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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]IGBT散熱原理及導(dǎo)熱機(jī)理深度解析[ 2025-02-11 12:02 ]
        絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)與雙極型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)的功率半導(dǎo)體器件。它在高壓、高頻、高效能的電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,如變頻器、電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)、電力變換器等。然而,IGBT在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量,如何有效管理這些熱量成為確保器件長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。一、IGBT的熱量產(chǎn)生機(jī)制IGBT在工作時(shí)主要的能量損耗會(huì)以熱的形式釋放,主要包括以下幾類(lèi):1. 開(kāi)通損耗:當(dāng)IGBT從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)
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