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        [常見問題解答]氮化鎵MOSFET寄生二極管問題及其對電路性能的影響[ 2025-04-21 15:03 ]
        氮化鎵(GaN MOSFET,也稱為金屬氧化物半導體場效應管)已被廣泛應用于高效電源轉(zhuǎn)換和高頻功率電子設備中,因為它具有許多優(yōu)點,包括高速開關、低導通電阻和高溫適應能力。然而,與其他半導體器件一樣,氮化鎵MOSFET的寄生二極管問題會影響電路的性能,尤其是在開關操作中。一、氮化鎵MOSFET中的寄生二極管氮化鎵MOSFET的寄生二極管主要是由于PN結(jié)的存在而形成的。每個MOSFET都有一個寄生二極管,這種二極管通常位于柵源結(jié)和漏源結(jié)之間。寄生二極管的形成源自器件中導電材料和半導體材料之間的接觸,使得它在某些情況下起
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