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        [常見問題解答]互補場效應晶體管的工作原理與關鍵應用解析[ 2025-02-10 11:46 ]
        互補場效應晶體管(Complementary Field-Effect Transistor,CFET)作為半導體領域的新興技術,正在逐步取代傳統晶體管架構,推動微電子技術的發展。一、CFET的工作原理CFET基于傳統場效應晶體管(FET)的基本結構,通過垂直堆疊NMOS和PMOS晶體管,形成互補結構。其核心原理在于利用不同極性的載流子(電子和空穴)在溝道中移動,通過電場控制柵極電壓,調節溝道的導通和關閉狀態,從而實現電流的開關控制。1. 垂直堆疊結構:傳統的CMOS工藝中,NMOS與PMOS晶體管并排排列,而CF
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