97人人模人人爽人人少妇,国产成人片无码免费视频软件,国产精品JIZZ在线观看老狼

[常見問題解答]MOS管與IGBT的區(qū)別是什么？一文搞懂它們的不同特性[ 2025-02-07 11:36 ]

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）與IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是功率電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的兩類半導(dǎo)體器件。盡管它們都具備開關(guān)控制的能力，在電力電子系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，但由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作機(jī)制存在差異，導(dǎo)致它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景和性能特性上展現(xiàn)出各自的優(yōu)勢(shì)。一、工作原理與結(jié)構(gòu)區(qū)別1. MOS管工作原理MOS管是一種電壓控制型器件，主要依靠柵極電壓控制通道的導(dǎo)通和截止。當(dāng)柵極施加電壓時(shí)，半導(dǎo)體

http://m.kannic.com/Article/mosgyigbtd_1.html

[常見問題解答]MOS管工作原理詳細(xì)解析 - 壹芯微[ 2021-09-27 15:13 ]

MOS管工作原理詳細(xì)解析 - 壹芯微場(chǎng)效應(yīng)管的名字也來源于它的輸入端(稱為gate)通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件－MOS電容－能更好的理解MOS管。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一

http://m.kannic.com/Article/mosggzylxx_1.html

[常見問題解答]MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作原理詳細(xì)解析 - 壹芯微[ 2021-09-23 15:43 ]

MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作原理詳細(xì)解析 - 壹芯微MOS場(chǎng)效應(yīng)管作為半導(dǎo)體行業(yè)最基礎(chǔ)的電子元器件之一，在電子線路中，MOS管一般被用以功率放大電路或開關(guān)電源電路而被廣泛運(yùn)用。下面就有關(guān)于MOS管工作原理為您詳細(xì)解讀，來進(jìn)行MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析。何為MOS管MOS管有的時(shí)候也稱作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，因?yàn)樗鼩w屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，全名是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名為metaloxidesemiconductor(MOSFET).

http://m.kannic.com/Article/moscxyggzyl_1.html

[常見問題解答]分析MOS管示意圖,構(gòu)造知識(shí)要點(diǎn)介紹[ 2020-12-14 14:01 ]

分析MOS管示意圖,構(gòu)造知識(shí)要點(diǎn)介紹MOS管示意圖，構(gòu)造解析下圖MOS管工作原理示意圖為N溝道增強(qiáng)型MOS管工作原理示意圖，其電路符號(hào)如圖所示。它是用一塊摻雜濃度較低的P型硅片作為襯底，利用擴(kuò)散工藝在襯底上擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜濃度的N型區(qū)(用N+表示)，并在此N型區(qū)上引出兩個(gè)歐姆接觸電極，分別稱為源極(用S表示)和漏極(用D表示)。在源區(qū)、漏區(qū)之間的襯底表面覆蓋一層二氧化硅(SiO2)絕緣層，在此絕緣層上沉積出金屬鋁層并引出電極作為柵極(用G表示)。從襯底引出一個(gè)歐姆接觸電極稱為襯底電極(用B表示)。由于柵極與其它電極之

http://m.kannic.com/Article/fxmosgsytg_1.html

[常見問題解答]詳解MOS管原理以及常見失效原因分析[ 2020-10-22 17:06 ]

詳解MOS管原理以及常見失效原因分析MOS管即金屬氧化物半導(dǎo)體，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。確切地說，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。MOS管工作原理N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管：利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電

http://m.kannic.com/Article/xjmosgylyj_1.html

[常見問題解答]MOS管工作原理知識(shí)普及[ 2020-10-21 16:42 ]

MOS管工作原理知識(shí)普及MOS管作為半導(dǎo)體行業(yè)最基本的元器件之一，在電子線路中，MOS管一般被用以功率放大電路或開關(guān)電源電路而被廣泛運(yùn)用。下面冠華偉業(yè)就有關(guān)于MOS管工作原理為您詳細(xì)解讀，來進(jìn)行MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析。何為MOS管MOS管有的時(shí)候也稱作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，因?yàn)樗鼩w屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，全名是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名為metaloxidesemiconductor(MOSFET).是1種能夠普遍應(yīng)用在

http://m.kannic.com/Article/mosggzylzs_1.html

[常見問題解答]p-mos管簡(jiǎn)介-p-mos管工作原理與p-mos管作為開關(guān)的條件[ 2020-09-05 15:42 ]

p-mos管簡(jiǎn)介-p-mos管工作原理與p-mos管作為開關(guān)的條件p-mos管簡(jiǎn)介p-mos管是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管全稱： positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名： positive MOS。p-mos管原理p-mos管的工作原理與NMOS相類似。因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對(duì)于源極施加負(fù)電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電壓，而

http://m.kannic.com/Article/pmosgjjpmo_1.html

[常見問題解答]MOS管的正確用法分析和MOS管工作原理與優(yōu)勢(shì)詳解[ 2020-09-03 18:08 ]

