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            當(dāng)前位置：首頁(yè) » 全站搜索 » 搜索： 驅(qū)動(dòng)特性
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問(wèn)題解答]MOS管與三極管做開關(guān)時(shí)的性能差別及適用場(chǎng)景全面對(duì)比[
                                        2025-04-11 11:03
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                                    在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)與電路開發(fā)過(guò)程中，MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）和三極管（雙極型晶體管）都是極為重要的半導(dǎo)體器件，尤其是在開關(guān)控制電路中，兩者經(jīng)常會(huì)被放在一起做對(duì)比。但很多工程師或初學(xué)者常常會(huì)疑惑：MOS管和三極管在開關(guān)場(chǎng)景下到底有什么差別？實(shí)際應(yīng)用時(shí)又該如何正確選擇？一、驅(qū)動(dòng)特性上的核心差異MOS管屬于電壓控制型器件，驅(qū)動(dòng)它的關(guān)鍵在于柵極和源極之間建立足夠的電壓差，通常業(yè)內(nèi)稱為Vgs。當(dāng)Vgs大于器件本身的閾值電壓（Vth）時(shí)，MOS管才能穩(wěn)定導(dǎo)通。這意味著MOS管對(duì)控制電流的需求極低，幾乎只需要提供電壓就能控制大功率通斷。
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/mosgysjgzk_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問(wèn)題解答]音響供電系統(tǒng)中MOSFET的驅(qū)動(dòng)特性與電源效率優(yōu)化[
                                        2025-04-07 11:42
                                        ]
        
                                
        
                                    在現(xiàn)代音響設(shè)備中，供電系統(tǒng)性能的優(yōu)劣直接影響著音頻還原的穩(wěn)定性與系統(tǒng)的功耗表現(xiàn)。特別是在高性能音響系統(tǒng)中，如何有效控制功率器件的導(dǎo)通損耗與開關(guān)行為，已成為決定系統(tǒng)能效的關(guān)鍵因素。作為音響電源中核心的開關(guān)元件，MOSFET的驅(qū)動(dòng)特性與控制策略直接牽動(dòng)著整體供電效率的發(fā)揮。一、MOSFET驅(qū)動(dòng)特性的核心要點(diǎn)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）作為一種電壓驅(qū)動(dòng)型器件，其柵極電壓的控制決定其導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)。在音響電源中，大多數(shù)采用的是N溝道增強(qiáng)型MOSFET，因其導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快，更適用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換或功率
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/yxgdxtzmos_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問(wèn)題解答]開關(guān)電源IGBT絕緣柵雙極晶體管驅(qū)動(dòng)保護(hù)知識(shí)[
                                        2019-10-29 11:45
                                        ]
        
                                
        
                                    開關(guān)電源IGBT絕緣柵雙極晶體管驅(qū)動(dòng)保護(hù)IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。摘要：對(duì)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻及其驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了探討。提出了慢降柵壓過(guò)流保護(hù)和過(guò)電壓吸收的有效方法。 （注意現(xiàn)在新型IGBT柵極驅(qū)動(dòng)特性要比以前生產(chǎn)的好許多，下面的電路圖只能作參考。）IGBT是電壓控制型器件，在它的
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/kgdyigbtjy_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
        
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