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[常見問題解答]提升MOSFET效率的五種關鍵方法[ 2025-03-28 11:51 ]

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是當代電子系統中廣泛應用的主流功率開關元件，其性能優劣直接影響整機的能耗控制、溫升水平以及響應速度等關鍵技術指標。無論在電源管理、馬達控制、逆變器，還是高頻數字電路中，如何提高MOSFET的工作效率，始終是電子工程師重點關注的問題。一、優化導通電阻，降低功率損耗MOSFET導通時的損耗主要由其內部電阻（Rds(on)）造成。Rds(on)越小，電流通過器件時的壓降和功耗越低，器件發熱也隨之減少。解決路徑包括：- 選用低Rds(on)的MOSFET器件，特別是在大電流應用場

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[常見問題解答]MOSFET導通行為及電路設計中的關鍵參數[ 2025-02-25 11:40 ]

在現代電子電路設計中，MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）因其高效、低功耗和高速開關特性，被廣泛應用于模擬和數字電路、功率轉換、信號放大等領域。掌握MOSFET的導通行為及相關關鍵參數，對于優化電路設計、提高性能至關重要。一、MOSFET的導通行為MOSFET的導通取決于柵極-源極電壓（Vgs）相對于閾值電壓（Vgs(th)）的大小，不同類型的MOSFET，其導通條件有所不同。1. NMOS的導通機制NMOS晶體管導通的關鍵在于柵極電壓相對于源極電壓的提升。當Vgs超過閾值電壓（Vgs(th)）時，P型

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[常見問題解答]開關模式電源電流：何處放置檢測電阻介紹 | 壹芯微[ 2022-09-06 13:02 ]

電流檢測電阻的位置連同開關穩壓器架構決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續導通模式下電感電流的最小值）和平均輸出電流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計算以及檢測電阻監控電路看到的共模電壓。放置在降壓調節器高端對于降壓調節器，電流檢測電阻有多個位置可以放置。當放置在頂部MOSFET的高端時（如圖1所示），它會在頂部MOSFET導通時檢測峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當頂部MOSFET關斷且底部MOSFET導通時，它不測量電感電流。圖1．帶高端RSENSE的降壓轉換

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[常見問題解答]要怎么降低mosfet導通壓降-降低高壓MOSFET導通電阻原理以及方法[ 2020-12-04 17:04 ]

要怎么降低mosfet導通壓降-降低高壓MOSFET導通電阻原理以及方法MOS管如何把MOS管導通時電壓降控制在最小如何降低mosfet導通壓降，Rds（on）是MOS管導通時，D極和S極之間的內生電阻，它的存在會產生壓降，所以越小越好。D極與S極間電流Id最大時完全導通。在圖中可以看到Vgs=10v完全導通，電阻Rds=5歐左右，電流Id=500mA（最大，完全導通），產生壓降Vds=2.5v。而Vgs=4.5v時，Id=75mA（不是最大，沒完全導通），Rds=5.3歐左右，雖然沒完全導通，但產生的壓降Vds=

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[常見問題解答]MOSFET導通過程圖文詳細詳解（快速了解）[ 2020-09-15 17:52 ]

MOSFET導通過程圖文詳細詳解（快速了解）MOSFET導通過程詳解，MOSFET簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSF

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[常見問題解答]淺談碳化硅mosfet驅動和硅IGBT的區別-應用與分類[ 2020-08-31 15:07 ]

淺談碳化硅mosfet驅動和硅IGBT的區別-應用與分類碳化硅mosfet本文主要講硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區別。我們先來看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。碳化硅mosfet驅動與硅IGBT的區別硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，

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[常見問題解答]一種智能的碳化硅MOSFET驅動核和驅動要求與特性詳解[ 2020-08-28 16:08 ]

一種智能的碳化硅MOSFET驅動核和驅動要求與特性詳解碳化硅mosfet是什么在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。一種智能的碳化硅MOSFET驅動核詳解近年來，以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件越來越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管，以其寬帶隙，高電場強度，良好散熱特性，以及高可靠性等特點，為客戶的產品帶來高效率

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[常見問題解答]IGBT基本工作原理與IGBT的作用是什么[ 2020-08-20 17:38 ]

IGBT基本工作原理與IGBT的作用是什么IGBT由柵極（G）、發射極（E）和集電極（C）三個極控制。如圖1，IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。由圖2可知，若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。圖1 IG

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[常見問題解答]MOSFET導通電阻Rds(ON)及VGS-結溫-耐壓的關系解析[ 2020-04-07 15:30 ]

MOSFET導通電阻Rds(ON)及VGS-結溫-耐壓的關系解析導通電阻Rds(ON)是場效應管（MOSFET）的一項重要參數，mos管在越來越多的新能源和汽車電子應用中，都能發現MOSFET的身影，而且很多應用要求超低導通電阻的MOSFET功率器件。什么是Rds(ON)？Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值，單位是歐姆。對于同類MOSFET器件，Rds(ON)數值越小，工作時的損耗（功率損耗）就越小。mos管工作電路對于一般晶體管，消耗功率用集電極飽和電壓（VCE(sat)）乘以

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[常見問題解答]igbt作用與原理是什么-igbt怎么選型和使用注意事項[ 2019-11-09 12:00 ]

igbt作用與原理是什么-igbt怎么選型和使用注意事項詳解igbt作用和原理是什么？IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。圖1 IGBT的等效電路由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：1、IGBT柵極與發射極之間的電壓。2、IGBT集電極與發射極之間的電壓。3、流

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