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        [常見問題解答]深入解析RC-IGBT：結構、工作原理與優勢詳解[
                                        2024-10-15 16:11
                                        ]
        
                                
        
                                    RC-IGBT是一種集成FRD（快恢復二極管）功能的新型IGBT器件。它具有良好的結構設計、工作機理和技術優勢，其結構、工作原理和優點使其得到廣泛的應用，詳細的分析將幫助您更深入地了解該裝置的獨特性和技術優勢。一、RC-IGBT的結構和特性在大多數應用場景中，IGBT用于關斷時關閉的感性負載。IGBT本身不能反向導通，因此需要快恢復二極管（FRD）。由于傳統IGBT模塊尺寸較大，已難以滿足市場對更高性能、更小型器件的需求。為了解決上述問題，開發了芯片背面帶有二極管過孔的回線IGBT（RC-IGBT），將IGBT和F
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/srjxrcigbt_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT驅動電路中的鉗位電路介紹[
                                        2022-10-12 16:27
                                        ]
        
                                
        
                                    在IGBT驅動電路中有時會用到鉗位電路，其主要目的是為了保護IGBT器件，避免運行參數超過集電極或者門極的極限參數，今天我們總結一下Vce以及Vge鉗位電路設計使用注意事項。Vce鉗位電路Vce鉗位電路目的是為了避免在大電流、短路、低溫等特殊工況時，Vce之間的尖峰電壓超過器件可以耐受的最大值，該電路的基本結構如下圖所示。該電路由于設計簡單而且能起到立桿見影的效果，被很多設計者采用。圖一 有源鉗位電路示意圖其鉗位電壓的選擇可以采用以下公式：其中：Vmax為電路設計中允許的Vce電壓最大值， 應考慮器件阻斷電壓以及余
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/igbtqddlzd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT主要參與應用特點[
                                        2019-10-11 12:05
                                        ]
        
                                
        
                                    IGBT主要參與應用特點IGBT是一種雙極性功率半導體器件，由BJT(雙極型三極管)和MOS管復合而成, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，特別是600V以上應用中的功率損失相當低。雖然可以通過工藝技術提高BJT的性能，但無法從根本上解決BJT的電荷存儲時間（STORAGE TIME）問題。也就是說，BJT在關閉時需耗費較長時間，不適合高速切換的應用，但完全滿足市電供電的應用。IGBT基本特性包括靜態特性和動態特性，其中靜態特性由輸出特性和轉移特性組成，動態特性描述IGBT器件開關過程。
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/igbtzycyyy_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
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