MOS管的正確用法分析和MOS管工作原理與優(yōu)勢(shì)詳解mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到一

http://m.kannic.com/Article/mosgdzqyff_1.html

[常見問題解答]MOS管工作原理-MOS晶體管的閾值電壓和輸出特點(diǎn)解析[ 2020-06-30 11:53 ]

MOS管工作原理-MOS晶體管的閾值電壓和輸出特點(diǎn)解析MOS管MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時(shí)候又稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。MOS管這個(gè)器件有兩個(gè)電極，分別是漏極D和源極S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+/P+區(qū)，并用金屬鋁引

http://m.kannic.com/Article/mosggzylmo_1.html

[常見問題解答]解析三極管及MOS管工作原理-特性-符號(hào)等知識(shí)[ 2020-06-27 15:14 ]

解析三極管及MOS管工作原理-特性-符號(hào)等知識(shí)三極管的工作原理及特性三極管之所以運(yùn)用如此廣泛，其主要原因在于它可以通過小電流控制大電流。形象地說就是基極其是是一個(gè)閥門開關(guān)，閥門開關(guān)控制的是集電極到發(fā)射極之間的電流大小，而本身控制閥門開關(guān)的基極的電流要求很小。更加形象的圖形說明如下所示：三極管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)三極管內(nèi)部機(jī)構(gòu)要求：（此處只說結(jié)論，后面介紹原因）1、發(fā)射區(qū)參雜濃度很高，以便有足夠的載流子供發(fā)射。2、為減少載流子在基區(qū)的復(fù)合機(jī)會(huì)，基區(qū)做得很薄，一般為幾個(gè)微米，且參雜濃度極低。3、集電區(qū)體積較大，且為了順利收集邊

http://m.kannic.com/Article/jxsjgjmosg_1.html

[常見問題解答]FET晶體管類型及MOS管工作原理-應(yīng)用及作用圖文解析[ 2020-06-06 15:10 ]

FET晶體管類型及MOS管工作原理-應(yīng)用及作用圖文解析什么是FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）FET，也稱為單極晶體管，是用于控制器件電性能的晶體管。FET具有非常高的輸入阻抗（在JFET的情況下為100兆歐姆，在MOSFET的情況下為10 4至10 9兆歐），普通晶體管的主要缺點(diǎn)即輸入阻抗低，從而加載了信號(hào)源在FET中。因此，F(xiàn)ET是幾乎在每種可以使用晶體管的應(yīng)用中使用的理想器件。FET由于其高輸入阻抗而被廣泛用作示波器，電子電壓表和其他測(cè)量和測(cè)試設(shè)備中的輸入放大器。1. 由于FET芯片與BJT芯片相比占據(jù)非常小的空間，因此

http://m.kannic.com/Article/fetjtglxjm_1.html

[常見問題解答]什么是MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的類型及MOS管工作原理[ 2020-05-20 15:27 ]

什么是MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的類型及MOS管工作原理場(chǎng)效應(yīng)晶體管或FET是晶體管，其中輸出電流由電場(chǎng)控制。FET有時(shí)被稱為單極晶體管，因?yàn)樗婕皢屋d波型操作。FET晶體管的基本類型與BJT 晶體管基礎(chǔ)完全不同。FET是三端子半導(dǎo)體器件，具有源極，漏極和柵極端子。場(chǎng)效應(yīng)晶體管電荷載流子是電子或空穴，它們通過有源溝道從源極流到漏極。從源極到漏極的這種電子流由施加在柵極和源極端子上的電壓控制。FET晶體管的類型FET有兩種類型--JFET或MOSFET。結(jié)FET結(jié)型FET結(jié)FET晶體管是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可用作電控

http://m.kannic.com/Article/smsmoscxyj_1.html

[常見問題解答]MOS控制晶閘管(MCT)工作原理和優(yōu)點(diǎn)概述[ 2020-04-16 10:57 ]

MOS控制晶閘管(MCT)工作原理和優(yōu)點(diǎn)概述在許多半導(dǎo)體控制器件中，MCT被認(rèn)為是最新的。該器件基本上是一個(gè)晶閘管，在柵極結(jié)構(gòu)中內(nèi)置了兩個(gè)MOSFET。甲MOSFET 被用于接通MCT和另一個(gè)用于將其關(guān)閉。該器件主要用于開關(guān)應(yīng)用，具有高頻，高功率，低導(dǎo)通電壓等特性。MCT結(jié)合了具有再生作用的傳統(tǒng)四層晶閘管和MOS管柵極結(jié)構(gòu)的特征。在該器件中，所有柵極信號(hào)都相對(duì)于陽(yáng)極施加，陽(yáng)極作為參考。在通常使用的SCR中，陰極保持作為柵極信號(hào)的參考端子，這就是MCT內(nèi)部的MOS管工作原理。MCT單元的基本結(jié)構(gòu)如下圖所示。MOS控制

http://m.kannic.com/Article/moskzjzgmc_1.html

[常見問題解答]V-FET或功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)知識(shí)分享[ 2020-04-15 15:01 ]

