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        [常見問題解答]SiC MOSFET與肖特基二極管的協(xié)同作用,優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換效率[ 2025-04-01 14:17 ]
        隨著對能源效率要求的日益提高,碳化硅(SiC)材料在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用變得越來越廣泛。特別是在電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,SiC MOSFET和肖特基二極管的結(jié)合,已成為提升效率、減少損失和提高可靠性的關(guān)鍵技術(shù)手段。一、SiC MOSFET的特點及優(yōu)勢碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,因其具備優(yōu)異的高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和出色的熱管理能力,廣泛應(yīng)用于高壓和高頻率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。SiC材料的高禁帶寬度使其在高溫和高壓條件下保持良好的性能,特別適用于電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)和太陽能逆變器等對環(huán)境要求嚴(yán)格
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