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        [常見問題解答]集電極開路開關(guān)電路詳解[ 2023-05-26 17:04 ]
        集電極開路開關(guān)電路詳解集電極開路晶體管電路下圖顯示了集電極開路開關(guān)電路的典型布置,該電路可用于驅(qū)動機電型設(shè)備以及許多其他開關(guān)應(yīng)用。NPN晶體管基極驅(qū)動電路可以是任何合適的模擬或數(shù)字電路。晶體管的集電極連接到要切換的負載,晶體管的發(fā)射極端子直接接地。對于 NPN 型集電極開路輸出,當(dāng)控制信號施加到晶體管的基極時,它會導(dǎo)通,并且連接到集電極端子的輸出通過現(xiàn)在導(dǎo)通的晶體管結(jié)點被下拉到地電位連接的負載并將其打開。因此,晶體管開關(guān)并傳遞負載電流 I L,其使用歐姆定律確定為:負載電流,I load = 負載電壓 / 負載電阻
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        [常見問題解答]晶體管電路低邊和高邊的工作原理介紹[ 2023-04-19 17:44 ]
        晶體管電路低邊和高邊的工作原理介紹為什么存在這兩種方式,它們的工作原理,以及何時使用它們?電路中,晶體管常常被用來當(dāng)做開關(guān)使用。晶體管用作開關(guān)時有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管(BJT)或者場效應(yīng)管(MOSFET)。1. 低邊晶體管電路低邊開關(guān),晶體管接地,也就是說晶體管在負載和地之間。由于晶體管正在開關(guān)接地線路或位于負載的低電壓端,因此稱為低邊開關(guān)。通常使用 NPN 型三極管或者 N 溝道場效應(yīng)管。對于
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        [常見問題解答]集電極開路的相關(guān)電路介紹[ 2023-04-12 18:31 ]
        集電極開路的相關(guān)電路介紹集電極開路電路、集電極開路晶體管電路、集電極開路工作原理、集電極開路TTL、集電極開路輸出接線圖、集電極開路優(yōu)缺點。在數(shù)字芯片設(shè)計、微控制器應(yīng)用和運算放大器中,集電極開始輸出通常用于驅(qū)動繼電器等高負載或用于連接其他電路。眾所周知,BJT是一個晶體管,有三個端子(發(fā)射極、基極和集電極),這些端子主要可以配置三種開關(guān)模式:共基極、共集電極和共發(fā)射極。一、集電極開路是什么意思?集電極開路是各種集成電路中常見的輸出。集電極開路就像一個接地或斷開的開關(guān)。除了將IC或任何其他晶體管的輸出連接到特定設(shè)備外
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        [常見問題解答]低邊和高邊晶體管電路的工作原理介紹[ 2023-02-18 11:00 ]
        為什么存在這兩種方式,它們的工作原理,以及何時使用它們?電路中,晶體管常常被用來當(dāng)做開關(guān)使用。晶體管用作開關(guān)時有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管(BJT)或者場效應(yīng)管(MOSFET)。1. 低邊晶體管電路低邊開關(guān),晶體管接地,也就是說晶體管在負載和地之間。由于晶體管正在開關(guān)接地線路或位于負載的低電壓端,因此稱為低邊開關(guān)。通常使用 NPN 型三極管或者 N 溝道場效應(yīng)管。對于 NPN 三極管來說,發(fā)射極接地,集
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        [常見問題解答]可控硅(晶閘管)原理圖及工作原理分析[ 2023-01-03 16:08 ]
        可控硅T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成可控硅的主電路,可控硅的門極G和陰極K與控制可控硅的裝置連接,組成可控硅的控制電路。從可控硅的內(nèi)部分析工作過程:可控硅是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)可控硅承受正向陽極電壓時,為使可控硅導(dǎo)銅,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門機電流Ig流
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        [常見問題解答]三極管基礎(chǔ)知識和檢測方法簡介[ 2021-03-03 10:46 ]
        三極管基礎(chǔ)知識和檢測方法簡介一、晶體管基礎(chǔ)雙極結(jié)型三極管相當(dāng)于兩個背靠背的二極管 PN 結(jié)。正向偏置的 EB 結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū),其中大部分空穴能夠到達集電結(jié)的邊界,并在反向偏置的 CB 結(jié)勢壘電場的作用下到達集電區(qū),形成集電極電流 IC 。在共發(fā)射極晶體管電路中 , 發(fā)射結(jié)在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。絕大部分 的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結(jié)上。由于 VBE 很小,所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β = IC /
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        [常見問題解答]晶體管作為放大器-電路圖和晶體管工作原理[ 2020-05-15 16:28 ]
        晶體管作為放大器-電路圖和晶體管工作原理晶體管是三端子半導(dǎo)體器件,端子是E(發(fā)射極)、B(基極)和C(集電極)。晶體管可以工作在三個不同的區(qū)域,如有源區(qū),截止區(qū)和飽和區(qū)。晶體管在截止區(qū)域工作時關(guān)閉,并在飽和區(qū)域工作時導(dǎo)通。晶體管在有源區(qū)工作時作為放大器工作。晶體管作為放大器的主要功能是增強輸入信號而不會發(fā)生太大變化。本文討論晶體管如何作為放大器工作、晶體管原理和作為放大器的晶體管電路設(shè)計圖。晶體管作為放大器放大器電路可以定義為用于放大信號的電路。放大器的輸入是電流,否則是電流,其中輸出將是放大器輸入信號。使用晶體管
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        [常見問題解答]IGBT絕緣柵雙極晶體管電路與特性[ 2019-11-22 12:30 ]
        IGBT是半導(dǎo)體器件,IGBT的縮寫是絕緣柵雙極晶體管。它由具有大范圍雙極性載流能力的三個端子組成。IGBT的設(shè)計者認為這是一種具有CMOS輸入和雙極性輸出的壓控雙極性器件。IGBT的設(shè)計可以使用單片形式的BJT和MOSFET晶體管之類的兩種器件來完成。它結(jié)合了兩者的最佳資產(chǎn),以實現(xiàn)最佳的器件特性。絕緣柵雙極晶體管的應(yīng)用包括電源電路,脈沖寬度調(diào)制,電力電子設(shè)備,不間斷電源等等。該設(shè)備用于提高性能,效率并降低可聽噪聲級。它也固定在諧振模式轉(zhuǎn)換器電路中。優(yōu)化的絕緣柵雙極晶體管可實現(xiàn)低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。絕緣柵雙極晶體管絕緣
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        [常見問題解答]晶體管電路設(shè)計實驗板知識[ 2019-11-02 10:02 ]
        晶體管電路設(shè)計實驗板知識首先來看一個負載控制的實例,電路中以“{RL}”來替代負載。通過單片機的I/O來方便的控制負載通斷電,圖1所示的電路簡單明了,使用一個NPN晶體管,高電壓平通,低電平斷。但再仔細想想,好像沒有表面上的那么簡單,至少需要考慮到以下幾個因素:流入晶體管基極電流的大小,取決于負載電流和hFE( DC Current Gain);晶體管的電大允許通過電流,取決于IC( Collector Current - Continuous);晶體管集電極的電大耐壓值,取決于VCEO(C
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        地 址/Address

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