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        [常見問題解答]探索SiC半導體技術:如何實現(xiàn)卓越質(zhì)量與可靠性保障[ 2024-12-02 10:55 ]
        隨著科學技術的不斷發(fā)展,半導體技術在很多領域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,碳化硅(SiC)這種直接影響功率半導體性能、效率和可靠性的半導體材料逐漸受到業(yè)界關注。與傳統(tǒng)的硅半導體(Si)相比,SiC不僅具有更好的物理性能,而且可以在更高的溫度和電壓條件下工作,提高系統(tǒng)性能、減少能量損耗、提高可靠性,具有提高性能的巨大潛力。一、SiC半導體的獨特優(yōu)勢與傳統(tǒng)硅材料相比,SiC半導體技術的最大優(yōu)勢是熱穩(wěn)定性和高效的功率轉(zhuǎn)換能力。SiC晶體結構具有很強的化學穩(wěn)定性和高導熱性,可以在不使用過度熱敏硅材料的情況下長時間穩(wěn)定運行
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