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        [常見問題解答]如何避免MOS管雪崩:實用技巧與方法[ 2024-09-21 11:10 ]
        MOS管(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)在高壓和高電場的環境下容易發生雪崩擊穿,這是一種由載流子(電子或空穴)倍增引發的連鎖反應,導致電流急劇增加,可能致使器件損壞。為了防止這一現象,本文將探討一些有效的技巧和方法來避免MOS管雪崩,確保電路的穩定運行。1. 優化器件結構提升MOS管的耐壓能力是預防雪崩的首要措施。通過使用高質量的材料和優化器件的物理結構可以顯著提高其抗壓能力。例如,采用高介電常數材料作為柵絕緣層可以降低MOS管內部的電場強度,從而減輕電場對載流子的加速效應。同時,增加PN結的摻雜濃度能有效減小
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