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            當前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索： 電荷陷阱
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]碳化硅MOSFET柵極電荷陷阱問題剖析：測試思路與器件優化建議[
                                        2025-04-16 14:43
                                        ]
        
                                
        
                                    在寬禁帶半導體器件日益普及的趨勢下，碳化硅MOSFET由于具備高耐壓、高溫穩定性和低導通損耗等優勢，成為高頻高效功率轉換系統中的關鍵元件。然而，其柵極氧化層與界面處的電荷陷阱問題，正成為影響器件長期可靠性和動態性能的核心難題之一。一、電荷陷阱問題的形成機理碳化硅MOSFET的柵極結構通常采用SiO?作為絕緣層，但由于SiC與SiO?之間存在較多的界面態和缺陷，這些缺陷在器件工作中易形成電子或空穴陷阱，導致柵極電荷漂移，進而引起閾值電壓的不穩定變化。這種電荷積累不僅改變柵控行為，還可能在高溫、高壓環境下加劇器件的劣化
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/thgmosfetzjdhxjwtpxcsslyqjyhjy_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
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