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        [常見問題解答]MOS管ESD防護技術與優化設計要點[ 2025-03-20 11:56 ]
        MOS管的ESD防護技術與優化設計是確保其穩定性和可靠性的關鍵環節。在電子電路中,MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)因其高輸入阻抗和低功耗的特性被廣泛應用。然而,MOS管的柵極極易受到靜電放電(ESD)損害,若防護不當,可能導致器件失效。因此,在設計和應用過程中,合理的ESD防護措施和優化策略至關重要。一、ESD對MOS管的影響靜電放電是一種短時間的高電壓沖擊,可能源于人體、設備或環境中的電荷積累。當ESD發生時,會在MOS管內部產生瞬態高電流,進而導致柵氧化層擊穿、PN結損壞或寄生結構觸發,嚴重時甚至會
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