V-FET或功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)知識(shí)分享功率MOS管工作原理功率MOS管-N通道功率MOS管通常采用V型配置，如圖所示。這就是為什么該器件有時(shí)被稱為V-MOS管或V-FET。如圖所示，V形切口從器件表面穿N +，P和N~層幾乎滲透到N +襯底。N +層是重?fù)诫s的低電阻材料，而N +層是輕摻雜的高電阻區(qū)域。二氧化硅介電層覆蓋水平表面和V形切割表面。絕緣柵極是在V形切口中沉積在SiO 2上的金屬膜。源極端子通過SiO 2層與上N +和P- 層接觸。N +襯底是器件的漏極端子。V-MOS管是一個(gè)E模式FET，漏極和源

http://m.kannic.com/Article/vfethglcxy_1.html

[常見問題解答]mos管工作原理-學(xué)MOS管工作原理等知識(shí)[ 2020-03-09 12:39 ]

mos管工作原理-學(xué)MOS管工作原理等知識(shí)mos管工作原理通俗易懂-看圖文學(xué)MOS管工作原理等知識(shí)mos管工作原理通俗易懂本文介紹的mos管工作原理通俗易懂，希望對(duì)大家有所幫助。絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極為金屬鋁，故又稱為MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管大得多，可達(dá)1010Ω以上，還因?yàn)樗冉Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時(shí)溫度簡(jiǎn)單，而廣泛應(yīng)用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相同，MOS管工作原理動(dòng)畫示意圖也有N溝道和P溝道

http://m.kannic.com/Article/mosggzylxm_1.html

[常見問題解答]FET晶體管的類型與MOS管工作原理應(yīng)用[ 2019-11-23 11:15 ]

場(chǎng)效應(yīng)晶體管或FET是晶體管，其中輸出電流由電場(chǎng)控制。FET有時(shí)被稱為單極晶體管，因?yàn)樗婕皢屋d波型操作。FET晶體管的基本類型與BJT 晶體管基礎(chǔ)完全不同。FET是三端子半導(dǎo)體器件，具有源極，漏極和柵極端子。場(chǎng)效應(yīng)晶體管電荷載流子是電子或空穴，它們通過有源溝道從源極流到漏極。從源極到漏極的這種電子流由施加在柵極和源極端子上的電壓控制。FET晶體管的類型FET有兩種類型--JFET或MOSFET。結(jié)FET結(jié)型FET結(jié)FET晶體管是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可用作電控開關(guān)。電能流過源極與漏極端子之間的有源溝道。通

http://m.kannic.com/Article/fetjtgdlxy_1.html

[常見問題解答]p溝道m(xù)os管工作原理-n溝道m(xù)os管工作原理[ 2019-09-18 11:27 ]

P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為銜接源極和漏極的溝道。改動(dòng)?xùn)艍嚎梢愿膭?dòng)溝道中的電子密度，從而改動(dòng)溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。假設(shè)N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上恰當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效

http://m.kannic.com/Article/pgdmosggzy_1.html

[常見問題解答]mos管-mos管工作特點(diǎn)和注意事項(xiàng)分析[ 2019-09-06 18:32 ]

mos簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOSFET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)的縮寫。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管，其輸出電流是由輸入的電壓(或稱場(chǎng)電壓)控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。mos管工作原理（以N溝道增強(qiáng)型mos場(chǎng)效應(yīng)管）它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷&rdquo

http://m.kannic.com/Article/mosgmosggz_1.html

[常見問題解答]MOS管電路圖設(shè)計(jì)-MOS管工作原理分析與作用[ 2019-09-04 14:44 ]

MOS管電路圖電路圖如下：用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路這里只針對(duì)NMOS驅(qū)動(dòng)電路做一個(gè)簡(jiǎn)單分析：Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個(gè)電壓可以是相同的，但是Vl不應(yīng)該超過Vh。Q1和Q2組成了一個(gè)反置的圖騰柱，用來實(shí)現(xiàn)隔離，同時(shí)確保兩只驅(qū)動(dòng)管Q3和Q4不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。R2和R3提供了PWM電壓基準(zhǔn)，通過改變這個(gè)基準(zhǔn)，可以讓電路工作在PWM信號(hào)波形比較陡直的位置。Q3和Q4用來提供驅(qū)動(dòng)電流，由于導(dǎo)通的時(shí)候，Q3和Q4相對(duì)Vh和GND最低都只有一個(gè)Vce的壓降，這個(gè)壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7

http://m.kannic.com/Article/mosgdltsjm_1.html

[常見問題解答]MOS管工作原理圖分析-MOS管工作原理電路圖與結(jié)構(gòu)詳解[ 2019-07-01 10:35 ]

壹芯微作為國(guó)內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)二三極管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進(jìn)口的測(cè)試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會(huì)分享一些知識(shí)或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,MOS管工作原理圖分析-MOS管工作原理電路圖與結(jié)構(gòu)詳解,請(qǐng)看下方MOS管工作原理圖詳解MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMO

http://m.kannic.com/Article/mosggzyltf_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關(guān)搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導(dǎo) 航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關(guān)搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導(dǎo) 航/Navigation

地 址/Address

地址/Address