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        [常見問題解答]SiC器件開關(guān)性能受系統(tǒng)寄生參數(shù)影響的深入探討[ 2024-09-04 14:36 ]
        隨著碳化硅(SiC)技術(shù)的不斷成熟和推廣,其在高壓電力電子設(shè)備中的應(yīng)用日益增加。SiC器件因其能在高溫、高壓和高頻率條件下工作而受到青睞。然而,系統(tǒng)內(nèi)部的寄生參數(shù),如寄生電容和寄生電感,對SiC器件的開關(guān)性能有著顯著影響。本文通過詳細(xì)分析,探討這些系統(tǒng)寄生參數(shù)是如何影響SiC器件的性能,尤其是在開關(guān)操作中的具體表現(xiàn)。一、寄生電感的影響在電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,寄生電感主要來源于電連接和布線。在SiC MOSFETs和二極管開關(guān)時,寄生電感可以引起顯著的電壓超調(diào),從而對器件造成額外的電壓應(yīng)力。當(dāng)開關(guān)器件嘗試快速切換時,這
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