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        [常見問題解答]設計整流二極管電路時需要關注的關鍵因素[ 2025-02-07 11:28 ]
        整流二極管在電子電路中扮演著至關重要的角色,主要用于將交流電轉換為直流電。無論是在電源適配器、工業電源,還是汽車電子等應用場景中,整流二極管的合理選擇和電路設計都會直接影響系統的性能、穩定性和壽命。因此,在設計整流二極管電路時,需要全面考慮多個關鍵因素,以確保電路的可靠性和高效性。一、整流二極管的選擇1. 電流承載能力在整流電路中,二極管需要處理電源流過的電流,因此必須選擇額定電流大于實際工作電流的二極管,以避免器件過熱損壞。例如,在某些大功率整流電路中,肖特基二極管因其較低的正向壓降和高效率成為理想選擇。2. 反
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        [常見問題解答]提高電路抗干擾能力:ESD保護器件應用環境的關鍵因素[ 2025-01-06 12:14 ]
        電磁干擾和靜電放電 (ESD) 是設計現代電子設備時不可忽視的兩個風險源。隨著技術的不斷發展,電子產品的集成度逐漸提高,為了保證電子設備的穩定運行,靜電放電造成電路的風險也隨之增加。然而,在選擇和使用這些保護裝置時,環境溫度的重要性往往被忽視。濕度、工作電壓等因素會對 ESD 保護器件的性能產生重大影響。正確了解這些環境因素是提高電路抗干擾性能的關鍵。一、環境溫度對ESD保護器件的影響溫度是影響ESD保護器件性能的最重要因素之一,超過此范圍可能會導致設備性能下降或故障,溫度可能會對設備內部材料造成熱損壞,因此,溫度
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        [常見問題解答]如何避免電阻器遭受ESD破壞?[ 2024-10-16 15:12 ]
        靜電放電 (ESD) 是現代電子電路中最常見且經常被忽視的威脅之一。它會對電阻器等各種電子元件造成嚴重損壞。盡管電阻器通常被認為是相對穩定的元件,但它們也會受到靜電放電的影響,從而導致電路故障和故障。電阻器的核心功能是控制、限制和調節電流。然而,ESD 電壓尖峰非常高,當突然施加到電阻器時會集中能量。在嚴重的情況下,電阻器可能會以電阻變化、故障甚至熱損壞的形式發生損壞。因此,采取措施防止電阻器因ESD保護特性而損壞就顯得尤為重要。一、選擇具有ESD保護特性或高ESD容限的電阻設計電路時,選擇具有ESD保護特性或高E
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        [常見問題解答]如何有效實施ESD保護:策略與技巧指南[ 2024-06-24 11:13 ]
        靜電放電(ESD)是一種由物體之間摩擦或接觸產生的瞬態電流現象。電子設備中,ESD可能導致電路故障或性能下降,因此需要采取適當的保護措施。本文介紹了ESD保護的策略和技巧,旨在確保電子設備的可靠性和穩定性。一、ESD產生的原因人體動作:人在地毯、塑料墊或椅子上摩擦時,可能會產生靜電。設備接觸:兩個不同的金屬在接觸或摩擦時,可能會產生靜電。靜電放電:帶電物體通過空氣放電,類似于閃電。二、ESD對電子設備的影響元器件損壞:ESD可能導致半導體器件的熱損壞或電損壞,導致其性能下降或失效。電路故障:ESD可能會影響電路的正
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        [常見問題解答]MOS管損壞的幾種介紹[ 2022-09-17 16:07 ]
        第一種:雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發生破壞的現象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路:第二種:器件發熱損壞由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率和瞬態功率兩種。直流功率原因:外加直流功率而導致的損耗引起的發熱導通電阻RDS(on)損耗(高溫時RDS(on)增大,導致
        http://m.kannic.com/Article/mosgshdjzj_1.html3星
        [常見問題解答]場效應MOS管三個極定義方法以及相關測試-壹芯微[ 2021-08-04 12:13 ]
        場效應MOS管三個極定義方法以及相關測試-壹芯微你知道MOS管有三個極嗎?它有什么作用?今天我們來看看MOS管的一些干貨,首先MOS管有三個極:G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。二、MOS管三個極1.判斷柵極GMOS驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭,在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率,MOS管發燒嚴峻,易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,假如G信號驅動能力不夠,將嚴峻影響波形跳變的時間.將G-S極短路,選擇萬用表的R&ti
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        [常見問題解答]MOS管損壞原因-MOS管損壞常見的五種和分析[ 2020-12-09 15:37 ]
        MOS管損壞原因-MOS管損壞常見的五種和分析MOS管損壞原因最常見有五種第一種:雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS(根據擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發生破壞的現象。MOS管損壞原因在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路:第二種:器件發熱損壞-MOS管損壞原因由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率和瞬態功率兩種。
        http://m.kannic.com/Article/mosgshyymo_1.html3星
        [常見問題解答]功率MOS管的5種損壞案例詳解[ 2019-12-07 12:28 ]
        功率MOS管的5種損壞案例詳解[第一種]雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發生破壞的現象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路:[第二種]器件發熱損壞由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率和瞬態功率兩種。直流功率原因:外加直流功率而導致的損耗引起的發熱。導通電阻RDS(on)
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