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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]PiN二極管與SiC二極管的核心區(qū)別與應(yīng)用分析[ 2025-03-13 11:39 ]
        在電子與電力系統(tǒng)中,二極管是一種核心半導(dǎo)體器件,廣泛用于整流、開(kāi)關(guān)和功率轉(zhuǎn)換等電路。PiN二極管與SiC二極管是兩種關(guān)鍵類(lèi)型,它們?cè)诓牧辖M成、性能特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域方面存在顯著差異。理解這些區(qū)別有助于在不同應(yīng)用場(chǎng)景中選擇合適的器件,以優(yōu)化系統(tǒng)性能和效率。一、材料特性與結(jié)構(gòu)1. PiN二極管由P型半導(dǎo)體、本征層(I層)和N型半導(dǎo)體組成,其中本征層起著至關(guān)重要的作用。它調(diào)節(jié)二極管在不同偏置條件下的電學(xué)特性,并增強(qiáng)其耐壓能力。在高壓應(yīng)用中,本征層能夠有效分布電場(chǎng),提高反向電壓承受能力,同時(shí)保持較低的正向電阻,從而減少功耗并提
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]SiC二極管的結(jié)構(gòu)與工作原理解析[ 2025-03-06 11:56 ]
        隨著功率電子技術(shù)的發(fā)展,對(duì)高效率、高耐壓和高溫穩(wěn)定性的半導(dǎo)體器件需求日益增長(zhǎng)。SiC二極管作為第三代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表,憑借其卓越的電學(xué)和熱學(xué)特性,在高功率、高頻和高溫應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。一、SiC二極管的基本概念SiC二極管是一種基于碳化硅(SiC)材料制造的半導(dǎo)體整流器件。與傳統(tǒng)硅(Si)二極管相比,SiC二極管具有更高的擊穿電壓、更低的正向?qū)〒p耗以及更強(qiáng)的耐高溫性能。這使其在電力電子、可再生能源、電動(dòng)汽車(chē)及航空航天等領(lǐng)域占據(jù)重要地位。SiC材料具有較寬的帶隙(約3.26 eV),高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(Si的約
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]通過(guò)MPS SiC二極管優(yōu)化高頻開(kāi)關(guān)電源效率與降低損耗[ 2025-02-10 12:08 ]
        在高頻開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)中,效率和損耗的優(yōu)化一直是工程師們關(guān)注的重點(diǎn)問(wèn)題。隨著電源技術(shù)的不斷進(jìn)步,采用合適的元器件已經(jīng)成為提高整體性能的關(guān)鍵。MPS SiC二極管作為一種新型的半導(dǎo)體器件,憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),已逐漸在高頻開(kāi)關(guān)電源中得到了廣泛應(yīng)用。一、高頻開(kāi)關(guān)電源的挑戰(zhàn)高頻開(kāi)關(guān)電源(SMPS)廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,其核心優(yōu)勢(shì)在于高效率和小型化。然而,在開(kāi)關(guān)模式電源的設(shè)計(jì)中,二極管作為關(guān)鍵的功率元件之一,在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的損耗對(duì)系統(tǒng)的整體效率產(chǎn)生了直接影響。尤其是在高頻操作時(shí),二極管的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗成為主要的能源
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]探索SiC二極管的工作原理與性能特征[ 2024-09-12 14:47 ]
        在高性能電子設(shè)備中,SiC二極管(碳化硅二極管)已經(jīng)成為一種重要的元件。由于其出色的耐高溫、高電壓及高頻率性能,SiC二極管在現(xiàn)代電子和電力應(yīng)用領(lǐng)域中扮演著關(guān)鍵角色。本文將深入探討SiC二極管的工作原理和其獨(dú)特的性能特征,以及這些特性如何使它們?cè)诒姸鄳?yīng)用中脫穎而出。一、SiC二極管的工作原理SiC二極管利用碳化硅材料的寬禁帶特性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率的電流控制。相較于傳統(tǒng)硅材料,碳化硅提供了更高的擊穿電壓和熱穩(wěn)定性。SiC二極管的主要類(lèi)型包括肖特基二極管和碳化硅PIN二極管,其中肖特基二極管因其較低的正向電壓和快速切換能力,
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]基于SiC二極管的交錯(cuò)式PFC模塊知識(shí)[ 2020-10-14 16:27 ]
        基于SiC二極管的交錯(cuò)式PFC模塊知識(shí)為配合客戶定制開(kāi)發(fā)了一款交錯(cuò)式PFC的模塊。采用了自主研發(fā)的兩顆600V40A的高頻IGBT芯片和兩顆SiC二極管。用零反向恢復(fù)電流600V15A SiC JBS二極管芯片,來(lái)最大化IGBT及SiC二極管性能。封裝成DIP26模塊,極大的方便終端客戶的裝配。采用真空焊接工藝降低焊接空洞率,保證高絕緣強(qiáng)度的情況下,提高模塊導(dǎo)熱性。交錯(cuò)式PFC是一種新興的功率因數(shù)校正PFC技術(shù),它將傳統(tǒng)的單個(gè)大功率PFC分解為兩個(gè)功率減半的并聯(lián)PFC,這兩個(gè)功率減半的PFC以180°的相位
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        [行業(yè)資訊]SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢(shì)[ 2019-09-06 18:23 ]
        什么是碳化硅二極管通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管,但是最近比較熱門(mén)的碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見(jiàn)的多為高壓的肖特基碳化硅二極管,其優(yōu)點(diǎn):反向恢復(fù)特性很好,媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn):正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管,還有可承受沖擊電流小,可靠性不高等缺點(diǎn)。但是目前已有很大改善。碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料,其擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的10倍,熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅
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        地 址/Address

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        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
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