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        [常見問題解答]開關(guān)電源中MOSFET器件的選型關(guān)鍵參數(shù)解析[ 2025-03-31 11:32 ]
        開關(guān)電源作為現(xiàn)代電子設(shè)備中能量轉(zhuǎn)換的重要組成部分,其性能在很大程度上取決于所選器件的質(zhì)量與匹配程度。在眾多元件中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)扮演著核心開關(guān)角色,是高頻、高效電源設(shè)計(jì)不可或缺的一環(huán)。準(zhǔn)確掌握MOSFET的選型關(guān)鍵參數(shù),不僅關(guān)乎電源效率,更直接影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。一、電壓與電流承受能力:MOSFET在開關(guān)電源中需承受輸入電壓、輸出電壓波動(dòng)以及可能出現(xiàn)的浪涌沖擊,因此其漏源極電壓(Vds)必須高于實(shí)際工作電壓至少20%-30%,以防止過壓擊穿。而在電流方面,需依據(jù)最大負(fù)載電流,選擇具備
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        地 址/Address

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