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        [常見問題解答]氮化鎵MOSFET的性能特點與局限性[
                                        2025-04-21 14:49
                                        ]
        
                                
        
                                    氮化鎵（GaN）MOSFET作為一種新型的功率器件，因其優異的性能在眾多領域中得到了廣泛應用。一、氮化鎵MOSFET的主要性能特點1. 高電子遷移率氮化鎵材料的電子遷移率顯著高于傳統硅材料，這使得GaN MOSFET具有更高的導電能力。這一特性對于提高開關速度和電流傳輸效率至關重要。特別是在高頻率應用中，GaN MOSFET能夠提供更快的響應時間和更低的開關損耗，從而在高速電力電子系統中表現出色。2. 寬禁帶寬度氮化鎵的寬禁帶寬度（約為3.4 eV）使其能夠承受更高的工作溫度和電壓。在高功率和高溫應用中，GaN M
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/dhjmosfetd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]SiC二極管的結構與工作原理解析[
                                        2025-03-06 11:56
                                        ]
        
                                
        
                                    隨著功率電子技術的發展，對高效率、高耐壓和高溫穩定性的半導體器件需求日益增長。SiC二極管作為第三代半導體技術的重要代表，憑借其卓越的電學和熱學特性，在高功率、高頻和高溫應用中展現出顯著優勢。一、SiC二極管的基本概念SiC二極管是一種基于碳化硅（SiC）材料制造的半導體整流器件。與傳統硅（Si）二極管相比，SiC二極管具有更高的擊穿電壓、更低的正向導通損耗以及更強的耐高溫性能。這使其在電力電子、可再生能源、電動汽車及航空航天等領域占據重要地位。SiC材料具有較寬的帶隙（約3.26 eV），高臨界擊穿場強（Si的約
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/sicejgdjgy_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]碳化硅雙脈沖測試：解析正向與負向干擾的影響[
                                        2024-08-07 15:22
                                        ]
        
                                
        
                                    碳化硅 (SiC) 由于其卓越的物理和化學穩定性，在高功率和高溫應用中表現出色。隨著碳化硅設備在半導體行業中的廣泛應用，雙脈沖測試成為了一種關鍵的技術，用于評估這些設備在實際工作條件下的性能。雙脈沖測試主要是用來觀察和分析器件在快速開關過程中的動態特性，特別是正向和負向干擾的影響。一、正向串擾的產生與影響正向串擾通常在開關器件如晶體管開通時發生。當一個晶體管（例如Q1）的門極電壓達到閾值，使其導通時，與之相鄰的晶體管（例如Q2）可能會受到干擾。這種干擾起因于電流從一個晶體管（如D2）開始轉移到已導通的晶體管（Q1）
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/thgsmccsjx_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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