關時的電壓和電流的變化已經無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發生變化時，可能會發生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。在本文中，將對相應的對策進行探討。什么是柵極－源極電壓產生的浪涌？右側的電路圖是在橋式結構中使用Si
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/zjyjdycsdl_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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