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        [常見問題解答]MDD肖特基二極管并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用:電流處理能力的優(yōu)化方法[ 2025-04-18 15:11 ]
        在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)中,肖特基二極管因其低正向壓降和高速開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于高頻、高效能的功率系統(tǒng)。然而,在一些高功率場(chǎng)合,單顆肖特基二極管的電流處理能力往往不足以滿足需求,因此需要通過并聯(lián)或串聯(lián)的方式來提升其電流和電壓承載能力。一、并聯(lián)設(shè)計(jì):優(yōu)化電流承載能力并聯(lián)配置是提升電流承載能力的一種常見方法。在理想情況下,N顆肖特基二極管并聯(lián)使用時(shí),其總電流能力將是單顆器件的N倍。然而,由于各二極管的正向壓降(VF)會(huì)有所不同,電流的分配可能會(huì)變得不均勻。VF較低的二極管會(huì)首先導(dǎo)通,承擔(dān)更多的電流,這種不均勻的電流分配可能導(dǎo)致過
        http://m.kannic.com/Article/mddxtjejgb_1.html3星
        [常見問題解答]多個(gè)二極管同時(shí)導(dǎo)通的原因與解決思路[ 2025-04-11 12:09 ]
        在電子電路設(shè)計(jì)與維修過程中,多個(gè)二極管出現(xiàn)同時(shí)導(dǎo)通的現(xiàn)象并不罕見。特別是在一些電源轉(zhuǎn)換、整流濾波、電壓鉗位以及信號(hào)控制電路中,這種問題的出現(xiàn),往往會(huì)導(dǎo)致電路無法正常工作,甚至引發(fā)器件損壞。一、多個(gè)二極管同時(shí)導(dǎo)通的典型原因1. 電路設(shè)計(jì)存在結(jié)構(gòu)性缺陷有些設(shè)計(jì)方案在二極管并聯(lián)或串聯(lián)使用時(shí),沒有充分考慮各支路的電壓差異、電流分配或器件特性差異,導(dǎo)致多個(gè)二極管在非預(yù)期情況下同時(shí)導(dǎo)通。2. 二極管參數(shù)不一致尤其是在并聯(lián)使用二極管時(shí),不同品牌或批次的二極管其正向壓降(VF值)存在微小差異,長(zhǎng)期使用后可能加劇這一差距,進(jìn)而使本應(yīng)
        http://m.kannic.com/Article/dgejgtsdtd_1.html3星
        [常見問題解答]將PIC單片機(jī)集成到UPS電源方案中:技術(shù)突破與挑戰(zhàn)[ 2024-07-20 12:21 ]
        在電信和電力行業(yè)中,各種直流電源系統(tǒng)需求的電流和電壓都有所不同。面對(duì)高容量需求,常見的解決方案是多個(gè)同一電壓級(jí)別的低容量電源模塊并聯(lián)使用。然而,當(dāng)并聯(lián)模塊過多時(shí),會(huì)對(duì)電流分配和系統(tǒng)可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。這促使市場(chǎng)對(duì)高容量電源模塊的需求日益增加,作為回應(yīng),研發(fā)團(tuán)隊(duì)開發(fā)了高容量的開關(guān)電源模塊。這些高容量開關(guān)電源通常包括主電路和控制電路,而更為先進(jìn)的智能開關(guān)電源還包括由微型計(jì)算機(jī)構(gòu)成的數(shù)控系統(tǒng)。這些系統(tǒng)不僅增強(qiáng)了智能功能,還能監(jiān)控開關(guān)電源的關(guān)鍵參數(shù)和各類故障信號(hào),并將這些信息發(fā)送到上位機(jī)。此外,上位機(jī)可以通過這些微型計(jì)算系
        http://m.kannic.com/Article/jpicdpjjcd_1.html3星
        [常見問題解答]三極管:從結(jié)構(gòu)到功能的全面探討[ 2024-04-30 11:24 ]
