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        [常見問題解答]IGBT散熱原理及導熱機理深度解析[
                                        2025-02-11 12:02
                                        ]
        
                                
        
                                    絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）是一種結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）與雙極型晶體管（BJT）優點的功率半導體器件。它在高壓、高頻、高效能的電力電子系統中應用廣泛，如變頻器、電動汽車驅動、電力變換器等。然而，IGBT在工作過程中會產生大量熱量，如何有效管理這些熱量成為確保器件長期穩定運行的關鍵。一、IGBT的熱量產生機制IGBT在工作時主要的能量損耗會以熱的形式釋放，主要包括以下幾類：1. 開通損耗：當IGBT從關斷狀態切換到導
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/igbtsryljd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [技術文章]HCPL2631 典型應用電路[
                                        2024-05-16 16:00
                                        ]
        
                                
        
                                    HCPL2631 是一款廣泛應用于工業控制、電力電子和通信等領域的光耦合器件。它具有許多特點和應用場景，下面將詳細介紹。一、應用場景：1. 工業控制系統：在工業自動化領域，HCPL2631 可用于隔離和傳輸各種傳感器信號，如溫度、壓力和流量傳感器的輸出信號。它可確保信號的準確傳輸，并提供電隔離，以保護控制系統免受電氣干擾的影響。2. 電力電子：在電力變換器、逆變器和穩壓器等電力電子設備中，HCPL2631 可用作驅動器件，將控制信號從控制電路隔離開來，確保系統的穩定性和安全性。它還可以用于電力系統的隔離和故障檢測。
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/hcpl2631dx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]絕緣柵雙極型晶體管的原理-分類優勢和缺點[
                                        2019-09-19 11:24
                                        ]
        
                                
        
                                    IGBT近年來，隨著雙極型晶體管模塊和MOSFET的出現，節能、設備小型化、輕量化等要求的提高，電動機可變驅動裝置和電子計算機的備用電源裝置等使用交換原件的各種電力變換器也迅速發展起來。但是電力變換器方面的需求，并沒有通過雙極型晶體管模塊和MOSFET得到完全的滿足。雙極型功率晶體管模塊雖然可以得到高耐壓、大容量的元件，但是卻有交換速度不夠快的缺陷。而MOSFET雖然交換速度夠快了，但是存在著不能得到高耐壓、大容量等的缺陷。絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/jyzsjxjtgd_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
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