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        [常見問題解答]CMOS知識普及-分析CMOS電路中的阱[ 2020-11-10 17:01 ]
        CMOS知識普及-分析CMOS電路中的阱CMOS電路中的阱在CMOS電路的工藝結(jié)構(gòu)中,應(yīng)用在襯底上形成反型的阱是一大特點(diǎn)。已有的多種CMOS電路阱的類別,有p阱、n阱、雙阱及倒轉(zhuǎn)阱等(圖4-3-3)。CMOS電路中的阱-p阱在a型襯底上,以離子注入摻雜使阱區(qū)域有足夠的濃度,以補(bǔ)償襯底上的n型摻雜并形成一個p阱區(qū)。n型起始材料的摻雜濃度也必須保證能使在其上制備的p溝器件特性符合要求(一般而言,其濃度約3X1014~1X1015 /cm3)。p阱的摻雜濃度也必須高于n型襯底濃度5~10倍。摻雜過濃也將損害n溝器件的性能
        http://m.kannic.com/Article/cmoszspjfx_1.html3星

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