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        [常見問題解答]如何提升關(guān)斷速度?深入解讀驅(qū)動(dòng)電路的加速關(guān)斷原理[ 2024-10-28 14:20 ]
        在高頻電路設(shè)計(jì)中,提高M(jìn)OSFET、IGBT等功率器件的關(guān)斷速度對(duì)于提升電路效率至關(guān)重要。快速關(guān)斷可以降低功耗,縮短響應(yīng)時(shí)間。以下介紹關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路的原理、常用方法和重要設(shè)計(jì)要點(diǎn)。一、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路核心原理關(guān)斷時(shí),必須快速放電柵極電荷,使關(guān)斷時(shí)間盡可能短。MOSFET等功率器件的柵極和源極之間通常存在電容,該電容直接影響充電放電速率。加速關(guān)斷電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)在于快速降低柵源極之間的柵源電壓,通過連接到電源來實(shí)現(xiàn)電容器的快速放電過程。典型的加速關(guān)斷電路通過將二極管和電阻器與柵極驅(qū)動(dòng)電阻器并聯(lián),以加速電容器放電。二極管
        http://m.kannic.com/Article/rhtsgdsdsr_1.html3星
        [常見問題解答]MOSFET知識(shí)-關(guān)于MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻的選擇,詳情解析[ 2020-11-16 16:10 ]
        MOSFET知識(shí)-關(guān)于MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻的選擇,詳情解析關(guān)于MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻的選擇等效驅(qū)動(dòng)電路:L為PCB走線電感,根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm,考慮其他走線因素,取L=Length+10(nH),其中Length單位取mm。Rg為柵極驅(qū)動(dòng)電阻,設(shè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)為12V峰值的方波。Cgs為MOSFET柵源極電容,不同的管子及不同的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)會(huì)不一樣,這兒取1nF。VL+VRg+VCgs=12V根據(jù)走線長(zhǎng)度可以得到Rg最小取值范圍。 分別考慮20m長(zhǎng)m和70mm長(zhǎng)的走線: L20=30nH,L70=80nH,
        http://m.kannic.com/Article/mosfetzsgy_1.html3星
        [常見問題解答]MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻怎么設(shè)計(jì)[ 2019-12-05 12:17 ]
        MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻怎么設(shè)計(jì)MOS管的驅(qū)動(dòng)對(duì)其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計(jì)師既要考慮減少開關(guān)損耗,又要求驅(qū)動(dòng)波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的,需要尋求一個(gè)平衡點(diǎn),即驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)。驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)包含兩部分內(nèi)容:一是最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電流、電壓的波形;二是最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電壓、電流的大小。在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)之前,必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開關(guān)過程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)的影響。MOS管的模型MOS管的等效電路模型及寄生參數(shù)如圖
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