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[常見問題解答]互補場效應晶體管的工作原理與關鍵應用解析[ 2025-02-10 11:46 ]

互補場效應晶體管（Complementary Field-Effect Transistor，CFET）作為半導體領域的新興技術，正在逐步取代傳統晶體管架構，推動微電子技術的發展。一、CFET的工作原理CFET基于傳統場效應晶體管（FET）的基本結構，通過垂直堆疊NMOS和PMOS晶體管，形成互補結構。其核心原理在于利用不同極性的載流子（電子和空穴）在溝道中移動，通過電場控制柵極電壓，調節溝道的導通和關閉狀態，從而實現電流的開關控制。1. 垂直堆疊結構：傳統的CMOS工藝中，NMOS與PMOS晶體管并排排列，而CF

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[常見問題解答]基于ADC0809的數字電壓表設計介紹|壹芯微[ 2022-03-22 11:27 ]

基于ADC0809的數字電壓表設計介紹|壹芯微 ADC0809是美國國家半導體公司生產的CMOS工藝8通道，8位逐次逼近式A/D模數轉換器。其內部有一個8通道多路開關，它可以根據地址碼鎖存譯碼后的信號，只選通8路模擬輸入信號中的...

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[常見問題解答]基于相變存儲器的驅動電路設計介紹[ 2022-01-20 15:24 ]

基于相變存儲器的驅動電路設計介紹本文介紹設計了一種依靠電流驅動的驅動電路，整體電路由帶隙基準電壓源電路、偏置電流產生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結構用于16K以及1Mb容量的相變存儲器芯片的設計，并采用0.18m標準CMOS工藝實現。該驅動電路通過Hpice仿真，表明帶隙基準電壓、偏置電流均具有較高的精度，取得了良好的仿真結果。1.相變存儲器相變存儲器(PC2RAM)是一種新型半導體存儲器，在研發下一代高性能不揮發存儲技術的激烈競爭中，PC2RAM在讀寫速度、讀寫次數、數據保持時間、單元面積、功耗等方面的諸多

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[常見問題解答]基于軌對軌CMOS運算放大器的設計介紹[ 2021-12-21 14:11 ]

基于軌對軌CMOS運算放大器的設計介紹隨著SOC(SystemonChip)的迅速發展，使用深亞微米標準CMOS工藝的模擬集成電路的設計，已成為當前芯片設計的一種趨勢。CMOS運算放大器是模擬電路中重要基本單元，該單元不但要具有傳統運放的基本特性，如高增益、低失調等;而且隨著低電源電壓的要求，還必須具備接近于供電電源電壓和地之間(軌對軌)的輸入共模范圍和輸出擺幅。因此文中基于0.6mCMOS工藝，設計了一種軌對軌運算放大器。該運算放大器采用了3.3V單電源供電，其輸入共模范圍和輸出信號擺幅接近于地和電源電壓。1.軌

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[常見問題解答]場效應MOS管和最簡單的CMOS邏輯門電路解析-壹芯微[ 2021-08-04 11:46 ]

場效應MOS管和最簡單的CMOS邏輯門電路解析-壹芯微現代單片機主要是采用CMOS工藝制成的。以N型管為例，2端為控制端，稱為[柵極]；3端通常接地，稱為[源極]；源極電壓記作Vss，1端接正電壓，稱為[漏極]，漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導通，柵極2上要加高電平。1、MOS管MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：以N型管為例，2端為控制端，稱為[柵極]；3端通常接地，稱為[源極]；源極電壓記作Vss，1端接正電壓，稱為[漏極]，漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導通，柵極2上要加高電平。對P型管，

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[行業資訊]XC6206-1.8,XC6206-2.5低壓差線性穩壓電路引腳及參數中文資料(圖) - 壹芯微[ 2021-07-24 09:40 ]

XC6206-1.8,XC6206-2.5低壓差線性穩壓電路引腳及參數中文資料(圖) - 壹芯微XC6206-1.8,XC6206-2.5（200mA低壓差線性穩壓調節器）品牌：壹芯微|類型：穩壓電路|封裝：SOT-23/SOT-89|多種封裝尺寸不同參數一致免費樣品歡迎咨詢概述：XC6206系列是一款高精度,低功耗,3引腳LDO高電壓調整器芯片,并采用 CMOS工藝和激光微調技術. 在輸出電流較大的情況下,輸入輸出壓差也能很小。XC6206系列芯片內部包括一個電流限制電路,一個驅動三極管,一個高精度參考電

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[行業資訊]HT7130,HT7133,HT7150低壓差線性穩壓電路引腳及參數中文資料(圖) - 壹芯微[ 2021-07-24 09:20 ]

HT7130,HT7133,HT7150低壓差線性穩壓電路引腳及參數中文資料(圖) - 壹芯微HT7130,HT7133,HT7150（30A線性穩壓調節器）品牌：壹芯微|類型：穩壓電路|封裝：SOT-89/TO-92|多種封裝尺寸不同參數一致免費樣品歡迎咨詢一般特征：HT71XX系列是三端低功耗的線性調節穩壓器（也叫LDO），輸入電壓范圍可達到24V。有輸出電壓3.0V、3.3V、 3.6V共3款可選。 CMOS工藝確保低dropout，低靜態電流。· 低功耗 · 低壓差

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[常見問題解答]MOS管工藝-CMOS工藝圖解[ 2020-11-12 17:15 ]

MOS管工藝-CMOS工藝圖解CMOS工藝詳細解析CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個襯底上同時制造出n-溝和p-溝晶體管。在NMOS工藝中看到，襯底的摻雜類型和摻雜水平是按照在它上面要制造的n-溝器件的要求來選擇的。很明顯,在CMOS工藝中,原材料或者是滿足n-溝器件的要求，或者是滿足p-溝器件的要求，但不能同時滿足兩者的要求。為了適應不能在原材料上制造的那種類型器件的需要，必須形成與原材料摻雜類型相反的區域，如圖10.17中的二個剖面所示。這些摻雜類型相反的區域一般稱為“阱&

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[常見問題解答]MOS管以及簡單CMOS邏輯門電路原理圖解析[ 2020-10-24 16:56 ]

MOS管以及簡單CMOS邏輯門電路原理圖解析A端為高電平時，P型MOS管截止，N型MOS管導通，輸出端C的電平與Vss保持一致，輸出低電平；①、A、B輸入均為低電平時，1、2管導通，3、4管截止，C端電壓與VDD一致，輸出高電平。了解MOS管及簡單CMOS邏輯門電路原理圖解析！現代單片機主要是采用CMOS工藝制成的。1、MOS管又分為兩種類型：N型MOS管和P型MOS管。如下圖所示：N型MOS管和P型MOS管區別圖以N型MOS管為例，2端為控制端，稱為“柵極”；3端通常接地，稱為&ldquo

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[常見問題解答]可控硅結構靜電防護器件降低觸發電壓提高開啟速度的方法[ 2019-12-10 12:02 ]

可控硅結構靜電防護器件降低觸發電壓提高開啟速度的方法可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)結構靜電防護器件由于其自身的正反饋機制，具有單位面積泄放電流高、導通電阻小、魯棒性強、防護級別高的優點，但同時它還引入了觸發電壓高響應速度慢、維持電壓低易閂鎖的缺點。本文介紹可控硅結構靜電防護器件降低觸發電壓提高開啟速度的方法。可控硅器件能夠以較小的版圖面積獲得較高ESD防護等級，因此，此類器件已在集成電路片上靜電防護中占有一席之地。但是在深亞微米CMOS工藝中SCR器件仍然具有高的開啟電壓的

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