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[常見問題解答]高性能MOS管選型指南：如何看懂質(zhì)量與穩(wěn)定性參數(shù)[ 2025-04-17 10:55 ]

在功率電子設(shè)計中，MOSFET（場效應(yīng)晶體管）以其快速開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻以及優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，成為電源管理、電機驅(qū)動、逆變器等領(lǐng)域不可或缺的核心元件。然而，面對市面上種類繁多、參數(shù)各異的MOS管，工程師在選型時常常遇到困擾。一、導(dǎo)通電阻Rds(on)：影響發(fā)熱和能耗的關(guān)鍵參數(shù)導(dǎo)通電阻是判斷MOS管性能的重要指標之一，數(shù)值越小，在工作狀態(tài)下電壓降越低，發(fā)熱量越少。例如，用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET，Rds(on)應(yīng)控制在幾毫歐以下，以確保轉(zhuǎn)換效率最大化。需要注意的是，在選型時應(yīng)同時參考其在特定漏極電壓和柵壓

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[常見問題解答]漏極電壓與溝道關(guān)系：MOS管溝道為何在電壓增大時變窄？[ 2024-10-23 16:05 ]

MOSFET是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，利用電場來控制導(dǎo)電通道的形成和電流的流動。隨著漏極電壓的增加，溝道寬度的變化對器件性能產(chǎn)生顯著影響，特別是在高頻電路和電力電子領(lǐng)域。MOS管的溝道會隨著漏極電壓的增加而變窄，其背后的物理機制是多方面的。一、MOS管的基本工作原理要了解漏極電壓對溝道的影響，我們首先需要了解MOS管是如何由柵極、漏極、源極和襯底組成的。MOS管的類型為n型源漏摻雜區(qū)，襯底通常為p型半導(dǎo)體，柵極通過氧化層與襯底絕緣，形成絕緣柵結(jié)構(gòu)。當(dāng)在柵電極之間施加電壓時，柵極下方的基板區(qū)域由于電場的作用而形成

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[常見問題解答]場效應(yīng)管電源開關(guān)電路介紹[ 2023-10-13 18:21 ]

場效應(yīng)管電源開關(guān)電路介紹OS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。MOS

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[常見問題解答]場效應(yīng)管10N65怎么測量好壞[ 2023-08-09 18:01 ]

MOS管10N65怎么測量好壞為什么要檢測mos管的好壞？為了保護板上的其他元件，在將MOS管10N65連接到電路之前對其進行測試至關(guān)重要。mos管10N65主要有漏極、源極和柵極三個引腳。當(dāng)使用有故障的MOS管時，會發(fā)生漏極到柵極的短路，對電路不利。這種短路的結(jié)果可能是漏極電壓反饋，這也會影響柵極端子。電壓到達該端后，通過柵極電阻進一步傳輸?shù)津?qū)動電路，這種傳輸可能對驅(qū)動電路造成進一步的損壞。因此，在使用前檢測mos管10N65的質(zhì)量可以避免損壞整個電路。那么MOS管10N65如何測量好壞呢？測量mos管10N65

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[常見問題解答]MOS管開關(guān)原理及基礎(chǔ)知識詳解[ 2022-12-30 17:50 ]

一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的 MOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動的 MOS 管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比 VCC 大 4V 或 10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比 VCC 大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動 MOS 管。MOS 管是電壓驅(qū)動，按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導(dǎo)通 DS，柵極串多大電阻均能導(dǎo)通。但如果要求開關(guān)頻率較高時，柵對地或 VCC 可以看做是一個電容，對

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[常見問題解答]場效應(yīng)MOS管和最簡單的CMOS邏輯門電路解析-壹芯微[ 2021-08-04 11:46 ]

場效應(yīng)MOS管和最簡單的CMOS邏輯門電路解析-壹芯微現(xiàn)代單片機主要是采用CMOS工藝制成的。以N型管為例，2端為控制端，稱為[柵極]；3端通常接地，稱為[源極]；源極電壓記作Vss，1端接正電壓，稱為[漏極]，漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導(dǎo)通，柵極2上要加高電平。1、MOS管MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：以N型管為例，2端為控制端，稱為[柵極]；3端通常接地，稱為[源極]；源極電壓記作Vss，1端接正電壓，稱為[漏極]，漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導(dǎo)通，柵極2上要加高電平。對P型管，

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[常見問題解答]〔壹芯〕生產(chǎn)MMBTA92晶體管,參數(shù)達標,質(zhì)量穩(wěn)定[ 2021-06-10 10:00 ]

〔壹芯〕生產(chǎn)MMBTA92晶體管,參數(shù)達標,質(zhì)量穩(wěn)定晶體管(TRANSISTORS)型號：MMBTA92　　　　　　極性：PNPIC(mA)：500　　　　　　　　BVCBO(V)：300BVCEO(V)：300　HFE　MIN：100　MAX：200 VCE(sat)　(V)：0.2　IC(mA)：20　IB(mA)：2封裝：SOT-89 TO-92電力場效應(yīng)晶體管的換流安全工作區(qū)在電力MOSFET換流過程中，當(dāng)器件體內(nèi)反并聯(lián)二極管從導(dǎo)通狀態(tài)進入反向恢復(fù)期時，如果漏極電壓上升率duDS/dt過大，則很容

