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        [常見問題解答]MOSFET擊穿電壓-MOS管擊穿特性原因以及解決方案[ 2020-12-08 15:50 ]
        MOSFET擊穿電壓-MOS管擊穿特性原因以及解決方案MOSFET擊穿電壓有哪幾種場效應管的三極:源級(Source)S、漏級(Drain)D、柵級(Gate)G(這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針對MOSFET擊穿電壓漏極電壓擊穿)先講測試條件,都是源柵襯底都是接地,然后掃描漏極電壓,直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看,它的漏電通道有三條:Drain(漏級)到source(源級)、Drain(漏級)到Bulk、Drain(漏級)到Gate(柵級)。1)MOSFET擊穿電壓-Drain(漏極)->
        http://m.kannic.com/Article/mosfetjcdy_1.html3星

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