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        [行業(yè)資訊]20N65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)|20N65(TO220,TO-3PN)規(guī)格書(shū)資料|壹芯微[ 2022-02-25 14:30 ]
        20N65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)|20N65(TO220,TO-3PN)規(guī)格書(shū)資料|壹芯微 產(chǎn)品類(lèi)型 場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)品型號(hào) 20N65 極性 NPN 漏源電壓 650V 漏極電流 20A 封裝 TO-220,ITO-220,ITO-220L,TO-3P,TO-3PN
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        [行業(yè)資訊]12N65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)中文資料(PDF) 選型替換 現(xiàn)貨廠(chǎng)商 - 壹芯微[ 2021-08-31 16:13 ]
        12N65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)中文資料(PDF) 選型替換 現(xiàn)貨廠(chǎng)商 - 壹芯微20N65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)(電流(ID):20A,電壓(VDSS):650V),20N65(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管),20N65場(chǎng)效應(yīng)管封裝形式為T(mén)O220,20N65場(chǎng)效應(yīng)管封裝引腳規(guī)格書(shū)(PDF)Absolute maximum ratings絕對(duì)最大額定參數(shù)Symbol符號(hào) | Parameter參數(shù) | Value數(shù)值 | Unit單位VGS Gate-source voltage | 柵源電壓:±25 VID Drain
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        [行業(yè)資訊]「10N65,12N65,20N65」MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)和作用-壹芯微[ 2021-07-27 09:00 ]
        「10N65,12N65,20N65」MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)和作用-壹芯微型號(hào):10N65(10A,650V) 12N65(12A,650V) 20N65(20A,650V)品牌:壹芯微|類(lèi)型:場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET|封裝:TO-220/TO-3PN|多種封裝 尺寸不同 參數(shù)一致 免費(fèi)樣品 歡迎咨詢(xún)MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫(xiě)為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于絕緣柵型
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        [行業(yè)資訊]20N65 TO-220/TO-3PN參數(shù)和中文資料 - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-12 09:29 ]
        20N65 TO-220/TO-3PN參數(shù)和中文資料 - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微20N65(20A,650V N溝道場(chǎng)效應(yīng)功率管)品牌:壹芯微|類(lèi)型:場(chǎng)效應(yīng)管|封裝:TO-220/TO-3PN|參數(shù)達(dá)標(biāo) 質(zhì)量穩(wěn)定 免費(fèi)樣品 歡迎咨詢(xún)20N65場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)參數(shù)\型號(hào)20N65極性NID(A)20VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)0.38RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)18Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)10.0封裝
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]〔壹芯〕生產(chǎn)20N65場(chǎng)效應(yīng)管20A-650V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定[ 2021-06-07 10:27 ]
        〔壹芯〕生產(chǎn)20N65場(chǎng)效應(yīng)管20A-650V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETS)型號(hào):20N65       極性:NIDA(A):20       VDSS(V):650RDS(on) MAX(Ω):0.38 VGS(V):10 VGS(th) (V):2~4Gfs(min) (S):18 Vgs(V):40 Io(A):10.0封裝:TO-220 TO-3PN狹義的電子元器件在電子學(xué)中電子元器件的概念是以電原理來(lái)界定的,即能夠?qū)﹄娦盘?hào)(電流或電壓)進(jìn)行控制的基本單元。因此,只有電真空器件(
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        地 址/Address

        工廠(chǎng)地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
        電話(huà):13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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