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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]提升超結(jié)MOSFET體二極管效率的優(yōu)化策略[ 2024-11-30 10:57 ]
        隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)以其開(kāi)關(guān)損耗低、響應(yīng)快、高頻等特點(diǎn)成為高效電力變換系統(tǒng)的核心器件。由于其卓越的性能,MOSFET在高頻、高電壓和大電流應(yīng)用中取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,超級(jí)結(jié)MOSFET的體二極管的性能仍然是影響整體效率和穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。因此,優(yōu)化超級(jí)結(jié)MOSFET的體二極管效率已成為提高器件整體性能的關(guān)鍵問(wèn)題。一、超級(jí)結(jié)MOSFET與體二極管的關(guān)系超級(jí)結(jié)MOSFET主要通過(guò)在芯片內(nèi)引入多個(gè)P型和N型區(qū)域交替放置,形成類似“超級(jí)結(jié)&
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