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[常見問題解答]場效應(yīng)管常用三大作用介紹:放大作用-恒流輸出-開關(guān)導(dǎo)通[ 2021-03-31 10:23 ]

場效應(yīng)管常用三大作用介紹:放大作用-恒流輸出-開關(guān)導(dǎo)通1、放大電路場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應(yīng)用很廣泛，如下圖是主要是由場效應(yīng)管組成的恒流源

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[常見問題解答]MOSFET擊穿電壓-MOS管擊穿特性原因以及解決方案[ 2020-12-08 15:50 ]

MOSFET擊穿電壓-MOS管擊穿特性原因以及解決方案MOSFET擊穿電壓有哪幾種場效應(yīng)管的三極:源級（Source）S、漏級（Drain）D、柵級（Gate）G(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對MOSFET擊穿電壓漏極電壓擊穿)先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain（漏級）到source（源級）、Drain（漏級）到Bulk、Drain（漏級）到Gate（柵級）。1)MOSFET擊穿電壓-Drain（漏極）->

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[常見問題解答]分析短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)知識[ 2020-11-10 16:57 ]

分析短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)知識MOSFET的短溝道效應(yīng)當(dāng)MOS晶體管的溝道長度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相比擬時,會出現(xiàn)一些不同于長溝道MOS管特性的現(xiàn)象,統(tǒng)稱為短溝道效應(yīng)，它們歸因于在溝道區(qū)出現(xiàn)二維的電勢分布以及高電場。MOSFET的短溝道效應(yīng)：當(dāng)溝道區(qū)的摻雜濃度分布一定時,如果溝道長度縮短,源結(jié)與漏結(jié)耗盡層的厚度可與溝道長度比擬時，溝道區(qū)的電勢分布將不僅與由柵電壓及襯底偏置電壓決定的縱向電場有關(guān)，而且與由漏極電壓控制的橫向電場也有關(guān)。換句話說,此時緩變溝道近似不再成立。這個二維電勢分布會導(dǎo)致

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[常見問題解答]MOS管擊穿-你了解幾種-MOS管擊穿解析[ 2020-08-28 17:35 ]

MOS管擊穿-你了解幾種-MOS管擊穿解析MOS管擊穿有哪些?場效應(yīng)管的三極：源級S 漏級D 柵級G。先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。（一） Drain-》Source穿通擊穿這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展，當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時候，那源漏之間就不需要開啟就形成了通路，所以叫做穿通（punch thr

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[常見問題解答]MOS管開關(guān)電路知識-解析MOS管在開關(guān)電路中的使用[ 2020-06-26 16:35 ]

MOS管開關(guān)電路知識-解析MOS管在開關(guān)電路中的使用MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的

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[常見問題解答]MOS管的結(jié)構(gòu)-選擇與原理應(yīng)用[ 2020-03-02 14:06 ]

MOS管的結(jié)構(gòu)-選擇與原理應(yīng)用 MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了

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[常見問題解答]mos管源漏極-mosfet管柵極電壓-P型mosfet管的解析[ 2019-09-18 11:24 ]

MOSFET 管的最大柵極電壓大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個限制，器件就容易被損壞。當(dāng)MOSFET管工作時運用柵極輸入電阻，并在一個具有較大供電電壓的電路中關(guān)斷，就會呈現(xiàn)柵極電壓超限的問題。以一個工作于直流線電壓為 160V （最大可為 186V）電路中的正激變換器為例中止分析。當(dāng)MOSFET管在最大線電壓下關(guān)斷，它的漏極電壓上升到 2 倍線電壓即 372V 。這個正向電壓前沿的一部分藕合回來，由Crss 和 Ciss 分壓。關(guān)于MTH7N45 管

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[常見問題解答]漏極電流與漏源極間電壓[ 2019-09-12 11:10 ]

90%滿載狀況下，輸入電壓為其最小值、最大值及額定值時漏極電流和漏源極間電壓的波形這些波形如圖 14.19 所示。MOS管開關(guān)電源管導(dǎo)通時，初級電流波形是線性增加的斜坡外形關(guān)斷霎時，上升的漏極電壓上有漏感尖峰。尖峰的數(shù)值由 RCD 緩沖器的電容 C2 控制。這個電容器件應(yīng)選得足夠大，既能限制漏感尖峰以保證開關(guān)管平安，又不會使緩沖器電阻 RI 上的損耗過大。從圖 14.19 中的波形可見，飛c增加時，為堅持主輸出電壓恒定脈寬變窄了（反應(yīng)環(huán)起作用）。從波形還能夠看出，輸出功率恒定時斜坡電流峰值在一

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