        一、三極管的結(jié)構(gòu)及其工作原理三極管,也稱為晶體三極管,是電子線路中核心的基礎(chǔ)元件,主要承擔(dān)放大信號(hào)、控制電流和實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的開關(guān)轉(zhuǎn)換功能。該部分將詳盡探討三極管的工作特性,涵蓋其構(gòu)造、工作原理及其在多種電路中的實(shí)際應(yīng)用。結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié):三極管是由三塊半導(dǎo)體材料構(gòu)成,涉及兩塊N型和一塊P型半導(dǎo)體。它的結(jié)構(gòu)分為三部分:集電區(qū)、基區(qū)與發(fā)射區(qū)。基本工作原理:三極管的操作機(jī)制基于PN結(jié)半導(dǎo)體的電流分配效應(yīng)。當(dāng)基極電流產(chǎn)生變動(dòng)時(shí),集電極和發(fā)射極的電流也會(huì)相應(yīng)地調(diào)整,進(jìn)而達(dá)到電流的放大效果。二、三極管的工作特性電流放大功能:三極管的一個(gè)
        http://m.kannic.com/Article/sjgcjgdgnd_1.html3星
        [常見問題解答]IGBT如何并聯(lián)使用[ 2024-01-03 18:44 ]
        IGBT如何并聯(lián)使用IGBT的并聯(lián)使用并聯(lián)使用IGBT組成開關(guān)器件可以使整個(gè)系統(tǒng)得到更高的額定電流,但是設(shè)計(jì)并聯(lián)系統(tǒng)時(shí)必須考慮一些重要問題,如模塊特性、驅(qū)動(dòng)電路以及電路的布局,這些因素影響著并聯(lián)支路的電流分配,可能導(dǎo)致并聯(lián)的每個(gè)IGBT電流分配不均衡。其中,模塊特性中的伏安特性主要影響靜態(tài)運(yùn)行時(shí)的電流分配,轉(zhuǎn)移特性和驅(qū)動(dòng)電路以及布局主要影響動(dòng)態(tài)運(yùn)行時(shí)的電流分配。由于電流分配的不均衡,使n個(gè)IGBT并聯(lián)的額定電流并不等于n倍的單個(gè)模塊的額定電流,所以對(duì)并聯(lián)IGBT模塊必須降額使用。在設(shè)計(jì)IGBT并聯(lián)系統(tǒng)時(shí),首先要確定
        http://m.kannic.com/Article/igbtrhblsy_1.html3星
        [常見問題解答]三極管(BJT)工作在飽和區(qū)為什么要求集電極正偏解析[ 2020-07-10 17:06 ]
        三極管(BJT)工作在飽和區(qū)為什么要求集電極正偏解析晶體管共發(fā)射極電流放大作用的深層原理(本文僅供參考)以下文字中,用“BJT”縮寫代指雙極型晶體管,即一般的三極管。目前國內(nèi)的模電教科書,對(duì)BJT電流放大作用,特別是共發(fā)射極電流放大作用,存在講述不清的問題,因?yàn)橐_理解BJT共發(fā)射極電流放大作用,需要較深的半導(dǎo)體知識(shí),已經(jīng)超出模電教學(xué)大綱的基本要求。一般模電教科書,是先以共基極放大電路講出BJT內(nèi)部的電流分配關(guān)系,即IE=IB+IC,同時(shí)IB<<IC,然后就一步跳到共發(fā)射極放大
        http://m.kannic.com/Article/sjgbjtgzzb_1.html3星
        [常見問題解答]功率MOSFET并聯(lián)時(shí)產(chǎn)生寄生振蕩的原因與解決方案[ 2019-11-23 12:04 ]
        功率MOSFET并聯(lián)時(shí)產(chǎn)生寄生振蕩的原因與解決方案功率MOS管即功率MOSFET,具有熱漂移小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度快,工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)。憑借出色的熱穩(wěn)定性,將多個(gè)功率MOSFET并聯(lián)的方法可行而簡(jiǎn)單,這對(duì)提高輸出電流非常有意義。事實(shí)上,MOSFET工作于高頻率開關(guān)狀態(tài),任何電氣特性差異和電路雜散電感均可導(dǎo)致瞬時(shí)電壓峰值,以及并聯(lián)MOSFET之間的電流分配不平衡。這是非常有害的,因?yàn)殡娏鞑黄胶饪赡軐?dǎo)致功率損耗過大并損壞器件。并聯(lián)MOSFET(左)及寄生振蕩狀態(tài)的等效電路(右)并聯(lián)連接時(shí),最重要的是避免
        http://m.kannic.com/Article/glmosfetbl_1.html3星

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