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            當(dāng)前位置：首頁(yè) » 全站搜索 » 搜索： 高電子遷移率
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]氮化鎵MOSFET的性能特點(diǎn)與局限性[
                                        2025-04-21 14:49
                                        ]
        
                                
        
                                    氮化鎵（GaN）MOSFET作為一種新型的功率器件，因其優(yōu)異的性能在眾多領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。一、氮化鎵MOSFET的主要性能特點(diǎn)1. 高電子遷移率氮化鎵材料的電子遷移率顯著高于傳統(tǒng)硅材料，這使得GaN MOSFET具有更高的導(dǎo)電能力。這一特性對(duì)于提高開(kāi)關(guān)速度和電流傳輸效率至關(guān)重要。特別是在高頻率應(yīng)用中，GaN MOSFET能夠提供更快的響應(yīng)時(shí)間和更低的開(kāi)關(guān)損耗，從而在高速電力電子系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。2. 寬禁帶寬度氮化鎵的寬禁帶寬度（約為3.4 eV）使其能夠承受更高的工作溫度和電壓。在高功率和高溫應(yīng)用中，GaN M
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/dhjmosfetd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管的帶載能力如何增強(qiáng)[
                                        2024-03-04 17:12
                                        ]
        
                                
        
                                    如何增強(qiáng)MOS管的帶載能力呢？增強(qiáng)MOS管的帶載能力是通過(guò)優(yōu)化器件的設(shè)計(jì)和選擇適合的工作條件來(lái)實(shí)現(xiàn)的。下面將詳細(xì)介紹如何增強(qiáng)MOS管的帶載能力。1. 選擇合適的材料：MOS管的材料選擇對(duì)其帶載能力有很大影響，常用的MOS管材料有硅、碳化硅和氮化硅等。不同材料具有不同的特性，硅材料具有高電子遷移率和較低的電阻，適用于高頻應(yīng)用；碳化硅具有高電子飽和速度和高電壓傳導(dǎo)能力，適用于高功率應(yīng)用；氮化硅具有高溫特性和較高的能帶間隙，適用于高溫和高電壓應(yīng)用。因此，根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的材料可以提高M(jìn)OS管的帶載能力。2. 優(yōu)化通道
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/mosgddznlr_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]高電子遷移率晶體管(HEMT)資料[
                                        2019-10-31 10:21
                                        ]
        
                                
        
                                    高電子遷移率晶體管（HEMT，High Electron Mobility Transistor） ：HEMT是一種異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HFET），又稱為調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）、二維電子氣場(chǎng)效應(yīng)晶體管（2-DEGFET）、選擇摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管 (SDHT)等。這種器件及其集成電路都能夠工作于超高頻（毫米波）、超高速領(lǐng)域，原因就在于它采用了異質(zhì)結(jié)及其中的具有很高遷移率的所謂二維電子氣來(lái)工作的。上世紀(jì)70年代采用MBE 和MOCVD就制備出了異質(zhì)結(jié)。1978年Dingle等首先證實(shí)了在AlGaAs/GaA
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/gdzqyljtgh_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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