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[常見問題解答]MOS管G極和S極串聯(lián)電阻的區(qū)別與應(yīng)用[ 2024-10-29 14:45 ]

MOS晶體管（MOSFET）在開發(fā)和應(yīng)用中，柵極（G）和源極（S）的串聯(lián)電阻選擇與配置至關(guān)重要。這兩個(gè)電阻各自的功能和作用雖有相似之處，但在不同應(yīng)用場(chǎng)景中的表現(xiàn)卻截然不同。一、柵極（G）串聯(lián)電阻的作用1. 控制瞬時(shí)電流在開關(guān)MOS管時(shí)，柵極的充放電對(duì)MOS管性能影響重大。MOS管的電容（如CGS、CGD）在開關(guān)時(shí)需要充放電，會(huì)產(chǎn)生瞬時(shí)電流。如果驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻較小，則瞬時(shí)電流值可能較高，導(dǎo)致MOS管損壞。G極串聯(lián)電阻的作用是防止柵極瞬時(shí)電流，減少高頻應(yīng)用中的開關(guān)損耗，使得MOS管的開關(guān)操作更加平滑。2. 抑制振蕩在高

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[常見問題解答]開關(guān)MOS管溫升過高？看看這些可能的原因[ 2024-10-12 15:15 ]

開關(guān)MOS管廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中，特別是在電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)方面。然而，MOS管的溫升問題常常困擾工程師，尤其是在高頻開關(guān)應(yīng)用中，過高的溫度會(huì)導(dǎo)致性能下降和元件損壞。本文詳細(xì)分析了開關(guān)MOS管溫升過高的最常見原因，并介紹了一些對(duì)策，以幫助更好的設(shè)計(jì)和優(yōu)化。一、導(dǎo)通電阻和功率損耗1. 當(dāng)MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，溝道中存在一定的電阻，稱為導(dǎo)通電阻（RDS(on)），它會(huì)產(chǎn)生熱量，導(dǎo)致溫度過度升高。在設(shè)計(jì)時(shí)，導(dǎo)通電阻的大小通常由器件制造工藝、柵極驅(qū)動(dòng)電壓和工作溫度等因素決定。2. 選擇低導(dǎo)通電阻的管子可以減少功耗和溝

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[常見問題解答]電路設(shè)計(jì)，電源開關(guān)MOS管電路分析[ 2023-10-12 18:09 ]

電路設(shè)計(jì)，電源開關(guān)MOS管電路分析MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。一般的電源開關(guān)電路，控制電源的目的是省電，控制靜態(tài)電流。不過以下的電路存在著幾個(gè)缺點(diǎn)：1.管壓降較大我們知道采用PNP管子作為開關(guān)管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會(huì)導(dǎo)致由此供電的芯片損壞。PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實(shí)際的值在1歐

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[常見問題解答]雙相PFC電路的工作原理介紹[ 2023-06-27 18:37 ]

雙相PFC電路的工作原理介紹圖1 雙相PFC主電路拓?fù)浼皢蝹€(gè)單元單開關(guān)周期工作電流波形該拓?fù)淇刂品绞降腜FC電路，有橋堆整流，為后邊的Boost電路提供直流輸入，TM的控制方式使高頻開關(guān)MOS管可以實(shí)現(xiàn)VS或者ZVS，續(xù)流二極管可以自然關(guān)斷，也不存在反向恢復(fù)損耗，可以降低電路工作的開關(guān)損耗。有橋TM PFC主功率電路中沒有高頻全控開關(guān)管組成的橋臂，也不需要做AC極性判斷，與TCM控制方式的圖騰柱PFC拓?fù)湎啾龋刂齐y度大大降低了;而對(duì)比CCM控制，又可以獲得較高的電能轉(zhuǎn)化效率。主功率電路拓?fù)錇檎鳂?兩路交錯(cuò)并聯(lián)的

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[常見問題解答]MOS管快速關(guān)斷的電路介紹[ 2023-04-08 17:14 ]

MOS管快速關(guān)斷的電路介紹一.前言當(dāng)我們使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時(shí)，由于此時(shí)開關(guān)頻率比較高，此時(shí)就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管，從理論上說，MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵極驅(qū)動(dòng)電路。當(dāng)然電流更高的關(guān)斷電路可以更快對(duì)輸入電容器放電，從而縮短開關(guān)時(shí)間，進(jìn)而降低開關(guān)損耗。如果使用普通的 N 溝道器件，通過更低輸出阻抗的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器和/或負(fù)關(guān)斷電壓，可以增大放電電流。提高開關(guān)速度也能降低開關(guān)損耗，當(dāng)然由于 MOSFET 的快速關(guān)斷也會(huì)造成 di/dt 和 dv/dt 更高，因此關(guān)斷加速電路會(huì)在波形

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[常見問題解答]升壓電路之3.7v升壓5v電路圖介紹[ 2022-12-21 14:05 ]

3.7v升壓5v電路圖（一）LY1058?300KHz開關(guān)型DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。輸入電壓2.6-5.5V。低保持電壓：0.9V，啟動(dòng)電壓1.2V。?固定輸出電壓：5V1500mA。外置開關(guān)MOS管。封裝：SOT-23-5。LY9899?300KHzPFM/PWM自動(dòng)轉(zhuǎn)換開關(guān)型DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。低電壓?jiǎn)?dòng)：0.8V啟動(dòng)，輸入電壓0.8-6.5V。輸出電壓范圍：1.5V~20V；可調(diào)輸出。輸出電流：300mA~2000mA。外置開關(guān)MOS管。封裝：SOT-23-5。以下是種簡(jiǎn)單的直流升壓電路，主要優(yōu)點(diǎn)：電路簡(jiǎn)單、

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[常見問題解答]DC-DC電源經(jīng)常嘯叫的原因和解決辦法介紹[ 2022-11-24 16:34 ]

穩(wěn)壓電源電路輸出的開關(guān)電流的頻率，或周期性脈沖群的周期頻率，或毛刺的周期頻率落入20~20kHz的音頻范圍，且周期性變化的電流經(jīng)過電感線圈而產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，使得該電感線圈在交變磁場(chǎng)作用下像“喇叭”一樣在幾乎固定的頻率上產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)而發(fā)出嘯叫。嘯叫聲音的大小與電感繞制的質(zhì)量有一定關(guān)系，繞制較松，其產(chǎn)生的嘯叫聲將較大。引起DC-DC電路電感嘯叫的因素1、負(fù)載電流過大。DC-DC芯片內(nèi)部有一個(gè)限流保護(hù)電路，當(dāng)負(fù)載超過IC內(nèi)部的開關(guān)MOS管的最大電流時(shí)，限流電路檢測(cè)電路就會(huì)調(diào)整芯片內(nèi)部的占空比，或者停

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[常見問題解答]開關(guān)MOS管-開關(guān)MOS管的工作原因以及詳細(xì)解析[ 2020-12-08 14:44 ]

開關(guān)MOS管-開關(guān)MOS管的工作原因以及詳細(xì)解析開關(guān)MOS管的工作原理一、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS.下面的介紹中，也多以NMOS為主

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